Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2169-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-2sc6017tle-datasheets-1765.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 950 МВт | 3 | Одинокий | 950 МВт | 1 | 130 МГц | 50В | -290мВ | -580мВ | 10А | 50В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 1А 2В | 580 мВ при 250 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD112 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd112tr13-datasheets-1037.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 20 Вт | 1,75 Вт | 25 МГц | 100 В | 2А | 20 Вт | 3 В | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 100пФ | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6017-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc6017tle-datasheets-1765.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 950 МВт | 3 | Одинокий | 200 МГц | КРЕМНИЙ | 50В | 180 мВ | 360 мВ | 10А | 10А | 100 В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 1А 2В | 360 мВ при 250 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4027T-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1 Вт | 2SC4027 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | -6В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6095-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2sc6095tde-datasheets-0690.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | 1 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3,5 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 350 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,3 Вт | 80В | 100 мВ | 80В | 2,5 А | 350 МГц | 2,5 А | 120 В | 6,5 В | 300 | 1 мкА ИКБО | НПН | 300 @ 100 мА 5 В | 150 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1801S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sd1801se-datasheets-9434.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | 150 МГц | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2SD1801 | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 150 мВ | 50В | 2А | 150 МГц | 2А | 60В | 6В | 140 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 2 В | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHPT60606PYX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-phpt60606pyx-datasheets-0715.pdf | СК-100, СОТ-669 | 4 | 8 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 1,35 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,35 Вт | 60В | МО-235 | 60В | 525 мВ | 6А | 110 МГц | 100нА | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 110 МГц | 525 мВ при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1204T-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-2sb1204ttle-datasheets-0936.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 5,5 мм | 2,3 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | 130 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1 Вт | 2СБ1204 | 3 | Одинокий | Другие транзисторы | ПНП | 50В | -550мВ | -500мВ | 8А | 60В | -6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 130 МГц | 500 мВ при 200 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1834TLR | РОМ Полупроводник | 1,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-2sa1834tlr-datasheets-0968.pdf | -20В | -10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 63 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SA1834 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -10А | 1 Вт | 20 В | 20 В | -160мВ | 250 мВ | 10А | 150 МГц | -30В | -6В | 82 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 180 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 50 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1412TLR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sb1412tlr-datasheets-0971.pdf | -20В | -5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1412 | 3 | Одинокий | 10 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -5А | 20 В | 20 В | 350 мВ | 20 В | 5А | 120 МГц | 30 В | -6В | 82 | 500нА ИКБО | ПНП | 180 @ 500 мА 2 В | 1 В при 100 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1802T-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sd1802ttle-datasheets-0775.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | 150 МГц | не_совместимо | е6 | ДА | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 2SD1802 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 150 МГц | НПН | 50В | 190 мкВ | 50В | 3А | 3А | 60В | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1124Т-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2sd1624ttde-datasheets-6745.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 2СБ1124 | 3 | Одинокий | 500мВт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 50В | -700мВ | 50В | 3А | 150 МГц | -60В | -6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 700 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1202T-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sd1802ttle-datasheets-0775.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 2СБ1202 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | ПНП | 50В | -700мкВ | 50В | 3А | -60В | -6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 700 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1708TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | -30В | -3А | СК-96 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 100 МГц | 8541.21.00.75 | е1 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2СБ1708 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -3А | 30 В | 30 В | -180мВ | 30 В | 3А | 200 МГц | -30В | -6В | 270 | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 200 мА 2 В | 250 мВ при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 33 115 БСП | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bsp33115-datasheets-0849.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСП33 | 4 | 30 | 1,3 Вт | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПНП | 100 МГц | 80В | 1А | 650 нс | 500 нс | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 20пФ | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1802S-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1802ttle-datasheets-0775.