Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA14_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa14d74z-datasheets-3487.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA14 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 1,2А | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6514_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6514 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJE3303H2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fje3303tu-datasheets-1868.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | FJE3303 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 Вт | 4 МГц | 400В | 1,5 А | 10 мкА ИКБО | НПН | 14 @ 500 мА 2 В | 4 МГц | 3 В при 500 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6515_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6515-datasheets-1245.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6515 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA05_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA05 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS8098_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps8098-datasheets-2636.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS8098 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 1 мА 5 В | 150 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6531_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6531-datasheets-9079.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6531 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 90 @ 100 мА 1 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW94CF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bdw94cf-datasheets-3478.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | БДВ94 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 Вт | ТО-220АБ | 100 В | 12А | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6531_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6531-datasheets-9079.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6531 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 90 @ 100 мА 1 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6521_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6521-datasheets-9350.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6521 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 100 мА | 50на ИКБО | НПН | 300 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2n3906bu-datasheets-0389.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТ3906 | СОТ-23-3 | 350мВт | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC556B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC556 | ТО-92-3 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC549_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC549 | ТО-92-3 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA05_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA05 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ112ГТМ_SB82051 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksh112tf-datasheets-9856.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | КШ112 | Д-Пак | 1,75 Вт | 100 В | 2А | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC557 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD31CTF_NBDD001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mjd31citu-datasheets-9661.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МЖД31 | Д-Пак | 1,56 Вт | 100 В | 3А | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6515_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6515-datasheets-1245.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6515 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC559B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC559 | ТО-92-3 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА06_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa06d26z-datasheets-0969.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА06 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa64-datasheets-9347.pdf | -30В | -1,2 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | ПНП | 625 МВт | MPSA63 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | -500мА | 625 МВт | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 1,2А | 30 В | 500 мА | -30В | -10В | 10000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| FJP5554 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjp5554tu-datasheets-1921.pdf | ТО-220-3 | 3 | 1,8 г | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 70 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 4А | 1,05 кВ | 15 В | 20 | 250 мкА | НПН | 20 @ 800 мА 3 В | 1,5 В при 1 А, 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD32CTF_NBDD002 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mjd32ctf-datasheets-2203.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МЖД32 | Д-Пак | 1,56 Вт | 100 В | 3А | 50 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6523_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6523-datasheets-2805.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6523 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 500 мА | 50на ИКБО | ПНП | 300 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6513_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6513-datasheets-9065.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 90 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC237A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC237 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6514_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6514 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6515_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6515-datasheets-1245.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6515 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC546 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА06_L98Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa06d26z-datasheets-0969.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА06 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА |
