Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Ток насыщения | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC382900Л | Электронные компоненты Panasonic | 2,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sc382900l-datasheets-1276.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 200мВт | 2SC3829 | Мини3-Г1 | 200мВт | 10 В | 10 В | 80 мА | 10 В | 80 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 20 мА 8 В | 6 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДЖТ9410Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 72 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmjt9410t1-datasheets-9628.pdf&product=onsemiconductor-mmjt9410t1g-6318851 | 30 В | 3А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 3 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MMJT9410 | 4 | Одинокий | 40 | 1,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | 72 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 30 В | 30 В | 150 мВ | 30 В | 3А | 72 МГц | 45В | 6В | 85 | НПН | 85 при 800 мА 1 В | 450 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC2229-О(ТЕ6,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2229omitifm-datasheets-1094.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6042,T2HOSH1Q(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc6042t2hosh1qj-datasheets-1257.pdf | СК-71 | 1 Вт | 375В | 1А | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 100 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6810AYDTBTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 750В | 10А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 6,962 г | 60 Вт | FJAF6810 | Одинокий | 750В | 3В | 10А | 1,55 кВ | 6В | 10 | 1 мА | НПН | 5 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF4210YTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | -140 В | -10А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,962 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 80 Вт | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 140 В | -500мВ | 140 В | 10А | 30 МГц | -200В | -6В | 50 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 90 @ 3А 4В | 500 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ413ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt413td-datasheets-9712.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 7,994566мг | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФММТ413 | 3 | Одинокий | 330мВт | 1 | Не квалифицирован | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 150 мВ | 50В | 100 мА | 150 МГц | 150 В | 6В | 100на ИКБО | NPN — лавинный режим | 50 @ 10 мА 10 В | 150 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| 2SC3669-Y(T2OMI,FM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3669yt2pasfm-datasheets-1221.pdf | СК-71 | 1 Вт | 80В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-И(Т6НД2,АФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJL6825ATU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjl6825atu-datasheets-1243.pdf | 750В | 25А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 200 Вт | Одинокий | 750В | 3В | 25А | 1,5 кВ | 6В | 10 | 1 мА | НПН | 6 @ 12А 5В | 3 В при 3 А, 12 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3665-Y(T2NSW,FM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3665yt2ynsfj-datasheets-1189.pdf | СК-71 | 1 Вт | 120 В | 800мА | 100на ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6010(Т2МИТУМ,ФМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc6010t2mitumfm-datasheets-1244.pdf | СК-71 | 1 Вт | 600В | 1А | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 75 мА, 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6910TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjaf6910tu-datasheets-1266.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | ТО-3ПФ | 60 Вт | 800В | 10А | 1 мА | НПН | 7 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6806DYDTBTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjaf6806dydtbtu-datasheets-1245.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 50 Вт | 750В | 6А | 1 мА | НПН | 4 @ 4А 5В | 5 В при 1 А, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3668-O,T2CLAF(J | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3668yt2wnlfj-datasheets-1191.pdf | СК-71 | 1 Вт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5172(ЯЗК,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5172yazkqm-datasheets-1246.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 400В | 5А | 20 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1 В при 250 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5171(LBS2MATQ,М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5171qj-datasheets-1207.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 180 В | 2А | 5 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 200 МГц | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД1805Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-std18051-datasheets-0322.pdf | 150 В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТД18 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 60В | ТО-252АА | 60В | 60В | 5А | 150 МГц | 150 В | 7В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 600 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||
| FJAF6815TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjaf6815tu-datasheets-1249.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | ТО-3ПФ | 60 Вт | 750В | 15А | 1 мА | НПН | 5 @ 10 А 5 В | 3 В при 2,5 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF6810DTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjaf6810dydtbtu-datasheets-1236.pdf | 750В | 10А | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,7 мм | 16,7 мм | 5,7 мм | Без свинца | 3 | 6.961991г | 3 | Нет | 60 Вт | FJAF6810 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 10А | 750В | 3В | 750В | 10А | 1,5 кВ | 6В | 5 | 1 мА | НПН | 5 @ 6А 5В | 3 В @ 1,5 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСТ16ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesincorporated-bst16ta-datasheets-1252.pdf | -300В | -500мА | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 51,993025мг | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | БСТ16 | Одинокий | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Ф3 | 15 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -500мА | 1 Вт | 300В | 300В | 2В | 500 мА | 15 МГц | -350В | -4В | 50 мкА | ПНП | 30 @ 50 мА 10 В | 2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ZTX955 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx955-datasheets-5003.pdf | -140 В | -3А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX955 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 110 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -3А | 1,2 Вт | 140 В | 140 В | 140 В | 3А | 110 МГц | -180В | -6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 330 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||
| 2SC5201,T6F(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5201t6murafj-datasheets-1204.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 600В | 50 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 20 мА 5 В | 1 В при 500 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4881(КАНО,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc4881canofm-datasheets-1237.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 50В | 5А | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 1А 1В | 100 МГц | 400 мВ при 125 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4935-Y,Q(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc4935yqj-datasheets-1220.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | 50В | 3А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 80 МГц | 600 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJA3835TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fja3835tu-datasheets-1238.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 80 Вт | 120 В | 8А | 100 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 3А 4В | 30 МГц | 500 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3669-И,Т2ПАСФ(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3669yt2pasfm-datasheets-1221.pdf | СК-71 | 1 Вт | 80В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC3552OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksc3552otu-datasheets-1239.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 150 Вт | 800В | 12А | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 800 мА 5 В | 15 МГц | 2 В при 1,2 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5549,T6F(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5549t6fj-datasheets-1222.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 400В | 1А | 100 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 40 мА 5 В | 1 В при 25 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC3552NTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksc3552otu-datasheets-1239.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 150 Вт | 800В | 12А | 10 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 800 мА 5 В | 15 МГц | 2 В при 1,2 А, 6 А |