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1 Вт | 2SD1802 | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | НПН | 50В | 50В | 190 мкВ | 50В | 3А | 60В | 6В | 140 | 1 мкА ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2701TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-2sd2701tl-datasheets-0661.pdf | 12 В | 2А | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 770 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 800мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 2SD2701 | 3 | Одинокий | 10 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2А | 12 В | 12 В | 140 мВ | 12 В | 2А | 300 МГц | 15 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PBHV9414ZX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pbhv9414zx-datasheets-0459.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | Нет | 650мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 650мВт | 140 В | 140 В | 550 мВ | 4А | 180 В | 100нА | ПНП | 100 @ 10 мА 5 В | 550 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС303НД,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 140 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pbss303nd115-datasheets-0589.pdf | СК-74, СОТ-457 | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПБСС303Н | 6 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 140 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,1 Вт | 60В | 60В | 60В | 3А | 140 МГц | 1А | 60В | 5В | 100нА | НПН | 345 @ 500 мА 2 В | 515 мВ при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1620-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sd1620tde-datasheets-0645.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1,3 Вт | ПЛОСКИЙ | 3 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 500мВт | 10 В | 10 В | 400мВ | 10 В | 3А | 200 МГц | 30 В | 6В | 100на ИКБО | НПН | 140 @ 3А 2В | 200 МГц | 400 мВ при 60 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1417T-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1417ttde-datasheets-0673.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 120 МГц | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 500мВт | 3 | Одинокий | 120 МГц | 100 В | 100 В | -220мВ | 100 В | 2А | -120 В | -6В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 400 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1624S-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1624ttde-datasheets-6745.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 150 МГц | 8541.21.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 2SD1624 | 3 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 500мВ | 50В | 3А | 150 МГц | 60В | 6В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 500 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJVMJD47T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-njvmjd47t4g-datasheets-0699.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,22 мм | 2,38 мм | 6,73 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD47 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,56 Вт | 250 В | 1В | 250 В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 10 МГц | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3140-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-cph3240tle-datasheets-5243.pdf | СК-96 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е6 | 900мВт | 3 | 900мВт | 1 | 100 В | 100 В | 1А | 1А | 120 В | 6В | 100на ИКБО | ПНП | 140 @ 100 мА 5 В | 600 мВ при 40 мА, 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP720МАТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 190 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-zxtp720mata-datasheets-0517.pdf | 3-УДФН | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTP720 | 3 | Одинокий | 40 | 2,45 Вт | 1 | Другие транзисторы | 190 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 3 Вт | 40В | 40В | 40В | 3А | 190 МГц | 50В | -7,5 В | 25нА | ПНП | 60 @ 1,5 А 2 В | 370 мВ при 250 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС305ПЗ,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nexperiausainc-pbss305pz135-datasheets-0727.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 12,7 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПБСС305П | 4 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 80В | 4,5 А | 100 МГц | 285 нс | 80В | 5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 2А 2В | 450 мВ при 225 мА, 4,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД2444КТ146Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 15 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 100 МГц | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SD2444 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 15 В | 15 В | 300мВ | 15 В | 1А | 200 МГц | 15 В | 6В | 180 | 500нА ИКБО | НПН | 180 @ 50 мА 2 В | 300 мВ при 20 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3215-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-cph3215tle-datasheets-0340.pdf | СК-96 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 900мВт | 3 | Одинокий | 500 МГц | 30 В | 150 мВ | 225 мВ | 1,5 А | 1,5 А | 40В | 5В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 225 мВ при 15 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 660 новозеландских долларов | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 75 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-nzt660a-datasheets-5893.pdf | -60В | -3А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,7 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 17 недель | 188 мг | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 660 новозеландских долларов | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПНП | 60В | 60В | 550 мВ | 60В | 3А | 75 МГц | -80В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 2 В | 550 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС5240Y,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbss5240y135-datasheets-0463.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 4 недели | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 430мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBSS5240 | 6 | Одинокий | 40 | 430мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | 40В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 210 @ 1А 2В | 350 мВ при 200 мА, 2 А |
