Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Масса | Количество контактов | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPS3702_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt3702-datasheets-9062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS3702 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC560_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC560 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC327 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC636_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc636ta-datasheets-6010.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC636 | ТО-92-3 | 1 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC560C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC560 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC559_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC559 | ТО-92-3 | 500мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC558C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC558 | 500мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC556_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC556 | ТО-92-3 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ112ГТМ_НБ82051 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksh112tf-datasheets-9856.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | КШ112 | Д-Пак | 1,75 Вт | 100 В | 2А | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC637_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc635d75z-datasheets-6043.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC637 | ТО-92-3 | 1 Вт | 60В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC308C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC308 | ТО-92-3 | 500мВт | 25 В | 100 мА | 15нА | ПНП | 380 при 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC308A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC308 | ТО-92-3 | 500мВт | 25 В | 100 мА | 15нА | ПНП | 120 при 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC546 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC558B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC558 | ТО-92-3 | 500мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC238A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC238 | ТО-92-3 | 500мВт | 25 В | 100 мА | 15нА | НПН | 120 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC547 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 420 @ 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184LC_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc184lcl34z-datasheets-7886.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC184 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30В | 200 мА | 15на ИКБО | НПН | 130 @ 100 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC307B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc307btfr-datasheets-5977.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC307 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | ПНП | 180 @ 2 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC547 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC548 | 500мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32725_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | Нет | 625 МВт | BC327 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 100 МГц | 45В | 45В | 800мА | 5В | 160 | 100 нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| BC237B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC237 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛОК741-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 3 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 30 Вт | 225 | BULD741 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | 400В | 400В | 2,5 А | 15 В | 48 | 250 мкА | НПН | 25 @ 450 мА 3 В | 1,5 В при 600 мА, 2 А | |||||||||||||||
| BC548C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 500мВт | BC548 | Одинокий | 500мВт | 1 | 300 МГц | 30В | 30В | 100 мА | 30В | 5В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 @ 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||
| BC328_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC328 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32716_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC327 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC183_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc183-datasheets-5947.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC183 | ТО-92-3 | 350 мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 40 @ 10 мкА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC548 | 500мВт | 30В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3503ЧСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2sc3503dstu-datasheets-3164.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | 761 мг | 3 | 7 Вт | 2SC3503 | Одинокий | 7 Вт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 300В | 100 мА | 150 МГц | 300В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 10 В | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||
| BC550B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC550 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА |
