Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC212B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bc212bpbfree-datasheets-5920.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 50В | 200 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6T7TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohm-us6t7tr-datasheets-2447.pdf | -30В | -1,5 А | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | US6T | 6 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 280 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 1 Вт | 30 В | 30 В | 30 В | 1,5 А | 280 МГц | 30 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 100 мА 2 В | 370 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5303DCP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsc5303dcprog-datasheets-5925.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 30 Вт | 400В | 3А | 10 мкА | НПН | 15 @ 1А 5В | 700 мВ при 100 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВТ1418LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nsvt1418lt1g-datasheets-5927.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 420мВт | 160 В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 25 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxtp01500bgqtc-datasheets-5850.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПНП | 3 Вт | 60 МГц | 500В | 150 мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 1 мА 10 В | 60 МГц | 500 мВ при 10 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЖД340-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/diodesincorporated-mjd34013-datasheets-5852.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,8 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | 2 | 12 недель | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 15 Вт | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 100 мкА ИКБО | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЖД350-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-mjd35013-datasheets-5773.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,8 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | 2 | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 15 Вт | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА ИКБО | ПНП | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZTA14 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czta14bkpbfree-datasheets-5860.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 125 МГц | 30 В | 500 мА | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2060(ТЕ12Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-2sa2060te12lf-datasheets-2432.pdf | ТО-243АА | 4 | Нет | 1 Вт | 1 Вт | 1 | 50В | 50В | 2А | 50В | 7В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 300 мА 2 В | 200 мВ при 33 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD32RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd31ct4g-datasheets-7667.pdf | -40В | -3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД32 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 40В | 1,2 В | 40В | 3А | 3 МГц | 40В | 5В | 25 | 50 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 1,2 В @ 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP3C60PSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 13 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 60В | 3А | 100 нА | ПНП | 150 @ 500 мА 2 В | 135 МГц | 360 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX614STZ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx614-datasheets-9406.pdf | 100 В | 800мА | E-Line-3, сформированные лиды | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX614 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800мА | 100 В | 1,25 В | 100 В | 800мА | 120 В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 500мА 5В | 1,25 В при 8 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD13610S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-bd14010stu-datasheets-6711.pdf | -45В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 760,986249мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 15А | е3 | 80В | 1,25 Вт | БД136 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -500мВ | 45В | 1,5 А | 75 МГц | 45В | 5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3107-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph3107tle-datasheets-5826.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 900мВт | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 900мВт | 15 В | -150 мВ | 6А | 15 В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 140 МГц | 150 мВ при 60 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTN3C100PSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 13 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 100 В | 3А | 100 нА | НПН | 150 @ 500 мА 10 В | 140 МГц | 330 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС1К200МЗ4Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-nss1c200mz4t1g-datasheets-0593.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 4 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НСС1C200 | 4 | Одинокий | 1 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 100 В | 100 В | 3А | 120 МГц | 2А | 140 В | 7В | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 220 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД438С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd434s-datasheets-9570.pdf | -45В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 36 Вт | НЕ УКАЗАН | БД438 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -200мВ | 45В | 4А | 3 МГц | -45В | -5В | 40 | 100 мкА | ПНП | 30 @ 10 мА 5 В | 600 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2661T100 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 13 недель | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Ф3 | 360 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2А | 12 В | 90мВ | 12 В | 2А | 360 МГц | 15 В | 6В | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 200 мА 2 В | 180 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTN3C60PSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,49 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 13 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 60В | 3А | 100 нА | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 140 МГц | 270 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSX6TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 30 В | 1,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | QSX | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,5 А | 30 В | 30 В | 140 мВ | 30 В | 1,5 А | 300 МГц | 30 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2DB1386Q-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-2db1386r13-datasheets-4961.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,48 мм | 4 | 13 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2DB1386 | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 20 В | 20 В | 20 В | 5А | 100 МГц | 30 В | 6В | 120 | 500нА ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 1 В при 100 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSV60200SMTWTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-nsv60200smtwtbg-datasheets-5807.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | 10 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,8 Вт | 155 МГц | 60В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 150 @ 100 мА 2 В | 155 МГц | 450 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС60200СМТТБГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | 10 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,8 Вт | 155 МГц | 60В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 150 @ 100 мА 2 В | 155 МГц | 450 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СНСС30201MR6T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 14 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 535 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НСС30201 | 6 | 1 | Другие транзисторы | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 200 мВ | 2А | 300 МГц | 50В | 100 нА | НПН | 300 @ 500 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP3C100PSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 13 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 100 В | 3А | 100 нА | ПНП | 170 @ 500 мА 10 В | 125 МГц | 360 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5302DCP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsc5302dcprog-datasheets-5747.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 25 Вт | 400В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В при 250 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1766T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-2sd1766t100p-datasheets-5734.pdf | 32В | 2А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 | да | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SD1766 | 3 | Одинокий | 10 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32В | 32В | 32В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 0,8 В | 120 | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 3 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1188Т100П | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1188t100q-datasheets-6635.pdf | -32В | -2А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1188 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 32В | 32В | 2А | 100 МГц | 2А | -32В | 5В | 0,8 В | 82 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 82 @ 500 мА 3 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД1766Т100Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-2sd1766t100p-datasheets-5734.pdf | 32В | 2А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 | да | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SD1766 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32В | 32В | 32В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 0,8 В | 82 | 1 мкА ИКБО | НПН | 180 @ 500 мА 3 В | 800 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТБВ42-АП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СТБВ42 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400мВ | 400В | 1А | 9В | 10 | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В @ 250 мА, 750 мА |
