Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Контактное покрытие | Код JESD-609 | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC5030FRTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-3П-3 Полный пакет | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 1 | 800В | 800В | 6А | 1,1 кВ | 7В | 10 | 10 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 600 мА 5 В | 2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||
| BC546_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC546 | ТО-92-3 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC547 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS3702_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt3702-datasheets-9062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS3702 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 800мА | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| D44C8 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-d44c8-datasheets-3414.pdf | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 6 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Олово | е3 | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 1 | 60В | 100 В | 60В | 4А | 20 | 10 мкА | НПН | 20 @ 2А 1В | 40 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||
| BC558_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC558 | ТО-92-3 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX79_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bcx79-datasheets-7949.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 10нА | ПНП | 80 @ 10 мА 1 В | 600 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д44Х10ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-lm7918ct-datasheets-7491.pdf | ТО-220-3 | 3 | НПН | Д44Х | ТО-220-3 | 80В | 8А | 80В | 8А | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33725_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC337 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА42_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta42-datasheets-1282.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА42 | СОТ-23-3 | 240мВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC369_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc369d27z-datasheets-5991.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC369 | ТО-92-3 | 625 МВт | 20 В | 1,5 А | 10 мкА ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 45 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC557 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА56_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta56-datasheets-1162.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА56 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 200 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC63916_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc635d75z-datasheets-6043.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC639 | ТО-92-3 | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR50_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bsr50d74z-datasheets-6083.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 45В | 1,5 А | 50на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 1,6 В при 4 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC550 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC214L_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc214ll34z-datasheets-6550.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC214 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | ПНП | 140 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc635d75z-datasheets-6043.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC635 | ТО-92-3 | 1 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА92_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta92-datasheets-1140.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА92 | СОТ-23-3 | 350мВт | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbt3904-datasheets-1082.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТ3904 | 350мВт | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА06_L98Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa06d26z-datasheets-0969.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА06 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC308C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC308 | ТО-92-3 | 500мВт | 25В | 100 мА | 15нА | ПНП | 380 при 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC308A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC308 | ТО-92-3 | 500мВт | 25В | 100 мА | 15нА | ПНП | 120 @ 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC546 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC558B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC558 | ТО-92-3 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC549B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC549 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJD3076TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjd3076tf-datasheets-3384.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | FJD3076 | Д-Пак | 1 Вт | 32В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 130 @ 500 мА 3 В | 100 МГц | 800 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC214_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc214-datasheets-8000.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC214 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | ПНП | 140 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3640_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt3640-datasheets-7032.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТ3640 | СОТ-23-3 | 225 МВт | 12 В | 200 мА | 10нА | ПНП | 30 @ 10 мА 300 мВ | 500 МГц | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC213_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC213 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | ПНП | 80 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА |
