Одиночные транзисторы BJT - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Текущий Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Напряжение Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Продукт увеличения пропускной способности Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Непрерывный ток коллектора Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Максимальное напряжение проба Код JEDEC-95 Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Выключить Тайм-Макс (toff) Время включения-Макс (тонна) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) hFE Мин. Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic
BD901-S БД901-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bd897s-datasheets-2602.pdf ТО-220-3 Нет НПН 2 Вт БД901 Одинокий 1 ТО-220-3 2 Вт 100В 2,5 В 100В 100В 100В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 3А 3В 2,5 В при 12 мА, 3 А
2SC4211-6-TL-E 2SC4211-6-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год СК-70, СОТ-323 8 недель НПН 150 мВт Одинокий 200 МГц 400мВ 50В 55В 135
DSA7506R0L DSA7506R0L Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7506r0l-datasheets-2663.pdf ТО-243АА 4,5 мм 1,5 мм 5,5 мм 3 10 недель 3 EAR99 150 МГц неизвестный 1 Вт ОДИНОКИЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УСИЛИТЕЛЬ ПНП 25 В 25 В -270мВ 270 мВ 150 МГц -30В -11В ПНП 130 @ 1,4 А 2 В 150 МГц 270 мВ при 25 мА, 1,4 А
DSC5G02C0L DSC5G02C0L Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc5g02d0l-datasheets-2557.pdf СК-85 2 мм 800 мкм 1,25 мм 3 10 недель 85 EAR99 650 МГц неизвестный 150 мВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН ДСК5Г02 НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 20 В 20 В 20 В 15 мА 650 МГц 30 В НПН 65 @ 1 мА 6 В 650 МГц
2N5401ZL1G 2N5401ZL1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2005 г. /files/onsemiconductor-2n5401rlra-datasheets-9523.pdf -150В -600мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) Без свинца 3 EAR99 ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ неизвестный 8541.21.00.95 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 625 МВт НИЖНИЙ 260 2Н5401 3 Одинокий 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован О-PBCY-T3 300 МГц КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ ПНП 150 В 500мВ 500мВ 600 мА 100 МГц 600 мА 160 В 50 50на ИКБО ПНП 60 @ 10 мА 5 В 500 мВ при 5 мА, 50 мА
BDV65A-S БДВ65А-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdv65as-datasheets-2635.pdf ТО-218-3 3 НПН 3,5 Вт БДВ65 Одинокий 1 СОТ-93 3,5 Вт 80В 80В 12А 80В 12А 80В 1000 2мА NPN – Дарлингтон 1000 @ 5А 4В 2 В при 20 мА, 5 А
2SD1733TLP 2SD1733TLP РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2013 год 80В ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 2 да EAR99 Медь, Олово не_совместимо 8541.29.00.75 е2 Олово/медь (Sn98Cu2) 1 Вт КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2SD1733 3 Одинокий 10 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПССО-Г2 100 МГц КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 10 Вт 80В 80В 80В 100 МГц 100В 82 1 мкА ИКБО НПН 120 @ 500 мА 3 В 400 мВ при 20 мА, 500 мА
2N4403RLRMG 2N4403RLRMG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2007 год /files/onsemiconductor-2n4403rlra-datasheets-9459.pdf -40В -600мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) Без свинца 3 3 EAR99 неизвестный 8541.21.00.75 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 625 МВт НИЖНИЙ 260 2Н4403 3 Одинокий 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 200 МГц КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 40В 750 мВ 750 мВ 600 мА 200 МГц 600 мА 255 нс 40В 30 ПНП 100 @ 150 мА 2 В 750 мВ при 50 мА, 500 мА
TIP152-S ТИП152-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-tip152s-datasheets-2612.pdf ТО-220-3 Нет НПН 350В 2 Вт Одинокий 80 Вт 1 ТО-220 2 Вт 400В 1,5 В 400В 400В 400В 250 мкА NPN – Дарлингтон 15 @ 7А 5В 2 В при 250 мА, 5 А
BDX53C-S BDX53C-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 150°С -65°С Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdx53cs-datasheets-2613.pdf ТО-220-3 Нет НПН 2 Вт BDX53 Одинокий 1 ТО-220 2 Вт 100В 100В 100В 100В 750 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 3А 3В 2,5 В при 12 мА, 3 А
BDW54A-S BDW54A-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw54as-datasheets-2614.pdf ТО-220-3 3 3 да EAR99 Нет 8541.29.00.95 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 2 Вт БДВ54 3 Одинокий 1 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 2 Вт ТО-220АБ 60В 60В 500 мкА PNP - Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 4 В при 40 мА, 4 А
MCH3144-TL-E MCH3144-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 3-СМД, плоский вывод Без свинца 5 недель 3 да EAR99 не_совместимо е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 800мВт НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 800мВт 30 В -260мВ 200 100на ИКБО ПНП 200 @ 100 мА 2 В 440 МГц 260 мВ при 75 мА, 1,5 А
2SC4134T-TL-E 2SC4134T-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sc4134stle-datasheets-2597.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 6 недель 3 да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) ДА 800мВт 2SC4134 3 Другие транзисторы Одинокий НПН 800мВт 100В 400мВ 120 В 200 100на ИКБО НПН 200 @ 100 мА 5 В 120 МГц 400 мВ при 40 мА, 400 мА
BDW23-S БДВ23-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw23cs-datasheets-2600.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ23 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 45В 45В 45В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 2А 3В 3 В при 60 мА, 6 А
BDW93-S БДВ93-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw93cs-datasheets-2608.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ93 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР 2 Вт ТО-220АБ 45В 45В 12А 45В 1 мА NPN – Дарлингтон 750 @ 5А 3В 3 В при 100 мА, 10 А
