Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБТ3904SL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbt3904sl-datasheets-3148.pdf | СОТ-923Ф | 850 мкм | 380 мкм | 650 мкм | Без свинца | 3 | 7 недель | 22мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 17 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 227мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ММБТ3904 | Одинокий | 227мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP1943OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-fjp1943rtu-datasheets-9933.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 1,8 г | да | 80 Вт | Одинокий | 80 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 230В | 3В | 15А | 30 МГц | -230В | -5В | 55 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW83C-TO218 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bdw83c-datasheets-9305.pdf | ТО-218-3, ТО-218АС | 130 Вт | БДВ83 | ТО-218 | 130 Вт | 100 В | 4В | 15А | 100 В | 15А | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 6А 3В | 4 В при 150 мА, 15 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX956STOA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-ztx956stz-datasheets-3486.pdf | -200В | -2А | E-Line-3, сформированные лиды | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX956 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | 110 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 1,58 Вт | 200В | 200В | 200В | 2А | 110 МГц | -220В | -6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 250 мВ при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ642Д2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bul642d2g-datasheets-9612.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННАЯ ЭФФЕКТИВНАЯ СЕТЬ ПРОТИВОНАСЫЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | 75 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 13 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | ТО-220АБ | 440В | 1,5 В | 1,5 В | 3А | 13 МГц | 3А | 825В | 11В | 16 | 200 мкА | НПН | 16 @ 500 мА 1 В | 1,5 В @ 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС12600CF8T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-nss12600cf8t1g-datasheets-3120.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 830мВт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 265 | 8 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 12 В | -140мВ | 170 мВ | 5А | 100 МГц | 5А | 590 нс | 350 нс | -12В | 7В | 250 | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 1А 2В | 170 мВ при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5242RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-2sc5242rtu-datasheets-3122.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,401 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 130 Вт | 2SC5242 | Одинокий | 130 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 В | 250 В | 17А | 30 МГц | 250 В | 5В | 55 | 5 мкА ИКБО | НПН | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC5949 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc5949-datasheets-9586.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 220 Вт | 2СТК | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 25 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 В | 250 В | 17А | 25 МГц | 17А | 250 В | 6В | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT3M322TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 190 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxt3m322ta-datasheets-3100.pdf | -12В | -4А | 3-PowerSMD, плоские выводы | 2 мм | 1 мм | 2 мм | Без свинца | 3 | 322 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXT3M322 | 5 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | С-ПДСО-Ф3 | 190 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 40В | 40В | -240мВ | 370 мВ | 3А | 190 МГц | -50В | 7,5 В | 25нА | ПНП | 60 @ 1,5 А 2 В | 370 мВ при 250 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP5200RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-lm7918ct-datasheets-7491.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 1,8 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80 Вт | ТО-220АБ | 250 В | 250 В | 17А | 30 МГц | 250 В | 5В | 55 | 5 мкА ИКБО | НПН | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП52-16 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bcp5216-datasheets-3141.pdf | -60В | -1А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP52 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 60В | 1А | 50 МГц | 60В | 5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST93003 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st93003-datasheets-3147.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 40 Вт | СТ93 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400В | 400В | 1,5 А | 500В | 10 В | 10 | 1 мА | ПНП | 16 @ 350 мА 5 В | 500 мВ при 100 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD0968АРЛ | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sd0968a0l-datasheets-0556.pdf | ТО-243АА | 1 Вт | 2SD0968 | МиниП3-Ф1 | 1 Вт | 120 В | 120 В | 600мВ | 500 мА | 120 В | 500 мА | НПН | 130 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 600 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STW1693 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stw1693-datasheets-9597.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 60 Вт | 2STW | 3 | Одинокий | 60 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | 6А | 20 МГц | 6А | 100 В | 6В | 50 | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 2А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА92 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mmbta92-datasheets-9600.pdf | -300В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,3 мм | 1,75 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ | 3 | Одинокий | 30 | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| СТН724 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stf724-datasheets-8442.pdf | 30В | 3А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТН724 | 4 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30В | 30В | 1,1 В | 30В | 3А | 100 МГц | 60В | 5В | 30 | 100 мкА | НПН | 100 @ 100 мА 2 В | 1,1 В @ 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СА1381ФСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksa1381estu-datasheets-8275.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 2SA1381 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 7 Вт | 150 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 10 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТН817А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stf817a-datasheets-1638.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,8 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТН817 | 4 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1,5 А | 50 МГц | 80В | 5В | 140 | 1 мА | ПНП | 30 @ 1А 2В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3503ДСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sc3503dstu-datasheets-3164.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 2SC3503 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 7 Вт | 150 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP5200OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-lm7918ct-datasheets-7491.pdf | ТО-220-3 | 1,8 г | да | 80 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | 30 МГц | 80 Вт | 250 В | 3В | 17А | 250 В | 5В | 55 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД435 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd438-datasheets-7127.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 36 Вт | БД435 | 3 | Одинокий | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32В | 200 мВ | 32В | 4А | 3 МГц | 32В | 5В | 40 | 100 мкА | НПН | 40 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛАМПОЧКА7216T4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul7216-datasheets-3394.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 80 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | ЛАМПОЧКА721 | 4 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 700В | 700В | 3А | 12 В | 7 | 100 мкА | НПН | 4 @ 2А 5В | 3 В @ 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX817A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx817a-datasheets-3066.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,95 мм | 4,95 мм | 3,94 мм | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 900мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | STX817 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 500мВ | 80В | 1,5 А | 50 МГц | 80В | 5В | 140 | 1 мА | ПНП | 25 @ 1А 2В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1203ЕФП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1203efp-datasheets-9557.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 36 Вт | НЕ УКАЗАН | БУЛ1203 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 550В | 550В | 5А | 1,2 кВ | 9В | 10 | 100 мкА | НПН | 9 @ 2А 5В | 1,5 В при 1 А, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STW4466 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 20 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stw4466-datasheets-3072.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 60 Вт | 2STW | 3 | Одинокий | 60 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-247АД | 80В | 80В | 6А | 20 МГц | 100 В | 6В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 2А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc557czl1-datasheets-7933.pdf&product=onsemiconductor-bc557c-6325519 | -45В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Содержит свинец | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | ПНП | 625 МВт | BC557 | Одинокий | ТО-92-3 | 100 МГц | 625 МВт | 45В | -300мВ | 650 мВ | 100 мА | 45В | 100 мА | -50В | 5В | 420 | 100нА | ПНП | 420 @ 2 мА 5 В | 320 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STW1695 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stw1695-datasheets-3075.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 100 Вт | НЕ УКАЗАН | 2STW | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 20 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 140 В | 140 В | 10А | 20 МГц | 10А | 140 В | 6В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 70 @ 3А 4В | 700 мВ при 700 мА, 7 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ДД2150Р-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-2dd2150r13-datasheets-2989.pdf | ТО-243АА | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2ДД2150 | 4 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 1 Вт | 160 МГц | 20 В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 100 мА 2 В | 160 МГц | 500 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX53-16-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcx5313-datasheets-5519.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,48 мм | 4 | 14 недель | 51,993025мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DCX53 | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | -1В | 80В | 1А | 200 МГц | 100 В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СА1381ЧГТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ksa1381estu-datasheets-8275.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | 761 мг | 7 Вт | 2SA1381 | Одинокий | 7 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 300В | 300В | 100 мА | 150 МГц | -300В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 10 мА 10 В | 600 мВ при 2 мА, 20 мА |
