Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD239C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd239c-datasheets-1653.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | БД239 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100В | 700мВ | 100В | 2А | 115В | 5В | 0,7 В | 40 | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJVMJD127T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mjd122t4g-datasheets-8118.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 22 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 20 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 20 Вт | 100В | 4В | 8А | 4 МГц | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПЗТА42Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pzta42t1g-datasheets-8493.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПЗТА42 | 4 | 1 | Другие транзисторы | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 300В | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 300В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД136-16 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД136 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 500мВ | 45В | 1,5 А | 75 МГц | 45В | 5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД13516СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bd13516stu-datasheets-1680.pdf | 45В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8,3 мм | 11,2 мм | 3,45 мм | Без свинца | 3 | 22 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,25 Вт | БД135 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 500мВ | 45В | 1,5 А | 250 МГц | 45В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД13510СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bd137g-datasheets-6857.pdf | 45В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8,3 мм | 11,2 мм | 3,45 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД135 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 500мВ | 45В | 1,5 А | 50 МГц | 45В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД13610СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd14010stu-datasheets-6711.pdf | -45В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 1,25 Вт | НЕ УКАЗАН | БД136 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 400В | 45В | -500мВ | 45В | 1,5 А | 75 МГц | -45В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД436СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd434s-datasheets-9570.pdf | -32В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 760,986249мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 4А | е3 | 32В | 36 Вт | БД436 | Одинокий | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 32В | 32В | 4А | 3 МГц | 32В | 5В | 40 | 100 мкА | ПНП | 40 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД135-16 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД135 | 3 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 500мВ | 45В | 1,5 А | 250 МГц | 45В | 5В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2126-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2126h-datasheets-1718.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 5 недель | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 800мВт | 2SA2126 | 3 | 800мВт | 50В | 50В | 3А | 50В | -6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 390 МГц | 520 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД13910СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bd13716s-datasheets-6751.pdf | 80В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8,3 мм | 11,2 мм | 3,45 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 1,25 Вт | НЕ УКАЗАН | БД139 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 500мВ | 80В | 1,5 А | 250 МГц | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD200RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd200rlg-datasheets-1569.pdf | 25 В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД200 | 3 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 В | 25 В | 1,8 В | 25 В | 5А | 65 МГц | 40В | 8В | 70 | 100на ИКБО | НПН | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3212-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 330 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-cph3212tle-datasheets-1460.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 900мВт | 3 | Одинокий | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | НПН | 50В | 150 мВ | 150 мВ | 5А | 5А | 100В | 6В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 150 мВ при 40 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP07040CFGQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dxtp07040cfgq7-datasheets-1603.pdf | 8-PowerVDFN | 13 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 40В | 3А | 20на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP5820CFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 3-УДФН Открытая площадка | 15 недель | 690мВт | 20 В | 6А | 100нА | ПНП | 200 @ 1А 2В | 140 МГц | 350 мВ при 300 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR562F3TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 3-УДФН Открытая площадка | 3 | 20 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 270 МГц | 30 В | 6А | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 270 МГц | 220 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВПЗТА92Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-pzta92t1g-datasheets-8753.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 300В | 500мВ | 500 мА | 300В | 250 нА | ПНП | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCP1103-TD-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-pcp1103tdh-datasheets-1346.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 МГц | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1,3 Вт | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 3,5 Вт | 30 В | -375мВ | 30 В | 1,5 А | 450 МГц | 30 В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 450 МГц | 375 мВ при 15 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTN07100BFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dxtn07100bfg7-datasheets-1428.pdf | 8-PowerVDFN | 15 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 100В | 2А | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 2 В | 175 МГц | 400 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP3C60PS-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dxtp3c60ps13-datasheets-1483.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5 Вт | 60В | 3А | 100нА | ПНП | 150 @ 500 мА 2 В | 360 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTP58100CFDB-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 3-УДФН Открытая площадка | 15 недель | 690мВт | 100В | 2А | 100нА | ПНП | 160 @ 500 мА 2 В | 135 МГц | 185 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QST2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | QST | 6 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 12 В | 12 В | 6А | 250 МГц | 6А | 15 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 60 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВ1С200МЗ4Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nss1c200mz4t1g-datasheets-0593.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 4 недели | 188,014037мг | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 100В | -220мВ | 220 мВ | 2А | 120 МГц | 2А | -140В | -7В | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 220 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС40501UW3T2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nss40501uw3t2g-datasheets-1573.pdf | 3-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | НСС40501 | 3 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 875мВт | 40В | 40В | 150 мВ | 40В | 5А | 150 МГц | 40В | 6В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2А 2В | 150 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NJVMJD243T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-njvmjd243t4g-datasheets-1565.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 1,4 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD243 | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,4 Вт | 100В | 600мВ | 4А | 40 МГц | 100В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 200 мА 1 В | 40 МГц | 600 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЖД112Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd117t4-datasheets-0819.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 8 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD112 | 3 | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 20 Вт | 20 Вт | 100В | 2А | 20 Вт | 3 В | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DXTN07025BFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dxtn07025bfg7-datasheets-1431.pdf | 8-PowerVDFN | 15 недель | 900мВт | 25 В | 3А | 20на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 2В | 240 МГц | 400 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП43БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksp42bu-datasheets-1927.pdf | 200В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 179 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП43 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200В | 500мВ | 200В | 500 мА | 50 МГц | 200В | 6В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40HR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6135,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3-СМД, плоский вывод | 12 недель | 500мВт | 50В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 400 @ 100 мА 2 В | 120 мВ при 6 мА, 300 мА |
