Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 817-16 до нашей эры E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bc817k25e6327htsa1-datasheets-0938.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,33 Вт | 330мВт | 170 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 170 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ131 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tip131g-datasheets-2644.pdf | 80В | 8А | ТО-220-3 | Содержит свинец | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | НПН | 2 Вт | Одинокий | 70 Вт | ТО-220АБ | 8А | 2 Вт | 80В | 3В | 8А | 80В | 8А | 80В | 5В | 500 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 3 В при 30 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСХ 54-16 Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/infineontechnologies-bcx5416e6327-datasheets-2896.pdf | ТО-243АА | 3 | EAR99 | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BCX54 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5401 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-2n5401rlra-datasheets-9523.pdf | -150 В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Содержит свинец | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | 300 МГц | ПНП | 625 МВт | 2Н5401 | Одинокий | 625 МВт | ТО-92-3 | 400 МГц | 625 МВт | 150 В | 500мВ | 500мВ | 600 мА | 150 В | 600 мА | -160 В | 5В | 60 | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6523 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-mps6523-datasheets-2805.pdf | -25В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | ПНП | 625 МВт | MPS6523 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 25 В | 500мВ | 25 В | 100 мА | 25 В | 100 мА | 45В | 4В | 300 | 50на ИКБО | ПНП | 300 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП 54-16 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp54e6327htsa1-datasheets-1680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP54 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,5 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-tip107tu-datasheets-0970.pdf | 60В | 8А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 2 Вт | 240 | СОВЕТ10* | 3 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 8А | 60В | ТО-220АБ | 60В | 2В | 60В | 8А | 60В | 5В | 200 | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD242C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bd241cg-datasheets-7381.pdf | -100В | -3А | ТО-220-3 | Без свинца | 1,8 г | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | ПНП | 40 Вт | БД242 | Одинокий | 40 Вт | 1 | ТО-220АБ | 3 МГц | 40 Вт | 100 В | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 100 В | 3А | -100В | -5В | 25 | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5400 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-2n5400d75z-datasheets-5930.pdf | -120 В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | ПНП | 625 МВт | 2Н5400 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 400 МГц | 625 МВт | 120 В | 120 В | -500мВ | 500мВ | 600 мА | 120 В | 600 мА | -160 В | 5В | 30 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 10 мА 5 В | 400 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСКТ3904LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsct3904lt1g-datasheets-2520.pdf | 40В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Нет | 225 МВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 225 МВт | 40В | 300мВ | 200 мА | 40В | 200 мА | 60В | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД678 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bd676g-datasheets-9457.pdf | -60В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Содержит свинец | 3 | ПНП | 40 Вт | БД678 | Одинокий | 40 Вт | ТО-225АА | 4А | 40 Вт | 60В | 2,5 В | 4А | 60В | 4А | 60В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ132G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip131g-datasheets-2644.pdf | 100 В | 8А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 2 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 8А | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 100 В | 5В | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 3 В при 30 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA27 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-pzta27-datasheets-9361.pdf | 60В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 201мг | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | MPSA27 | 3 | Одинокий | 30 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 60В | 60В | 1,5 В | 60В | 500 мА | 125 МГц | 60В | 10 В | 10000 | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЗТ2907АТ3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | -60В | -600мА | ТО-261-4, ТО-261АА | Содержит свинец | 4 | 4 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | PZT2907A | 4 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | -1,6 В | 1,6 В | 600 мА | 200 МГц | 600 мА | 100 нс | -60В | 5В | 75 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 807-25 Э6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bc80825e6433-datasheets-1544.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC807 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 0,33 Вт | 330мВт | 200 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 846Б E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bc847ae6327htsa1-datasheets-2887.