Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1012F-СПА-АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1012gspaac-datasheets-2483.pdf | 3-SIP | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 250 мВт | 2SD1012 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 250 мВт | 15 В | 15 В | 700 мА | 20 В | 5В | 160 | 1 мкА ИКБО | НПН | 160 @ 50 мА 2 В | 250 МГц | 80 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП35-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bournsinc-tip35s-datasheets-2709.pdf | ТО-218-3 | 3 | НПН | 3,5 Вт | СОВЕТ35 | СОТ-93 | 3,5 Вт | 40В | 4В | 25А | 40В | 25А | 1 мА | НПН | 10 @ 15А 4В | 4 В при 5 А, 25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД239Д-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bourns-bd239ds-datasheets-3349.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | НПН | 30 Вт | БД239 | Одинокий | ТО-220 | 2А | 2 Вт | 120 В | 120 В | 2А | 120 В | 2А | 5В | 200 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД241Д-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | ТО-220-3 | 3 | Нет | НПН | 40 Вт | БД241 | Одинокий | 40 Вт | 1 | ТО-220 | 2 Вт | 120 В | 120 В | 3А | 120 В | 3А | 5В | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 2,5 В при 750 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП48-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip48s-datasheets-2688.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 2 Вт | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 2 Вт | 300В | 1В | 1А | 400В | 1 мА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ407-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bu407s-datasheets-2690.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | 60 Вт | БУ407 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 60 Вт | 140 В | 1В | 7А | 330В | 5мА | НПН | 12 @ 4А 10В | 6 МГц | 1 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД647-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd649s-datasheets-2543.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | Нет | НПН | 2 Вт | БД647 | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 2 Вт | ТО-220АБ | 80В | 2В | 80В | 8А | 100 В | 5В | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 50 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW83B-S | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/bournsinc-bdw83s-datasheets-2605.pdf | ТО-218-3 | 3 | 3 | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 3,5 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | БДВ83 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,5 Вт | 80В | 2,5 В | 4В | 15А | 80В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 6А 3В | 4 В при 150 мА, 15 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD245C-S | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd245cs-datasheets-2695.pdf | ТО-218-3 | 3 | 3 | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 80 Вт | НЕ УКАЗАН | БД245 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80 Вт | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт | 100 В | 100 В | 10А | 5В | 700 мкА | NPN – Дарлингтон | 4 @ 10А 4В | 4 В при 2,5 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2812N6-CPA-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sa1179n6cpatbe-datasheets-2487.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | 3 | 200мВт | 50В | 500мВ | 150 мА | 55В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 1 мА 6 В | 100 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИПЛ760Б-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 12 МГц | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tipl760cs-datasheets-2584.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 75 Вт | ТИПЛ760 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | 12 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,1 кВ | 500В | 4А | 12 МГц | 1100В | 1,1 кВ | 10 В | 20 | 50 мкА | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1 В при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6515RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n6520rlrag-datasheets-6714.pdf | 250 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N6515 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 В | 1В | 1В | 500 мА | 40 МГц | 200 нс | 250 В | 6В | 35 | 50на ИКБО | НПН | 45 @ 50 мА 10 В | 1 В при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД648-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd650s-datasheets-2567.pdf | ТО-220-3 | Нет | 8А | ПНП | 80В | 2 Вт | БД648 | Одинокий | 1 | ТО-220 | 2 Вт | 80В | 2В | 80В | 8А | 80В | 8А | 100 В | 5В | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 50 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БДВ65-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bdv65as-datasheets-2635.pdf | ТО-218-3 | 3 | НПН | 3,5 Вт | БДВ65 | Одинокий | 1 | СОТ-93 | 3,5 Вт | 60В | 2В | 60В | 12А | 60В | 12А | 60В | 5В | 1000 | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 4В | 2 В при 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5401RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2n5401rlra-datasheets-9523.pdf | -150В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | 2Н5401 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 В | 500мВ | 150 В | 600мА | 100 МГц | 160 В | 5В | 50 | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИПЛ791-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bournsinc-tipl791s-datasheets-2678.pdf | ТО-220-3 | НПН | 75 Вт | ТИПЛ791 | ТО-220 | 75 Вт | 400В | 2,5 В | 4А | 400В | 4А | 5 мкА | NPN – Дарлингтон | 60 @ 500 мА 5 В | 2,5 В при 1 А, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW93A-S | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bdw93cs-datasheets-2608.