Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НГБ8206НГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/littelfuseinc-ngb8206ntf4g-datasheets-4554.pdf | 350В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НГБ8206 | 3 | 40 | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 390В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 8000 нс | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 15 В | 2,1 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | 14000 нс | ||||||||||||||||||||||
| АПТ15ГТ60КРГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-apt15gt60krg-datasheets-4679.pdf | 600В | 42А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 184 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 14 нс | 2,5 В | 42А | 225 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 5В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | ДНЯО | 75 НК | 45А | 6 нс/105 нс | 150 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ15ГП60КГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/microsemicorporation-apt15gp60kg-datasheets-4680.pdf | 600В | 56А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 20 нс | 600В | 56А | 157 нс | 400 В, 15 А, 5 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 55 НК | 65А | 8 нс/29 нс | 130 мкДж (вкл.), 121 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ15ГП90КГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-apt15gp90kg-datasheets-4682.pdf | 900В | 43А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 900В | 23 нс | 900В | 43А | 170 нс | 600 В, 15 А, 4,3 Ом, 15 В | 3,9 В при 15 В, 15 А | ПТ | 60 НК | 60А | 9 нс/33 нс | 200 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30ГТ60КРГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-apt30gt60krg-datasheets-4684.pdf | 600В | 64А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 32 нс | 600В | 64А | 345 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 30 В | 5В | 2,5 В @ 15 В, 30 А | ДНЯО | 145 НК | 110А | 12 нс/225 нс | 525 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| APT33GF120LRDQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt33gf120lrdq2g-datasheets-4685.pdf | 1,2 кВ | 64А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 38 недель | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 357 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 31 нс | 1,2 кВ | 64А | 1200В | 355 нс | 800 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 3 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 170 НК | 75А | 14 нс/185 нс | 1315 мДж (вкл.), 1515 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| IXEH25N120 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixeh25n120-datasheets-4686.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | 6,500007г | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | ТО-247АД | 130 нс | 1,2 кВ | 3,2 В | 210 нс | 3,2 В | 36А | 1200В | 750 нс | 600 В, 20 А, 68 Ом, 15 В | 3,2 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 100 НК | 4,1 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXEH25N120D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixeh25n120-datasheets-4686.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | 6,500007г | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | ТО-247АД | 130 нс | 1,2 кВ | 3,2 В | 210 нс | 3,2 В | 36А | 1200В | 750 нс | 600 В, 20 А, 68 Ом, 15 В | 3,2 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 100 НК | 4,1 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГПФ120Н30ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgpf120n30tu-datasheets-4692.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 300В | 300В | 120А | 1,4 В при 15 В, 25 А | 112 НК | 180А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH5N160G | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/ixys-ixbh5n160g-datasheets-4697.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | 6,500007г | 3 | да | 68 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 68 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 1,6 кВ | 4,9 В | 340 нс | 1,6 кВ | 5,7А | 1600В | 190 нс | 960 В, 3 А, 47 Ом, 10 В | 20 В | 5,5 В | 7,2 В @ 15 В, 3 А | 26 НК | ||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40ГП60БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt40gp60bg-datasheets-4663.pdf | 600В | 100А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 543 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 600В | 49 нс | 600В | 100А | 158 нс | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 40 А | ПТ | 135 НК | 160А | 20 нс/64 нс | 385 мкДж (вкл.), 352 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| NGD8205NT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngd8205nt4-datasheets-4670.pdf | 350В | 20А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NGD8205N | 3 | 30 | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 390В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 8000 нс | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 15 В | 2,1 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | 14000 нс | |||||||||||||||||||||
| НГБ8206NT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/littelfuseinc-ngb8206ntf4g-datasheets-4554.pdf | 350В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 3 | нет | ЗАЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | НГБ8206 | 3 | 30 | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 390В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 8000 нс | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 15 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | 14000 нс | ||||||||||||||||||||||
| НГБ8206НТФ4Г | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/littelfuseinc-ngb8206ntf4g-datasheets-4554.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НГБ8206 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 6500 нс | 390В | 20А | 18500 нс | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ11GF120KRG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/microsemicorporation-apt11gf120krg-datasheets-4556.pdf | 1,2 кВ | 25А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 156 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 1,2 кВ | 12 нс | 1,2 кВ | 25А | 1200В | 161 нс | 800 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 3В @ 15В, 8А | ДНЯО | 65 НК | 44А | 7 нс/100 нс | 300 мкДж (вкл.), 285 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| NGD8201NT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngd8201nt4-datasheets-4559.pdf | 400В | 20А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 2 | 3 | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NGD8201N | 3 | 30 | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 440В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 14000 нс | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 15 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | 7000 нс | |||||||||||||||||||||||
| НГБ8206НТФ4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 175°С | -55°С | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | 400В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | НГБ8206 | 4 | 30 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 390В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| APT11GP60BDQBG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt11gp60bdqbg-datasheets-4595.pdf | 600В | 41А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | да | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 187 Вт | ТО-247АД | 16 нс | 600В | 150 нс | 400 В, 11 А, 5 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 11 А | ПТ | 40 НК | 45А | 7 нс/29 нс | 46 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) |
