Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGH30N60B2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFAST™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/ixys-ixgt30n60b2-datasheets-4886.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6,500007г | 3 | да | 190 Вт | НЕ УКАЗАН | ИКГ*30Н60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 190 Вт | ТО-247АД | 600В | 30 нс | 600В | 70А | 350 нс | 400 В, 24 А, 5 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 24 А | ПТ | 66 НК | 150А | 13 нс/110 нс | 320 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП8НК60К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd8nc60kt4-datasheets-5110.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 65 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП8 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 17 нс | 106 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65 Вт | ТО-220АБ | 600В | 23 нс | 600В | 15А | 242 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 3 А | 19 НК | 30А | 17 нс/72 нс | 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30W-STRRP | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/infineontechnologies-irg4bc30wstrrp-datasheets-5167.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 11 недель | 3 | Нет | 100 Вт | IRG4BC30W-СПБФ | Одинокий | Д2ПАК | 100 Вт | 600В | 2,7 В | 23А | 600В | 23А | 480 В, 12 А, 23 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 12 А | 51 НК | 92А | 25 нс/99 нс | 130 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГИ4061ДПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2009 год | ТО-220-3 | 43 Вт | 60нс | 600В | 20А | 400 В, 11 А, 22 Ом, 15 В | 1,59 В @ 15 В, 11 А | Тренч | 35 НК | 40А | 37 нс/111 нс | 52 мкДж (вкл.), 231 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ30Н90Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30n90d-datasheets-5098.pdf | ТО-247-3 | 3 | 220 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВ30 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 220 Вт | 152 нс | 900В | 41 нс | 900В | 60А | 928 нс | 900 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 25 В | 5,75 В | 2,75 В @ 15 В, 20 А | 110 НК | 135А | 29 нс/275 нс | 1,66 мДж (вкл.), 4,44 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10UDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/infineontechnologies-irg4rc10udpbf-datasheets-5100.pdf | 600В | 8,5 А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 1,2446 мм | 6,22 мм | Содержит свинец | 2 | 17 недель | 350,003213мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRG4RC10UDPBF | Одинокий | 30 | 38 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 40 нс | 16 нс | 87 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-252АА | 28 нс | 600В | 2,6 В | 56 нс | 2,6 В | 8,5 А | 345 нс | 480 В, 5 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 2,6 В @ 15 В, 5 А | 15 НК | 34А | 40 нс/87 нс | 140 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.) | 210 нс | ||||||||||||||||||||
| ХГТ1С7Н60А4ДС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hgt1s7n60a4ds-datasheets-5109.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 125 Вт | Одинокий | 125 Вт | 22 нс | 600В | 1,9 В | 600В | 34А | 390 В, 7 А, 25 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 7 А | 37нК | 56А | 11 нс/100 нс | 55 мкДж (вкл.), 60 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА25Н120ФТД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fga25n120ftd-datasheets-5112.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | Нет | 313 Вт | Одинокий | 48 нс | 210 нс | 313 Вт | 770 нс | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 600 В, 25 А, 15 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 25А | Траншейная полевая остановка | 160 НК | 75А | 48 нс/210 нс | 340 мкДж (вкл.), 900 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10KDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4rc10kdpbf-datasheets-5115.pdf | 600В | 9А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 3 | Нет | 38 Вт | IRG4RC10KDPBF | Одинокий | 38 Вт | Д-Пак | 38 Вт | 28 нс | 600В | 2,62 В | 2,62 В | 9А | 600В | 9А | 480В, 5А, 100Ом, 15В | 2,62 В @ 15 В, 5 А | 19 НК | 18А | 49 нс/97 нс | 250 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC20FPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRG4RC20FPBF | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 66 Вт | 66 Вт | ТО-252АА | 51 нс | 600В | 22А | 706 нс | 480 В, 12 А, 50 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,1 В @ 15 В, 12 А | 27 НК | 44А | 26 нс/194 нс | 190 мкДж (вкл.), 920 мкДж (выкл.) | 340 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PF50WD-201P | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4pf50wd201p-datasheets-5118.pdf | ТО-247-3 | 3 | 200 Вт | Одинокий | ТО-247АС | 200 Вт | 90 нс | 900В | 2,7 В | 51А | 900В | 51А | 720В, 28А, 5Ом, 15В | 2,7 В @ 15 В, 28 А | 160 НК | 204А | 50 нс/110 нс | 2,63 мДж (вкл.), 1,34 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГИБ6Б60КД116П | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2004 г. | ТО-220-3 Полный пакет | 38 Вт | 70нс | 600В | 11А | 400 В, 5 А, 100 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 5 А | ДНЯО | 18,2 нК | 22А | 25 нс/215 нс | 110 мкДж (вкл.), 135 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGSL30B60KPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irgs30b60kpbf-datasheets-5040.