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC846 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,33 Вт | 330мВт | 250 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ116 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tip110g-datasheets-7131.pdf | -80В | -2А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | ПНП | 2 Вт | СОВЕТ11* | Одинокий | 2 Вт | 1 | ТО-220АБ | 2А | 2 Вт | 80В | 80В | 2,5 В | 80В | 2А | 80В | 2А | 80В | 5В | 2мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222ARLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2222arlra-datasheets-9618.pdf | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | PN2222A | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 807-40 Э6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bc80825e6433-datasheets-1544.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC807 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 330мВт | 200 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ42Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 3 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tip42ctu-datasheets-6920.pdf | -80В | -6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | ПНП | 2 Вт | СОВЕТ42 | Одинокий | 2 Вт | 1 | ТО-220АБ | 3 МГц | 2 Вт | 80В | 80В | 1,5 В | 80В | 6А | 80В | 6А | 80В | 5В | 30 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ111 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tip112tu-datasheets-0930.pdf | 80В | 2А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 день назад) | Нет | НПН | 2 Вт | СОВЕТ11* | Одинокий | 2 Вт | 1 | ТО-220АБ | 2А | 2 Вт | 80В | 80В | 2,5 В | 80В | 2А | 80В | 2А | 80В | 5В | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСКТ2222АЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsct2222alt3g-datasheets-2529.pdf | 40В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Нет | 225 МВт | СОТ-23-3 (ТО-236) | 225 МВт | 40В | 1В | 600 мА | 40В | 600 мА | 75В | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД242Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 3 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd241cg-datasheets-7381.pdf | -80В | -3А | ТО-220-3 | Без свинца | 1,8 г | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | ПНП | 40 Вт | БД242 | Одинокий | 40 Вт | 1 | ТО-220АБ | 3 МГц | 40 Вт | 80В | 80В | 1,2 В | 80В | 3А | 80В | 3А | -80В | -5В | 25 | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC182B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc182bd26z-datasheets-6551.pdf | 50В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 200мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 5 дней назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 350 мВт | НИЖНИЙ | 240 | BC182 | 3 | Одинокий | 30 | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 200 мВ | 50В | 100 мА | 200 МГц | 60В | 6В | 40 | 15на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| БД244Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bd244a-datasheets-1816.pdf | -80В | -6А | ТО-220-3 | Без свинца | 1,8 г | Олово | ПНП | 65 Вт | БД244 | Одинокий | 65 Вт | 1 | ТО-220АБ | 3 МГц | 65 Вт | 80В | 80В | 1,5 В | 80В | 6А | 80В | 6А | -80В | -5В | 15 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,5 В при 1 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSA1162YT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-msa1162gt1g-datasheets-5755.pdf | -50В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МСА1162 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 80 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 500мВ | 50В | 100 мА | 80 МГц | 60В | 7В | 120 | 100нА | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 300 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc547b-datasheets-2104.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 200мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 6 дней назад) | 300 МГц | НПН | 500мВт | BC548 | Одинокий | 500мВт | 1 | ТО-92-3 | 300 МГц | 625 МВт | 30В | 30В | 250 мВ | 30В | 100 мА | 30В | 100 мА | 30В | 5В | 110 | 15нА | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P2N2907AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-p2n2907arl1g-datasheets-2603.pdf | -60В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | P2N2907 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -60В | 60В | -1,6 В | 1,6 В | 600 мА | 200 МГц | 50 нс | -60В | 5В | 75 | 10нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC549C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 300 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 200мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | Медь, Серебро, Олово | НПН | 625 МВт | BC549 | Одинокий | 500мВт | 1 | ТО-92-3 | 250 МГц | 625 МВт | 30В | 30В | 250 мВ | 30В | 100 мА | 30В | 100 мА | 30В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ423 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf423zl1g-datasheets-4432.pdf | -250В | -50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 830мВт | НИЖНИЙ | 240 | БФ423 | 3 | Одинокий | 30 | 830мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 60 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | -500мВ | 500мВ | 500 мА | 60 МГц | 500 мА | -250В | 5В | 50 | 10на ИКБО | ПНП | 50 при 25 мА 20 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА |
