Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МЖД340Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd340t4-datasheets-0634.pdf | 300В | 500 мА | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД34 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА ИКБО | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС1К200МЗ4Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-nss1c200mz4t1g-datasheets-0593.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 7 недель | Неизвестный | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НСС1C200 | 4 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 100В | 100В | 100В | 3А | 120 МГц | 2А | 140 В | 7В | 150 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 2 В | 220 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBHV9560ZX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pbhv9560zx-datasheets-0434.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 4 | Олово | 650мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 650мВт | 600В | 600В | 250 мВ | 500 мА | 38 МГц | 600В | 6В | 100 нА | ПНП | 70 @ 50 мА 10 В | 38 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT722TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt722ta-datasheets-0347.pdf | -70В | -1,5 А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 625 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ722 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1,5 А | 70В | 70В | -175мВ | 70В | 1,5 А | 200 МГц | 70В | 5В | 100 нА | ПНП | 300 @ 100 мА 5 В | 260 мВ при 200 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| MJD112RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd112rlg-datasheets-0450.pdf | 100В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD112 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2А | 100В | 100В | 2В | 100В | 2А | 25 МГц | 100В | 5В | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| MJD32CT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd32ct4-datasheets-8871.pdf | -100В | -3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД32 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100В | ТО-252АА | 100В | -1,2 В | 100В | 3А | 100В | 5В | 20 | 50 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FCX790ATA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fcx790ata-datasheets-0502.pdf | -40В | -2А | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX790A | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Р-ПССО-Ф3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 40В | 40В | -450мВ | 40В | 2А | 100 МГц | 50В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 450 мВ при 50 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtn25100dzta-datasheets-0514.pdf | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,46 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | ZXTN25100D | 3 | Одинокий | 40 | 4,46 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 175 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2,4 Вт | 100В | 100В | 100В | 2,5 А | 175 МГц | 180 В | 7В | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 10 мА 2 В | 345 мВ при 250 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DXT5551P5-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dxt5551p513-datasheets-9870.pdf | PowerDI™ 5 | Без свинца | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | ПауэрДИ-5 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,25 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DXT5551 | 4 | Одинокий | 40 | 2,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Ф3 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 600 мА | 160 В | 160 В | 200 мВ | 160 В | 600 мА | 130 МГц | 180 В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4403WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbt4403wt1g-datasheets-9806.pdf | -40В | -600мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ4403 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | -750мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | 40В | 5В | 30 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546ABU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 6 недель | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC546 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 500мВт | 300 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547CBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC547 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3906БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n3906bu-datasheets-0389.pdf&product=onsemiconductor-2n3906bu-6271870 | -40В | -200мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н3906 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | -400мВ | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ624ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 155 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-fmmt624tc-datasheets-9994.pdf | 125 В | 1А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 625 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ624 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 155 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 125 В | 125 В | 165 мВ | 125 В | 1А | 155 МГц | 125 В | 5В | 100 нА | НПН | 300 @ 200 мА 10 В | 250 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||
| FCX591TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-fcx591ta-datasheets-0187.pdf | -60В | -1А | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX591 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Р-ПССО-Ф3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | 60В | 60В | -600мВ | 60В | 1А | 150 МГц | 80В | 5В | 100 нА | ПНП | 100 @ 500 мА 5 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| СТН2580 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stn2580-datasheets-0336.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 8 недель | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | 1,6 Вт | СТН25 | Одинокий | 1,6 Вт | 400В | 400В | 1В | 1В | 1А | 800В | 9В | 60 | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 250 мА 5 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJD2873T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-njd2873t4g-datasheets-0282.pdf | 50В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NJD2873 | 3 | Одинокий | 40 | 1,68 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 2А | 65 МГц | 50В | 5В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| CZT955 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czt955trpbfree-datasheets-0296.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 3 Вт | 3 Вт | 140 В | 4А | 20нА | ПНП | 100 @ 1А 5В | 200 МГц | 360 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD340T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd340t4g-datasheets-0305.pdf | 300В | 500 мА | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД340 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300В | 300В | 1В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | 10 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||
| PBHV2160ZX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pbhv2160zx-datasheets-0291.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | МЭК-60134 | 650мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 650мВт | 600В | 600В | 125 мВ | 100 мА | 100 нА | НПН | 70 @ 10 мА 10 В | 125 мВ при 6 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТА14ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzta14ta-datasheets-0286.pdf | 30 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,8 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТА14 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | 150°С | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1А | 30 В | 30 В | 1,6 В | 30 В | 1А | 170 МГц | 30 В | 10 В | 5000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 170 МГц | 1,6 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||
| MJD31T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd31ct4g-datasheets-7667.pdf | 40В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД31 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 40В | 40В | 1,2 В | 40В | 3А | 3 МГц | 40В | 5В | 25 | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2СТФ2360 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stf2360-datasheets-0040.pdf | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,4 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СТФ23 | 3 | Одинокий | 30 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -300мВ | -60В | -3А | 130 МГц | 3А | -60В | -6В | 160 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 1А 2В | 500 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| FCX555TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fcx555ta-datasheets-0343.pdf | -180В | -700мА | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX555 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2,1 Вт | 180 В | 180 В | -400мВ | 400мВ | 700 мА | 100 МГц | -180В | -7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 400 мВ при 25 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ634ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt634ta-datasheets-0331.pdf | 100В | 900 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НПН | 625 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ634 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | 900 мА | 100В | 115 В | 850 мВ | 100В | 900 мА | 120 В | 12 В | 100 нА | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 140 МГц | 960 мВ при 5 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3906-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-2n3906g-datasheets-0366.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 10 недель | НИЖНИЙ | Одинокий | 1 | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | -400мВ | 400мВ | 200 мА | 250 МГц | 300 нс | 70нс | -40В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 30 @ 100 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD31CRLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd31ct4g-datasheets-7667.pdf | 100В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД31 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 100В | 100В | 1,2 В | 100В | 3А | 3 МГц | 100В | 5В | 25 | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP08400BFFTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtp08400bffta-datasheets-0374.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 48,789529мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXTP08400B | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 70 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -200мА | 1,5 Вт | 400В | 400В | -140мВ | 400В | 200 мА | 70 МГц | 400В | -7В | 100 | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 50 мА 5 В | 190 мВ при 40 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| НЗТ902 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 75 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nzt902-datasheets-0178.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | 24 недели | 188 мг | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЗТ902 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 90В | 90В | 600мВ | 90В | 3А | 75 МГц | 90В | 5В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 80 @ 1А 2В | 600 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN620МАТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/diodesincorporated-zxtn620mata-datasheets-0277.pdf | 3-УДФН | 2,08 мм | 580 мкм | 2,075 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,45 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTN620MA | 3 | Одинокий | 40 | 2,45 Вт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3,5 А | 3 Вт | 80В | 80В | 340 мВ | 80В | 3,8А | 160 МГц | 100В | 7В | 25нА | НПН | 300 @ 200 мА 2 В | 325 мВ при 300 мА, 3,5 А |