2SC4489S-AN 2SC4489S-АН ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1997 год /files/onsemiconductor-2sa1709tan-datasheets-2360.pdf СК-71 6,9 мм 4,5 мм 2,5 мм Без свинца 3 да EAR99 1 МГц Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) 1 Вт 3 Одинокий 100В 400мВ 100В 120 В 140 100на ИКБО НПН 140 @ 100 мА 5 В 120 МГц 400 мВ при 100 мА, 1 А
BDT61C-S BDT61C-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdt61as-datasheets-2579.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДТ61 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 120 В 2,5 В 120 В 120 В 750 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 2,5 В при 6 мА, 1,5 А
BDW63D-S BDW63D-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw63ds-datasheets-2625.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ63 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 120 В 2,5 В 120 В 120 В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 2А 3В 4 В @ 60 мА, 6 А
2SB1124T-TD-H 2СБ1124Т-ТД-Х ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sd1624ttde-datasheets-6745.pdf ТО-243АА Без свинца 3 4 недели 3 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 не_совместимо 8541.21.00.75 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) Без галогенов ДА 500мВт ОДИНОКИЙ ПЛОСКИЙ 2СБ1124 3 1 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПНП 500мВт 50В 50В 150 МГц 60В -6В 100 1 мкА ИКБО ПНП 200 @ 100 мА 2 В 150 МГц 700 мВ при 100 мА, 2 А
BDW83-S БДВ83-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/bournsinc-bdw83s-datasheets-2605.pdf ТО-218-3 3 3 EAR99 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 3,5 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН БДВ83 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 3,5 Вт 45В 2,5 В 15А 45В 1 мА NPN – Дарлингтон 750 @ 6А 3В 4 В при 150 мА, 15 А
2N6515 2N6515 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2004 г. /files/onsemiconductor-2n6517-datasheets-9381.pdf 250 В 500 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Содержит свинец 3 3 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 200 МГц не_совместимо 8541.21.00.95 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) НЕТ 625 МВт НИЖНИЙ 240 2N6515 3 Одинокий 30 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 200 МГц КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 250 В 250 В 500 мА 40 МГц 200 нс 250 В 35 50на ИКБО НПН 45 @ 50 мА 10 В 1 В при 5 мА, 50 мА
BDW53C-S BDW53C-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw53ds-datasheets-2601.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ53 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 100В 2,5 В 100В 100В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 4 В при 40 мА, 4 А
BDW93C-S BDW93C-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw93cs-datasheets-2608.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ93 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР 2 Вт ТО-220АБ 100В 100В 12А 100В 1 мА NPN – Дарлингтон 750 @ 5А 3В 3 В при 100 мА, 10 А
BDW53-S БДВ53-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdw53ds-datasheets-2601.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДВ53 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 45В 2,5 В 45В 45В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 4 В при 40 мА, 4 А
2N5551G 2N5551G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) 300 МГц Соответствует RoHS 2001 г. /files/onsemiconductor-2n5550g-datasheets-6677.pdf&product=onsemiconductor-2n5551g-6319364 160 В 600 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 5,2 мм 5,33 мм 4,19 мм Без свинца 3 4.535924г Нет СВХК 3 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 Медь, Серебро, Олово Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕТ 625 МВт НИЖНИЙ 260 2N5551 3 Одинокий 40 625 МВт 1 Другие транзисторы 300 МГц КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ НПН 160 В 250 мВ 160 В 600 мА 100 МГц 180 В 80 50на ИКБО НПН 80 @ 10 мА 5 В 200 мВ при 5 мА, 50 мА
BDT61A-S БДТ61А-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdt61as-datasheets-2579.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДТ61 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 80В 2,5 В 80В 80В 750 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 2,5 В при 6 мА, 1,5 А
2N6426RLRA 2N6426RLRA ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2004 г. /files/onsemiconductor-2n6426-datasheets-9362.pdf 40В 500 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) Содержит свинец 3 3 УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 8541.21.00.75 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НПН НЕТ 625 МВт НИЖНИЙ 260 2N6426 3 Одинокий 40 625 МВт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ 500 мА 40В 1,5 В 500 мА 125 МГц 40В 12 В 1 мкА NPN – Дарлингтон 30000 при 100 мА 5 В 1,5 В @ 500 мкА, 500 мА
BD645-S БД645-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bd649s-datasheets-2543.pdf ТО-220-3 3 EAR99 Нет НПН 2 Вт БД645 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР 2 Вт ТО-220АБ 60В 60В 80В 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 3А 3В 2,5 В при 50 мА, 5 А
BDT61B-S БДТ61Б-С Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-bdt61as-datasheets-2579.pdf ТО-220-3 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 2 Вт БДТ61 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 2 Вт ТО-220АБ 100В 2,5 В 100В 100В 750 500 мкА NPN – Дарлингтон 750 @ 1,5 А 3 В 2,5 В при 6 мА, 1,5 А
TIPL760C-S ТИПЛ760C-S Борнс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 12 МГц Соответствует ROHS3 1993 год /files/bournsinc-tipl760cs-datasheets-2584.pdf ТО-220-3 3 18 недель 3 да EAR99 Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НПН 75 Вт ОДИНОКИЙ ТИПЛ760 3 75 Вт 1 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТО-220АБ 550В 550В 12 МГц 1,2 кВ 10 В 50 мкА NPN – Дарлингтон 20 @ 500 мА 5 В 1 В при 400 мкА, 2 А

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.