Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC806-25WX | Нексперия США Инк. | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-70 | 4 недели | 500мВт | 80В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 155 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ5551,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbt5551235-datasheets-0420.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBT5551 | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 160 В | 160 В | 300 мА | 100 МГц | 180 В | 6В | 0,2 В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD42T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-msd42t1g-datasheets-0380.pdf | 300В | 150 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МСД42 | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 300В | 150 мА | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4117-GR,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 100мВт | 120 В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2 мА 6 В | 100 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2907А-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/comchiptechnology-mmbt2907ag-datasheets-0477.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 10 недель | 1,437803г | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -600мА | 250мВт | 60В | 1,6 В | 600 мА | 200 МГц | 600 мА | 285 нс | 35 нс | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ5551,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbt5551235-datasheets-0420.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBT5551 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 160 В | 300 мА | 0,2 В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBTA14LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbta13lt3g-datasheets-2331.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ММБТА14 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 225 МВт | 30В | 1,5 В | 30В | 300 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-25HZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB92AWT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-msb92wt1g-datasheets-0361.pdf | -300В | -500мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MSB92W | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 120 | 250 на ИКБО | ПНП | 120 @ 1 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40HZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-25HR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB1218A-RT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-msb1218art1g-datasheets-0319.pdf | -45В | -100 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 500мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 45В | 7В | 210 | 100 мкА | ПНП | 210 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-bc846bwtp-datasheets-0404.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 100 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-25HVL | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП55ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksp55ta-datasheets-0556.pdf | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 16 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП55 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | -250мВ | 60В | 500 мА | 50 МГц | -60В | -4В | 50 | 100 нА | ПНП | 50 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC549BTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc550cbu-datasheets-0684.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC549 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30В | 30В | 250 мВ | 30В | 100 мА | 300 МГц | 30В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX100NS-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dcx100ns7-datasheets-9222.pdf | СОТ-563 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 50 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН, ПНП | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 250 МГц | 30 | 33 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4240ZF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pbss4240zf-datasheets-9213.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 650мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ПБСС4240 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 650мВт | 40В | 40В | 550 мВ | 2А | 150 МГц | 100 нА | НПН | 300 @ 1 мА 5 В | 150 МГц | 550 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPSA92-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stpsa92-datasheets-8842.pdf | -300В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СТПСА92 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300В | 500мВ | 500 мА | 50 МГц | 500 мА | -300В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMNT3906E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmnt3906etrpbfree-datasheets-8699.pdf | СОТ-953 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,25 Вт | 250мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-16HVL | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2484LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt2484lt1g-datasheets-0623.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ2484 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 650 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 225 МВт | 60В | 350 мВ | 60В | 100 мА | 60В | 6В | 250 | 10на ИКБО | НПН | 250 @ 1 мА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB92T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-msb92t1g-datasheets-0324.pdf | -300В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 300В | 300В | 150 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC806-16WX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-70 | 4 недели | 500мВт | 80В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 155 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC816-16WX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40HVL | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80716hvl-datasheets-0244.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 320мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/comchiptechnology-mmbt3906hf-datasheets-0300.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | 300мВт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 250 МГц | ПНП | -200мА | 40В | -300мВ | 300мВ | 200 мА | 250 МГц | 200 мА | -40В | -5В | 100 мкА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2712-OTE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 11 недель | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.21.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 мВт | 80 МГц | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2413КТ146П | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 25 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC2413 | 3 | Одинокий | 10 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 мА | 25 В | 25 В | 100 мВ | 25 В | 50 мА | 300 МГц | 40В | 5В | 82 | 500нА ИКБО | НПН | 82 @ 1 мА 6 В | 2,2 пФ | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSB92WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-msb92wt1g-datasheets-0361.pdf | -300В | -500мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MSB92W | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 120 @ 1 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА |
