Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC184LC_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc184lcl34z-datasheets-7886.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC184 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 200 мА | 15на ИКБО | НПН | 130 @ 100 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC307B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC307 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | ПНП | 180 @ 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC547 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC548 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32725_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | Нет | 625 МВт | BC327 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 100 МГц | 45В | 45В | 800мА | 5В | 160 | 100нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC237B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC237 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛОК741-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 3 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 30 Вт | 225 | BULD741 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | 400В | 400В | 2,5 А | 15 В | 48 | 250 мкА | НПН | 25 @ 450 мА 3 В | 1,5 В при 600 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 500мВт | BC548 | Одинокий | 500мВт | 1 | 300 МГц | 30 В | 30 В | 100 мА | 30 В | 5В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc212d26z-datasheets-5940.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC212 | ТО-92-3 | 625 МВт | 50В | 300 мА | 15на ИКБО | ПНП | 60 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC238_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC238 | ТО-92-3 | 500мВт | 25В | 100 мА | 15нА | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZX5T955GTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/diodesincorporated-zx5t955gta-datasheets-3419.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | 4 | 12 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZX5T955 | 4 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 140 В | 140 В | 4А | 120 МГц | 180 В | 7В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 360 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||
| BC516_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC516 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 1А | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 30000 при 20 мА 2 В | 200 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212L_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc212l-datasheets-6052.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC212 | ТО-92-3 | 625 МВт | 50В | 300 мА | 15на ИКБО | ПНП | 60 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC237_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC237 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC327 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC182L_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc182l-datasheets-5949.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC182 | ТО-92-3 | 350мВт | 50В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC307_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC307 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | ПНП | 120 @ 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДКП53-16-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dcp5313-datasheets-5433.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 24 недели | 7,994566мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДКП53 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | 1 Вт | 80В | 80В | -500мВ | 500 мВ | 1А | 200 МГц | -100В | -5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||
| BC368_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc368d74z-datasheets-5973.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC368 | ТО-92-3 | 625 МВт | 20 В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 45 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc212bd26z-datasheets-7918.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC212 | ТО-92-3 | 350мВт | 50В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 60 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC338_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC338 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25В | 800мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC183LC_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc183-datasheets-5947.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC183 | ТО-92-3 | 350мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 40 @ 10 мкА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33716_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC337 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC182_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc182d74z-datasheets-5954.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC182 | ТО-92-3 | 350мВт | 50В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32825_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | Медь, Серебро, Олово | 625 МВт | BC328 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 100 МГц | 25В | 25В | 800мА | 5В | 160 | 100нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc184-datasheets-5942.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC184 | ТО-92-3 | 350мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 130 @ 100 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2185ГРЛ | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd2185grl-datasheets-3282.pdf | ТО-243АА | 1 Вт | 2SD2185 | МиниП3-Ф2 | 1 Вт | 50В | 50В | 300мВ | 3А | 50В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 200 мА 2 В | 120 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc184c-datasheets-7902.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC184 | 350мВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 250 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC308_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC308 | ТО-92-3 | 500мВт | 25В | 100 мА | 15нА | ПНП | 120 @ 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184L_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc184l-datasheets-5955.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC184 | ТО-92-3 | 350мВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | НПН | 130 @ 100 мА 5 В | 150 МГц | 250 мВ при 5 мА, 100 мА |
