Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSB710-RT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-msb710rt1g-datasheets-2489.pdf | -50В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | -600мВ | 600мВ | 500 мА | -50В | 7В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 150 мА 10 В | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW63RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw63-datasheets-9375.pdf | -30В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | 3 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW63 | 3 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | -500мА | 30В | 1,5 В | 30В | 500 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW55G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw56rlrag-datasheets-0831.pdf | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW55 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | -500мВ | 60В | 500 мА | 50 МГц | 60В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW45RLREG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mpsw45a-datasheets-9403.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 8541.29.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW45 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | 1,5 В | 1А | 100 МГц | 50В | 12 В | 25000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 25000 при 200 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 2 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD42WT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-msd42wt1g-datasheets-1096.pdf | 300В | 150 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МСД42 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 500мВ | 500мВ | 150 мА | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD1328-ST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-msd1328st1g-datasheets-2500.pdf | 20 В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 20 В | 400мВ | 20 В | 500 мА | 25 В | 12 В | 300 | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 20 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB1218A-RT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-msb1218art1g-datasheets-0319.pdf | -45В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 мВт | 45В | 500мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 45В | 7В | 210 | 100 мкА | ПНП | 210 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSA1162YT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-msa1162gt1g-datasheets-5755.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | МСА1162 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 80 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 500мВ | 500мВ | 100 мА | 80 МГц | 100 мА | 60В | 7В | 120 | 100 нА | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB92T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | -300В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 150°С | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 мВт | 300В | 500мВ | 150 мА | 50 МГц | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJD2873RL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-njd2873rl-datasheets-2507.pdf | 50В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NJD2873 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 300мВ | 300мВ | 2А | 65 МГц | 50В | 5В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW55RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mpsw56rlrag-datasheets-0831.pdf | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | 8541.29.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW55 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -60В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC2712YT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-msc2712gt1g-datasheets-8339.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МСК2712 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 500мВ | 500мВ | 100 мА | 50 МГц | 60В | 7В | 120 | 100 нА | НПН | 120 @ 2 мА 6 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW55RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW55 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 50 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -60В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW55 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | Содержит свинец | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW55 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -60В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW45RLRE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsw45a-datasheets-9403.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW45 | 3 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | 1,5 В | 1А | 100 МГц | 50В | 12 В | 25000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 25000 при 200 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 2 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92ZL1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | MPSA92 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -200В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW51ARLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw51a-datasheets-9417.pdf | -40В | -1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW51A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 40В | -700мВ | 40В | 1А | 50 МГц | 50В | -5В | 55 | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW42G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsw42rlra-datasheets-9589.pdf | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW42 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 600В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSW45AZL1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsw45a-datasheets-9403.pdf | 50В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW45A | 3 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 50В | 1,5 В | 1А | 100 МГц | 50В | 12 В | 4000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 25000 при 200 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 2 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW06G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw05-datasheets-9419.pdf | 80В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 6,35 мм | 6,35 мм | 12,7 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW06 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 400мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 80 | 500нА | НПН | 60 @ 250 мА 1 В | 400 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSA93RLRM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -200В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | MPSA93 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 200В | -500мВ | 400мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 400 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW01ARLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsw01a-datasheets-9379.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW01A | 3 | Одинокий | 30 | 10мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 500мВ | 500мВ | 1А | 50 МГц | 50В | 5В | 55 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW01ARLRP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsw01a-datasheets-9379.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Содержит свинец | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 240 | MPSW01A | 3 | Одинокий | 30 | 10мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 500мВ | 500мВ | 1А | 50 МГц | 50В | 5В | 55 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW01ARLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsw01a-datasheets-9379.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW01A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 500мВ | 40В | 1А | 50 МГц | 50В | 5В | 55 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA93RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -200В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA93 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 200В | -500мВ | 400мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 400 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA06G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa06-datasheets-2055.pdf | 80В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,1816 мм | 5,334 мм | 4,191 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA06 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 250 мВ | 80В | 500 мА | 100 МГц | 80В | 4В | 100 | 100 нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MPSA44G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsa44rlra-datasheets-9604.pdf | 400В | 300 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,1816 мм | 5,334 мм | 4,191 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | MPSA44 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 750 мВ | 400В | 300 мА | 20 МГц | 500В | 6В | 40 | 500нА | НПН | 50 @ 10 мА 10 В | 750 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA64RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsa64g-datasheets-6861.pdf | -30В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA64 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -500мА | 30В | 1,5 В | 30В | 500 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | 50 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa92rlra-datasheets-9566.pdf | -300В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 200,998119мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | Нет | 50 МГц | 500 мА | ПНП | 300В | 625 МВт | MPSA92 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 50 МГц | 625 МВт | 300В | 300В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 300В | 500 мА | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA43RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa42-datasheets-6567.pdf | 200В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA43 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 200В | 500мВ | 200В | 500 мА | 50 МГц | 200В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 25 @ 1 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА |
