Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МЖД122-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd1221-datasheets-9724.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 8 недель | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 20 Вт | 260 | MJD122 | 3 | Одинокий | 30 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 100 В | 5В | 100 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В при 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ58Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul58d-datasheets-9729.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 85 Вт | БУЛ58 | 3 | Одинокий | 85 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | ТО-220АБ | 450В | 2В | 450В | 8А | 800В | 9В | 2 В | 5 | 200 мкА | НПН | 5 @ 5А 5В | 2 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5883G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2n5886g-datasheets-8588.pdf | -60В | 25А | ТО-204АА, ТО-3 | 31,75 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N5883 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1В | 60В | 25А | 4 МГц | 60В | 5В | 20 | 2мА | ПНП | 20 @ 10 А 4 В | 4 В при 6,25 А, 25 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2СТ31А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2st31a-datasheets-9736.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | е3 | 40 Вт | НЕ УКАЗАН | 2СТ31 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40 Вт | ТО-220АБ | 60В | 60В | 3А | 60В | 5В | 150 | 300 мкА | НПН | 100 @ 20 мА 4 В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5603DTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksc5603dtu-datasheets-9739.pdf | 800В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | 5 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 800В | 500мВ | 800В | 3А | 11 МГц | 1,6 кВ | 12 В | 20 | 100 мкА | НПН | 20 @ 400 мА 3 В | 2,5 В при 200 мкА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1803S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2sb1203ttle-datasheets-9227.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 2SD1803 | 3 | 1 Вт | 1 | 180 МГц | 5А | 50В | 50В | 5А | 60В | 6В | 55 | 1 мкА ИКБО | НПН | 140 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD441G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd435g-datasheets-9332.pdf | 80В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 36 Вт | 260 | БД441 | 3 | Одинокий | 40 | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 800мВ | 80В | 4А | 3 МГц | 80В | 5В | 15 | 100 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 500 мА 1 В | 800 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6667G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n6667g-datasheets-9682.pdf | -60В | -10А | ТО-220-3 | 10,53 мм | 15,75 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 2 Вт | 260 | 2N6667 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 10А | ТО-220АБ | 60В | 2В | 60В | 10А | 60В | 5В | 1000 | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| BDW94C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bdw94c-datasheets-9687.pdf | -100В | -12А | ТО-220-3 | 10,1 мм | 9,4 мм | 4,7 мм | Без свинца | 8 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | Нет | ПНП | 80 Вт | БДВ94 | Одинокий | 80 Вт | 1 | ТО-220-3 | 80 Вт | 100 В | 2В | 100 В | 12А | 100 В | 12А | -100В | 2,5 В | 1000 | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД237Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-bd237g-datasheets-9696.pdf | 80В | 2А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 25 Вт | 260 | БД237 | 3 | Одинокий | 40 | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 600мВ | 80В | 2А | 3 МГц | 100 В | 5В | 40 | 100 мкА ИКБО | НПН | 25 @ 1А 2В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3565 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-pn3565pbfree-datasheets-9700.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 25 В | 50 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 1 мА 10 В | 240 МГц | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6288G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6107g-datasheets-7186.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2 недели | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 260 | 2N6288 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 16 Вт | 40 Вт | ТО-220АБ | 4 МГц | 30 В | 7А | 1 мА | НПН | 30 @ 3А 4В | 4 МГц | 3,5 В при 3 А, 7 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЖВМЖД44Х11Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 85 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd44h11t4g-datasheets-8027.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD44H11 | 3 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 85 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 8А | 80В | 1В | 80В | 8А | 85 МГц | 5В | 1 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ413ТД | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt413td-datasheets-9712.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ413 | 3 | Одинокий | 40 | 330мВт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 150 мВ | 50В | 100 мА | 150 МГц | 150 В | 6В | 100на ИКБО | NPN — лавинный режим | 50 @ 10 мА 10 В | 150 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| MD2001FX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md2001fx-datasheets-9715.pdf | ISOWATT218FX | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | 58 Вт | МД2001 | 3 | Одинокий | 58 Вт | 1 | Другие транзисторы | 64 кГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 700В | 1,8 В | 700В | 12А | 9В | 9В | 4,5 | 200 мкА | НПН | 4,5 @ 6А 5В | 1,8 В при 1,5 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX718 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx718-datasheets-9644.pdf | -20В | -2,5 А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | ZTX718 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -2,5 А | ТО-92 | 20 В | -190мВ | 20 В | 2,5 А | 180 МГц | 20 В | -5В | 100нА | ПНП | 150 @ 2А 2В | 260 мВ при 200 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| БУКС87 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 20 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bux87-datasheets-9649.pdf | 450В | 500 мА | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 40 Вт | БУКС87 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | 1В | 450В | 500 мА | 20 МГц | 1кВ | 5В | 1 В | 12 | 100 мкА | НПН | 12 @ 40 мА 5 В | 1 В при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX657 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx657-datasheets-9657.pdf | 300В | 500 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX657 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 500 мА | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 30 МГц | 300В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БЦВ31 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bcw31215-datasheets-8864.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ31 | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32В | 32В | 32В | 100 мА | 100 МГц | 32В | 5В | 110 | 100на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 210 мВ при 2,5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSE44H11 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kse44h11-datasheets-9667.pdf | 80В | 10А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,67 Вт | ТО-220АБ | 80В | 1В | 80В | 10А | 50 МГц | 80В | 5В | 1 В | 60 | 10 мкА | НПН | 60 @ 2А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip29c-datasheets-7221.pdf | 100 В | 1А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 9.071847г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | СОВЕТ29 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 60В | 700мВ | 60В | 1А | 3 МГц | 60В | 5В | 0,7 В | 15 | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD42C1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd42ct4g-datasheets-1000.pdf | -100В | -6А | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 1,75 Вт | 260 | МЖД42 | 4 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100 В | 100 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 50 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1815S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/onsemiconductor-2sd1815se-datasheets-9592.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е6 | НЕТ | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 2SD1815 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 100 В | 400мВ | 3А | 3А | 120 В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 5 В | 400 мВ при 150 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1201S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1801se-datasheets-9434.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 2СБ1201 | 3 | 800мВт | 50В | 50В | 2А | 60В | -6В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 140 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 700 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ115 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip112-datasheets-7569.pdf | -60В | -2А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 2 Вт | СОВЕТ115 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 60В | 2А | 60В | 5В | 1000 | 2мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD682T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bd676g-datasheets-9457.pdf | -100В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | 40 Вт | 240 | BD682 | 3 | Одинокий | 30 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 4А | 100 В | 100 В | 4А | 10 МГц | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX601 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx601b-datasheets-7216.pdf | 160 В | 1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX601 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 1А | 160 В | 1,1 В | 160 В | 1А | 250 МГц | 180 В | 10 В | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 250 МГц | 1,2 В при 10 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1552S-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | 2SA1552 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | 6В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX692B | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx692b-datasheets-9619.pdf | 70В | 1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX692B | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 70В | 500мВ | 70В | 1А | 150 МГц | 70В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 400 @ 500 мА 2 В | 500 мВ при 10 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| BD682 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd677-datasheets-2135.pdf | -100В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | 40 Вт | BD682 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4А | 100 В | 100 В | 2,5 В | 100 В | 4А | 10 МГц | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А |
