Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXYH50N120C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyh50n120c3-datasheets-0597.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | EAR99 | 750 Вт | 3 | Одинокий | 625 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 28 нс | 133 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 750 Вт | ТО-247АД | 1,2 кВ | 2,5 В | 82 нс | 1,2 кВ | 100А | 1200В | 372 нс | 600 В, 50 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,5 В @ 15 В, 50 А | 142 НК | 240А | 28 нс/133 нс | 3 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGX120N60B3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgx120n60b3-datasheets-0600.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | НЕ УКАЗАН | ИКГ*120Н60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 1,5 В | 123 нс | 1,8 В | 280А | 520 нс | 480 В, 100 А, 2 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 1,8 В @ 15 В, 100 А | ПТ | 465 НК | 600А | 40 нс/227 нс | 2,9 мДж (вкл.), 3,5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH35U-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH42UD-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH50UED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBF9N160G | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixbf9n160g-datasheets-0567.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 3 | 32 недели | 3 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 70 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 70 Вт | 1,6 кВ | 4,9 В | 140 нс | 1,6 кВ | 7А | 1600В | 120 нс | 960 В, 5 А, 27 Ом, 10 В | 7В @ 15В, 5А | 34 НК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH50UEF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4607DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgb4607dpbf-datasheets-9759.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 260,39037мг | Нет СВВК | 3 | EAR99 | неизвестный | 58 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 58 Вт | 48 нс | 600В | 1,75 В | 51 нс | 2,05 В | 11А | 95 нс | 400 В, 4 А, 100 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 4 А | 9нК | 12А | 27 нс/120 нс | 140 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH75UEF-R | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600В, 100А, 5Ом, 15В | 2 В @ 15 В, 100 А | 770 НК | 120 нс/890 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFGHL75T65SQDT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-afghl75t65sqdt-datasheets-0573.pdf | ТО-247-3 Вариант | 20 недель | да | 375 Вт | 75нс | 650В | 80А | 400 В, 75 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 136 НК | 300А | 24 нс/106 нс | 2,12 мДж (вкл.), 1,14 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH106K10F | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600В, 110А, 1Ом, 15В | 2 В @ 15 В, 110 А | 700 НК | 80 нс/380 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGT30N120B3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixgt30n120b3d1-datasheets-0574.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | Без свинца | 2 | 26 недель | 4,500005г | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 300 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*30N120 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 нс | 1,2 кВ | 3,5 В | 56 нс | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 471 нс | 960 В, 30 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,5 В при 15 В, 30 А | ПТ | 87нК | 150А | 16 нс/127 нс | 3,47 мДж (вкл.), 2,16 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||
| IRG7CH75K10EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | 175°С | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1200В | 30 В | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXA37IF1200HJ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixa37if1200hj-datasheets-0576.pdf | ISOPLUS247™ | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 3 | 28 недель | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 195 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 195 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 350 нс | 1,2 кВ | 2,1 В | 110 нс | 1,2 кВ | 58А | 1200В | 350 нс | 600 В, 35 А, 27 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 35 А | ПТ | 106 НК | 3,8 мДж (вкл.), 4,1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ30М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf30m65df2-datasheets-0527.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТГФ30 | НЕ УКАЗАН | 38 Вт | 140 нс | 650В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 80 НК | 120А | 31,6 нс/115 нс | 300 мкДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH81K10EF-Р | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150А | 1,2 кВ | 2,3 В | 1200В | 600 В, 150 А, 1 Ом, 15 В | 30 В | 7,5 В | 2,3 В при 15 В, 150 А | 745нК | 70 нс/330 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP4301APP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp4301appm0t2-datasheets-0534.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 430В | 10 В | 200А | 300 В, 200 А, 30 Ом, 26 В | 10 В @ 26 В, 200 А | 50 нс/100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10F | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25А | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 2В при 15В, 25А | 160 НК | 40 нс/245 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40В60Ф | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40v60f-datasheets-0540.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 20 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 283 Вт | СТГВ40 | Одинокий | 283 Вт | 52 нс | 208 нс | 600В | 2,35 В | 600В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 226 НК | 160А | 52 нс/208 нс | 456 мкДж (вкл.), 411 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП10Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp10h60df-datasheets-0544.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 20 недель | 6.000006г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 115 Вт | СТГП10 | Одинокий | 115 Вт | 107 нс | 600В | 1,5 В | 600В | 20А | 400 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 10 А | Траншейная полевая остановка | 57 НК | 40А | 19,5 нс/103 нс | 83 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4069-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irgp4069pbf-datasheets-8574.pdf | ТО-247-3 | 3 | 14 недель | Нет СВВК | 3 | EAR99 | 268 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 268 Вт | ТО-247АД | 600В | 1,6 В | 78 нс | 1,85 В | 76А | 42нс | 188 нс | 400 В, 35 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 35 А | Тренч | 104 НК | 105А | 46 нс/105 нс | 390 мкДж (вкл.), 632 мкДж (выкл.) | 54нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGH30N60C3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgh30n60c3d1-datasheets-0554.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 220 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ИКГ*30Н60 | 3 | НЕ УКАЗАН | 220 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 915пФ | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 25нс | 600В | 600В | 45 нс | 600В | 60А | 160 нс | 300 В, 20 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 3 В @ 15 В, 20 А | 38нК | 150А | 16 нс/42 нс | 270 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP5001APP-M0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp5001appm0t2-datasheets-0558.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 45 Вт | 3 | Одинокий | 45 Вт | 500В | 500В | 300А | 300 В, 300 А, 30 Ом, 12 В | 10 В @ 12 В, 300 А | 100 нс/200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH15K10F | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 10А | 65 НК | 15 нс/170 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH42K10D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH28UD1MPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irg7ph28ud1pbf-datasheets-9443.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | Нет | 115 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 115 Вт | 1,2 кВ | 2,3 В | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 6В | 2,3 В @ 15 В, 15 А | Тренч | 90 НК | 100А | -/229нс | 543 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n135ihrwg-datasheets-0505.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 10 недель | 6,500007г | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 394 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 394 Вт | 1,35 кВ | 2,3 В | 1,35 кВ | 60А | 1350В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,65 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 234 НК | 120А | -/250нс | 850 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1MPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH10K10F | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600В, 5А, 47Ом, 15В | 2В @ 15В, 5А | 30 НК | 20 нс/160 нс |
