Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СС8550ДБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ss8550cbu-datasheets-1027.pdf | -25В | -1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8550 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25В | -280мВ | 25В | 1,5 А | 200 МГц | -40В | -6В | 85 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ655ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt655ta-datasheets-1387.pdf | 150 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Олово | Нет | 1А | е3 | 150 В | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ655 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 150 В | 150 В | 180 мВ | 150 В | 1А | 30 МГц | 150 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 500 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| МЖД122Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd122t4-datasheets-1451.pdf | 100В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 1,799996г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НПН | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD122 | 3 | Одинокий | 30 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 2В | 100В | 8А | 100В | 5В | 4 В | 100 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ657ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt657ta-datasheets-1416.pdf | 300В | 500 мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ657 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500 мА | 300В | 300В | 500мВ | 300В | 500 мА | 30 МГц | 300В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| НСС1C301ET4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-nss1c301et4g-datasheets-1196.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,39037мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 100В | 100В | 115 мВ | 100В | 3А | 120 МГц | 140 В | 6В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1А 2В | 250 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd44h11t4g-datasheets-8027.pdf | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD45H11 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 90 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 1В | 80В | 8А | 90 МГц | 5В | 5В | 60 | 1 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||
| ZXTP19060CFFTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtp19060cffta-datasheets-1320.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 48,789529мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTP19060C | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -4А | 1,5 Вт | 60В | 60В | 75мВ | 60В | 4А | 180 МГц | 524,2 нс | 60В | -7В | 50на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 270 мВ при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||
| PN2907ABU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2907abu-datasheets-1335.pdf | -60В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,7 мм | 4,7 мм | 3,93 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2907A | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 400мВ | 60В | 800мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT1053AKTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 140 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-zxt1053aktc-datasheets-1033.pdf | 75В | 5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT1053AK | 3 | Одинокий | 40 | 4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 140 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 75В | 75В | 460 мВ | 75В | 5А | 140 МГц | 150 В | 7В | 10нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 460 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2SC4672T100Q | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/rohmsemiconductor-2sc4672t100q-datasheets-1209.pdf | 50В | 3А | ТО-243АА | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 4 | да | Медь, Олово | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2SC4672 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 210 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 50В | 3А | 210 МГц | 2А | 60В | 6В | 0,35 В | 82 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ491ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt491ta-datasheets-1220.pdf | 60В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 13 недель | 7,994566мг | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ491 | Одинокий | 30 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 60В | 60В | 160 мВ | 60В | 1А | 150 МГц | 80В | 5В | 100 нА | НПН | 100 @ 500 мА 5 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| MJD47T4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd47t4-datasheets-1165.pdf | 250В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD47 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250В | ТО-252АА | 250В | 1В | 250В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 1 В | 30 | 100 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||
| PBSS4041NX,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pbss4041nx115-datasheets-1155.pdf | ТО-243АА | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ПЛОСКИЙ | PBSS4041N | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 150°С | 150°С | Р-ПССО-Ф3 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 150 мВ | 60В | 6,2А | 130 МГц | 60В | 5В | 75 | 100 нА | НПН | 150 @ 4А 2В | 210 мВ при 300 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD2955T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mjd2955t4g-datasheets-1122.pdf | -60В | -10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD2955 | 3 | Одинокий | 40 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПССО-Г2 | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 20 | 50 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 8 В @ 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||
| MJD253T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd253t4g-datasheets-1247.pdf | -100В | -4А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД253 | 3 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 100В | 100В | 600мВ | 100В | 4А | 40 МГц | 100В | 7В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 200 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2SA2016-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2016tde-datasheets-1177.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | 9 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 3,5 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1,3 Вт | 1 | 330 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 3,5 Вт | 50В | 50В | 240 мВ | 50В | 7А | 290 МГц | 50В | 6В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 40 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT13P40DE6TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 115 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-zxt13p40de6ta-datasheets-1189.pdf | -40В | -3А | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 14,996898мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT13P40D | 6 | Одинокий | 40 | 1,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | 115 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 1,1 Вт | 40В | 40В | -175мВ | 40В | 3А | 115 МГц | 40В | 7,5 В | 100 нА | ПНП | 300 @ 1А 2В | 240 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4401БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n4401bu-datasheets-1267.pdf&product=onsemiconductor-2n4401bu-6272044 | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н4401 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 250 МГц | 255 нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5551БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n5551bu-datasheets-1279.pdf | 160 В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2N5551 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 200 мВ | 160 В | 600 мА | 100 МГц | 180 В | 6В | 80 | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SS8050CBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ss8050cbu-datasheets-1294.pdf | 25В | 1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8050 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25В | 500мВ | 25В | 1,5 А | 190 МГц | 40В | 6В | 85 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ649ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 240 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt649ta-datasheets-1114.pdf | 25В | 3А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | 4 | нет | EAR99 | Олово | 3А | не_совместимо | е3 | 25В | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ649 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 240 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 25В | 25В | 400мВ | 25В | 3А | 240 МГц | 35В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 2В | 600 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||
| PN2907BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-pn2907bu-datasheets-0970.pdf | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 179 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 1 МГц | е3 | ИНН | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | PN2907 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 1,6 В | 40В | 800мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD42CT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mjd42ct4g-datasheets-1000.pdf | -100В | -6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 10 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD42 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100В | 100В | 1,5 В | 100В | 6А | 3 МГц | 100В | 5В | 30 | 50 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ7053ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-fzt7053ta-datasheets-0930.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | нет | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 6,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ7053 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 А | 1,25 Вт | 100В | 100В | 1,5 В | 100В | 1,5 А | 200 МГц | 100В | 12 В | 10000 | 200нА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 5В | 200 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| FCX705TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fcx705ta-datasheets-0984.pdf | -120 В | -1А | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX705 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -1А | 1 Вт | 120 В | 120 В | 1,3 В | 120 В | 1А | 160 МГц | 140 В | 10 В | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 3000 @ 1А 5В | 160 МГц | 2,5 В при 2 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||
| SS8550CBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ss8550cbu-datasheets-1027.pdf | -25В | -1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8550 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25В | -280мВ | 25В | 1,5 А | 200 МГц | -40В | -6В | 85 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD44E3T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd44e3t4g-datasheets-1038.pdf | 80В | 10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD44 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 1,5 В | 80В | 10А | 7В | 1000 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 5В | 2 В @ 20 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4403БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n4403tar-datasheets-4158.pdf | -40В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н4403 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДЖТ350Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmjt350t1g-datasheets-0988.pdf | -300В | -500мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 2 недели | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,75 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММДЖТ350 | 4 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 650мВт | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 3 МГц | 300В | 5В | 30 | 100на ИКБО | ПНП | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КСП2222АБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП2222 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 45В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА |
