Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5459(ТОДЖС,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5459tojsqm-datasheets-1338.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 400В | 3А | 100 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 300 мА 5 В | 1 В при 150 мА, 1,2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД363ОТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksd363rtu-datasheets-7214.pdf | ТО-220-3 | КСД363 | 40 Вт | 120 В | 6А | 1 мА ИКБО | НПН | 70 @ 1А 5В | 10 МГц | 1 В при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP25015DFH | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtp25015dfhta-datasheets-9482.pdf | -15В | -4А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXTP25015D | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,25 Вт | 15 В | 15 В | 220 мВ | 4А | 295 МГц | 50на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 295 МГц | 220 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS2222ARLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps2222arlra-datasheets-9647.pdf | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPS2222 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||
| MPSA27RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa27rlra-datasheets-9544.pdf | 60В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA27 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 60В | 60В | 1,5 В | 60В | 500 мА | 125 МГц | 60В | 10 В | 10000 | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| MPSA42RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa42-datasheets-6567.pdf&product=onsemiconductor-mpsa42rlrag-6318892 | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA42 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 25 @ 1 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||
| KSC3552RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksc3552otu-datasheets-1239.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 150 Вт | 800В | 12А | 10 мкА ИКБО | НПН | 15 @ 800 мА 5 В | 15 МГц | 2 В при 1,2 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6810TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjaf6810tu-datasheets-1369.pdf | 750В | 10А | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,5 мм | 14,5 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | 3 | Нет | 60 Вт | FJAF6810 | Одинокий | 60 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 750В | 3В | 750В | 10А | 1,5 кВ | 6В | 5 | 1 мА | НПН | 5 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1776TV2Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sa1727tlp-datasheets-4248.pdf | -400В | -500мА | 3-SIP | Без свинца | 3 | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1 Вт | 260 | 2SA1776 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 12 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 400В | 80В | 400мВ | 700 мА | 12 МГц | 500 мА | 400В | 7В | 120 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 50 мА 5 В | 1 В при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN25020CFH | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtn25020cfhta-datasheets-9679.pdf | 20 В | 4,5 А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXTN25020C | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 В | 20 В | 140 мВ | 4,5 А | 185 МГц | 50на ИКБО | НПН | 200 @ 10 мА 2 В | 185 МГц | 140 мВ при 450 мА, 4,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA13RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsa13rlra-datasheets-9509.pdf | 30 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA13 | 3 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 5000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||
| 2SC5201,Ф(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5201t6murafj-datasheets-1204.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 600В | 50 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 20 мА 5 В | 1 В при 500 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222ARLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-pn2222arlra-datasheets-9618.pdf | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | PN2222A | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||
| СОВЕТ41А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip42a-datasheets-7377.pdf | 60В | 6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 3 МГц | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | СОВЕТ41 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 60В | 60В | 6А | 3 МГц | 60В | 5В | 30 | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5024RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 18 МГц | Соответствует RoHS | 500В | 10А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 90 Вт | Одинокий | 90 Вт | 1 | 18 МГц | 500В | 500В | 10А | 800В | 7В | 15 | 10 мкА ИКБО | НПН | 15 @ 800 мА 5 В | 1 В при 800 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-Y,ВНЛФ(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJL6825TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjl6825atu-datasheets-1243.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 200 Вт | 750В | 25А | 1 мА | НПН | 6 @ 12А 5В | 3 В при 3 А, 12 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5201(Т6МУРАТАФМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5201t6murafj-datasheets-1204.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 600В | 50 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 20 мА 5 В | 1 В при 500 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2129,АЛПСК(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2129alpsqm-datasheets-1290.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100В | 3А | 100 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1,5 А 3 В | 2 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX54B | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bdx54b-datasheets-1293.pdf | -80В | -8А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | 60 Вт | BDX54 | 3 | Одинокий | 60 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | ТО-220АБ | 80В | 2В | 80В | 8А | 20 МГц | 80В | 5В | 2 В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2STX1360 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stx1360-datasheets-1295.pdf | 80В | 3А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,95 мм | 4,95 мм | 3,94 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | Нет | 1 Вт | 2СТХ | Одинокий | 1 Вт | 1 | 130 МГц | 60В | 500мВ | 60В | 3А | 80В | 6В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 1А 2В | 500 мВ при 150 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJA4313RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2sc5242otu-datasheets-7863.pdf | 140 В | 10А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,401 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 130 Вт | Одинокий | 130 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 В | 400мВ | 250 В | 17А | 30 МГц | 250 В | 5В | 55 | 5 мкА ИКБО | НПН | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6810ATU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 750В | 10А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 6.961991г | 3 | Нет | 60 Вт | FJAF6810 | Одинокий | 60 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 750В | 3В | 750В | 10А | 1,5 кВ | 6В | 5 | 1 мА | НПН | 5 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3665-И,Т2НСФ(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3665yt2ynsfj-datasheets-1189.pdf | СК-71 | 1 Вт | 120 В | 800мА | 100на ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП140ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tip142tu-datasheets-0960.pdf | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 80 Вт | 60В | 10А | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 4В | 3 В при 40 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJL6820TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjl6820tu-datasheets-1304.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 200 Вт | 750В | 20А | 1 мА | НПН | 5,5 @ 11 А 5 В | 3 В при 2,75 А, 11 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4793(ПАИО,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc4793fm-datasheets-6713.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 230В | 1А | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS8599RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mps8599rlra-datasheets-9591.pdf | -80В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPS8599 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | 400мВ | 80В | 500 мА | 150 МГц | 80В | 6В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 1 мА 5 В | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-И(Т6НД3,АФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTEM322TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtem322ta-datasheets-1272.pdf | 80В | 3,5 А | 3-PowerSMD, плоские выводы | 2 мм | 1 мм | 2 мм | Без свинца | 3 | 322 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTEM322 | 5 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-Ф3 | 160 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 80В | 3,5 А | 160 МГц | 100В | 7,5 В | 25нА | НПН | 300 @ 200 мА 2 В | 325 мВ при 300 мА, 3,5 А |
