Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA29_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa29d26z-datasheets-8592.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA29 | ТО-92-3 | 625 МВт | 100 В | 800мА | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД1005-У-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sd1005utp-datasheets-3511.pdf | ТО-243АА | EAR99 | совместимый | 260 | 10 | 500мВт | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 160 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa18-datasheets-2951.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA18 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 100 мА | 50на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116-О-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4116grtp-datasheets-3500.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 80 МГц | 60В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 @ 1 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA12_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa12-datasheets-2640.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA12 | ТО-92-3 | 625 МВт | 20 В | 1,2А | 100нА | NPN – Дарлингтон | 20000 при 10 мА 5 В | 1 В @ 10 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4215-О-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4215otp-datasheets-3515.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 550 МГц | 30 В | 20 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 @ 1 мА 6 В | 550 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA06_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mpsa06d26z-datasheets-0969.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA06 | ТО-92-3 | 625 МВт | 80В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4672-К-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4672qtp-datasheets-3517.pdf | ТО-243АА | 3 | да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 500мВт | 210 МГц | 50В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 210 МГц | 350 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6534_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6534-datasheets-9177.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | 1 | 40В | 300мВ | 40В | 800мА | 40В | 4В | 90 | 50на ИКБО | ПНП | 90 @ 100 мА 1 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6562_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6562-datasheets-9254.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6562 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 1А | 100нА | ПНП | 50 @ 500 мА 1 В | 60 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC337_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC337 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS8098_D81Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps8098-datasheets-2636.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS8098 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 1 мА 5 В | 150 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4081-C-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4081ctp-datasheets-3498.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,2 Вт | 200мВт | 180 МГц | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 1 мА 6 В | 180 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116-GR-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4116grtp-datasheets-3500.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 80 МГц | 60В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 1 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116-БЛ-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-2sc4116grtp-datasheets-3500.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,1 Вт | 100мВт | 80 МГц | 60В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 350 @ 1 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA29_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa29d26z-datasheets-8592.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA29 | ТО-92-3 | 625 МВт | 100 В | 800мА | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСБ6714 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3-ССОТ | 30 В | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6513_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6513-datasheets-9065.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 90 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6514_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6514 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa18-datasheets-2951.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA18 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 100 мА | 50на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA05_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | MPSA05 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS651_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps651d26z-datasheets-3485.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | МПС651 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 100на ИКБО | НПН | 75 @ 500 мА 2 В | 75 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS3703_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps3703-datasheets-9176.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 800мА | 100на ИКБО | ПНП | 30 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC640_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc640tf-datasheets-5593.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC640 | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДКП69А-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcp69a1613-datasheets-5118.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | 4 | 14 недель | 7,994566мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДКП69А | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 20 В | 20 В | 20 В | 1А | 250 МГц | 25В | 5В | 50 | 100на ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||
| MPSA14_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa14d74z-datasheets-3487.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA14 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 1,2А | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6514_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6514 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJE3303H2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fje3303tu-datasheets-1868.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | FJE3303 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 Вт | 4 МГц | 400В | 1,5 А | 10 мкА ИКБО | НПН | 14 @ 500 мА 2 В | 4 МГц | 3 В при 500 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6515_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mps6515-datasheets-1245.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS6515 | 625 МВт | 25В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA05_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa05ra-datasheets-2341.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA05 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА |