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 2 Вт | БДВ93 | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 2 Вт | ТО-220АБ | 60В | 2В | 60В | 12А | 60В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИПЛ765А-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tipl765as-datasheets-2681.pdf | ТО-218-3 | 3 | НПН | 125 Вт | ТИПЛ765 | СОТ-93 | 125 Вт | 450В | 2,5 В | 10А | 450В | 10А | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 60 @ 500 мА 5 В | 2,5 В при 2 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30C02MH-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-30c02mhtlh-datasheets-2683.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 5 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 600мВт | 3 | 600мВт | 30В | 190 мВ | 700 мА | 40В | 5В | 300 | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 50 мА 2 В | 540 МГц | 190 мВ при 10 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6121-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6121tlh-datasheets-2685.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 8 недель | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1 Вт | 6 | 1 Вт | 12 В | -165мВ | 3А | -5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 380 МГц | 165 мВ при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД902-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd902s-datasheets-2655.pdf | ТО-220-3 | Нет | ПНП | 2 Вт | BD902 | Одинокий | 1 | ТО-220 | 2 Вт | 100 В | 2,5 В | 100 В | 8А | 100 В | 8А | 100 В | 5В | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БДТ61-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bdt61as-datasheets-2579.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НПН | 2 Вт | БДТ61 | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 60В | 4А | 60В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 6 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД901-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bd897s-datasheets-2602.pdf | ТО-220-3 | Нет | НПН | 2 Вт | БД901 | Одинокий | 1 | ТО-220-3 | 2 Вт | 100 В | 2,5 В | 100 В | 8А | 100 В | 8А | 100 В | 5В | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4211-6-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | СК-70, СОТ-323 | 8 недель | НПН | 150 мВт | Одинокий | 200 МГц | 400мВ | 50В | 55В | 6В | 135 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA7506R0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7506r0l-datasheets-2663.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 5,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 150 МГц | неизвестный | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 В | 25 В | -270мВ | 270 мВ | 3А | 150 МГц | -30В | -11В | ПНП | 130 @ 1,4 А 2 В | 150 МГц | 270 мВ при 25 мА, 1,4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSC5G02C0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc5g02d0l-datasheets-2557.pdf | СК-85 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | 3 | 10 недель | 85 | EAR99 | 650 МГц | неизвестный | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК5Г02 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 20 В | 20 В | 15 мА | 650 МГц | 30В | 3В | НПН | 65 @ 1 мА 6 В | 650 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5401ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2n5401rlra-datasheets-9523.pdf | -150В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | неизвестный | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | 2Н5401 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 В | 500мВ | 500мВ | 600мА | 100 МГц | 600мА | 160 В | 5В | 50 | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БДВ65А-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-bdv65as-datasheets-2635.pdf | ТО-218-3 | 3 | НПН | 3,5 Вт | БДВ65 | Одинокий | 1 | СОТ-93 | 3,5 Вт | 80В | 2В | 80В | 12А | 80В | 12А | 80В | 5В | 1000 | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 4В | 2 В при 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1733TLP | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 80В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | да | EAR99 | Медь, Олово | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SD1733 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 10 Вт | 80В | 80В | 80В | 1А | 100 МГц | 100 В | 5В | 82 | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 3 В | 400 мВ при 20 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6123-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6123tle-datasheets-2640.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 6 | 1 Вт | 1 | 50В | 650 мВ | 3А | 50В | -6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 390 МГц | 650 мВ при 100 мА, 2 А |
