Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH3106-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph3106tle-datasheets-5385.pdf | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 280 МГц | не_совместимо | е6 | 900мВт | 3 | Одинокий | 12 В | 165 мВ | -165мВ | 3А | 15 В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 280 МГц | 165 мВ при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBHV9540XF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/nexperiausainc-pbhv9540xf-datasheets-5388.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 3 | 1,5 Вт | 400В | 500 мА | 100 нА | ПНП | 140 @ 100 мА 5 В | 65 МГц | 400 мВ при 40 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1424T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1424t100r-datasheets-5347.pdf | -20В | -3А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 7 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1424 | 3 | Одинокий | 10 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 240 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -3А | 20 В | 20 В | 500мВ | 3А | 240 МГц | -20В | -6В | 0,5 В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT619TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 165 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt619ta-datasheets-7592.pdf | 50В | 2А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 мм | 1,1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 625 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ619 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 165 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2А | 50В | 150 мВ | 50В | 2А | 165 МГц | 50В | 5В | 100 нА | НПН | 200 @ 1А 2В | 220 мВ при 50 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 320 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 2А | 320 МГц | 2А | 30 В | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 400 мВ при 35 мА, 700 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПК6503(ТЕ85Л,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 2007 год | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 12 недель | 1,6 Вт | 30 В | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 400 @ 150 мА 2 В | 120 мВ при 10 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX6916H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcx6916h6327xtsa1-datasheets-5336.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 3 | Олово | Нет | ПНП | 3 Вт | 3 Вт | 1 | PG-SOT89 | 3 Вт | 20 В | 20 В | 25 В | 1А | 20 В | 1А | 25 В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5962 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5963pbfree-datasheets-5311.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 8 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 45В | 50 мА | 2на ИКБО | НПН | 600 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 200 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1424Т100Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1424t100r-datasheets-5347.pdf | -20В | -3А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1424 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 240 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -3А | 500мВт | 20 В | 20 В | 500мВ | 3А | 240 МГц | -20В | -6В | 0,5 В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 180 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSB772CK C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsb772ckb0g-datasheets-4844.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | ТО-126 | 10 Вт | 30 В | 3А | 1 мкА | ПНП | 100 @ 1А 2В | 80 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1132Т100П | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1132t100q-datasheets-5271.pdf | -32В | -1А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1132 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -1А | 32В | -200мВ | 500мВ | 1А | 150 МГц | 1А | -40В | -5В | 0,5 В | 120 | 500нА ИКБО | ПНП | 82 @ 100 мА 3 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXT651Q-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dxt651q13-datasheets-5364.pdf | ТО-243АА | 3 | 14 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 1 | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 200 МГц | 60В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 2 В | 140 МГц | 600 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1664T100R | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-2sd1664t100q-datasheets-5171.pdf | 32В | 1А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 12 недель | 4 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SD1664 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | 32В | 32В | 32В | 1А | 150 МГц | 40В | 5В | 82 | 500нА ИКБО | НПН | 180 @ 100 мА 3 В | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX6816H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcx6810h6327xtsa1-datasheets-5330.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,6 мм | 2,5 мм | Без свинца | 12 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 3 Вт | Одинокий | 3 Вт | 1 | 20 В | 500мВ | 20 В | 1А | 1А | 25 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV28H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcv48h6327xtsa1-datasheets-5113.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 8 недель | 3 | Олово | ПНП | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 1 Вт | 30 В | 1В | 1В | 500 мА | 200 МГц | 40В | 10 В | 4000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 200 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1132Т100Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/rohmsemiconductor-2sb1132t100q-datasheets-5271.pdf | -32В | -1А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 7 недель | 4 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1132 | 3 | Одинокий | 10 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -1А | 32В | 32В | -200мВ | 32В | 1А | 150 МГц | 40В | -5В | 0,5 В | 82 | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 100 мА 3 В | 30пФ | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС306ПЗ,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pbss306pz135-datasheets-4363.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 12,7 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПБСС306П | 4 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100 В | 100 В | 100 В | 4,1А | 100 МГц | 325 нс | 100 В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 2А 2В | 325 мВ при 410 мА, 4,1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1730TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 360 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | -12В | -2А | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 400мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 2СБ1730 | 3 | Одинокий | 10 | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | 360 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 12 В | 12 В | 12 В | 2А | 360 МГц | 15 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 200 мА 2 В | 180 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5963 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5963pbfree-datasheets-5311.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 30 В | 50 мА | 2на ИКБО | НПН | 1200 @ 10 мА 5 В | 150 МГц | 200 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1213-Y-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microcommercialco-2sa1213ytp-datasheets-5315.pdf&product=microcommercialco-2sa1213ytp-6308585 | ТО-243АА | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 120 МГц | 50В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4033 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-pn4033pbfree-datasheets-5321.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 100 МГц | 80В | 1А | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 400 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZTA92E6433HTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/infineontechnologies-pzta92e6433htma1-datasheets-5325.pdf | -300В | -500мА | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | EAR99 | Нет | 1,5 Вт | ПЗТА92 | 1,5 Вт | 1 | 300В | 300В | 500 мА | 500 мА | 300В | 5В | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX6810H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcx6810h6327xtsa1-datasheets-5330.pdf | ТО-243АА | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 3 Вт | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 20 В | 20 В | 1А | 1А | 25 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6426 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сумка | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n6426pbfree-datasheets-5253.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5086 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5087pbfree-datasheets-6689.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 50В | 50 мА | 50на ИКБО | ПНП | 150 @ 1 мА 5 В | 40 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1664T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/rohmsemiconductor-2sd1664t100q-datasheets-5171.pdf | 32В | 1А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SD1664 | 3 | Одинокий | 10 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | 32В | 32В | 32В | 1А | 150 МГц | 40В | 5В | 0,4 В | 82 | 500нА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 3 В | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДКП68-25-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 330 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dcp6813-datasheets-5447.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 15 недель | 7,994566мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДКП68 | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 330 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 В | 20 В | 500мВ | 20 В | 1А | 330 МГц | 5В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5360PASX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pbss5360pasx-datasheets-5261.pdf | 3-УДФН Открытая площадка | 8 недель | ПНП | 600мВт | DFN2020D-3 | 600мВт | 60В | 60В | 450 мВ | 3А | 60В | 3А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 2А 5В | 120 МГц | 450 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4520Х,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pbss4520x146-datasheets-5138.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 4 недели | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ПЛОСКИЙ | ПБСС4520 | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Р-ПССО-Ф3 | 125 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 550 мВт | 20 В | 20 В | 20 В | 5А | 125 МГц | 20 В | 5В | 100 нА | НПН | 250 @ 2А 2В | 220 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1132T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-2sb1132t100q-datasheets-5271.pdf | -32В | -1А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СБ1132 | 3 | Одинокий | 10 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -1А | 32В | 32В | 32В | 1А | 150 МГц | 40В | -5В | 0,5 В | 82 | 500нА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 3 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