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10 668 мм | 9,652 мм | 4826 мм | 3 | 11 недель | 2.084002г | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 370 Вт | 260 | Одинокий | 30 | 370 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,35 В | 74 нс | 2,35 В | 78А | 237 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,35 В @ 15 В, 30 А | ДНЯО | 102 НК | 120А | 46 нс/185 нс | 350 мкДж (вкл.), 825 мкДж (выкл.) | 42нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГИ4085-111ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineon-irgi4085111pbf-datasheets-4775.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 38 Вт | 38 Вт | ТО-220АБ Фулл-Пак | 38 Вт | 330В | 1,5 В | 1,5 В | 28А | 330В | 28А | 196В, 25А, 10Ом | 1,5 В @ 28 В, 15 А | Тренч | 84 НК | 48 нс/180 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGB6NC60HD-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp6nc60h-datasheets-5012.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 56 Вт | STGB6 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 56 Вт | 21 нс | 600В | 17,3 нс | 600В | 15А | 222 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10SDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4rc10sdpbf-datasheets-5071.pdf | 600В | 14А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 1,2446 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRG4RC10SDPBF | Одинокий | 30 | 38 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 31 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-252АА | 28 нс | 600В | 1,7 В | 106 нс | 1,8 В | 14А | 1780 нс | 480 В, 8 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 1,8 В @ 15 В, 8 А | 15 НК | 18А | 76 нс/815 нс | 310 мкДж (вкл.), 3,28 мДж (выкл.) | 1080 нс | |||||||||||||||||||||||
| IXST45N120B | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/ixys-ixsh45n120-datasheets-4910.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 2 | 4,500005г | да | е3 | Матовый олово (Sn) | 300 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 1,2 кВ | 3В | 67 нс | 1,2 кВ | 75А | 1200В | 1140 нс | 960 В, 45 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 3 В @ 15 В, 45 А | ПТ | 120 НК | 180А | 36 нс/360 нс | 13 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА15Н120ФТДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fga15n120ftdtu-datasheets-5082.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 6.40101г | 3 | Нет | 220 Вт | Одинокий | 33 нс | 160 нс | 220 Вт | 575 нс | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 30А | 1200В | 2В @ 15В, 15А | Траншейная полевая остановка | 100 НК | 45А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW35NC60WD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw35nc60wd-datasheets-5088.pdf | ТО-247-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 260 Вт | СТГВ35 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 12нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 260 Вт | ТО-247АС | 40 нс | 600В | 2,5 В | 42,5 нс | 600В | 70А | 197 нс | 390 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,6 В @ 15 В, 20 А | 102 НК | 150А | 29,5 нс/118 нс | 305 мкДж (вкл.), 181 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТ1С12Н60А4С9А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-hgt1s12n60a4s9a-datasheets-5081.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ХГТ1С12Н60 | 167 Вт | 600В | 54А | 390 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 12 А | 78нК | 96А | 17 нс/96 нс | 55 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ35НБ60С | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw35nb60s-datasheets-5094.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 200 Вт | СТГВ35 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | 600В | 153 нс | 600В | 70А | 3600 нс | 480 В, 20 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 1,7 В @ 15 В, 20 А | 83нК | 250А | 92 нс/1,1 мкс | 840 мкДж (вкл.), 7,4 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10SDTRLP | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2007 год | /files/infineontechnologies-irg4rc10sdpbf-datasheets-5071.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | IRG4RC10SDPBF | 38 Вт | 28нс | 600В | 14А | 480 В, 8 А, 100 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 8 А | 15 НК | 18А | 76 нс/815 нс | 310 мкДж (вкл.), 3,28 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРГС30Б60КПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irgs30b60kpbf-datasheets-5040.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10 668 мм | 4699 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 370 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ИРГС30Б60КПБФ | Одинокий | 30 | 370 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 46 нс | 185 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,35 В | 74 нс | 2,35 В | 78А | 237 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,35 В @ 15 В, 30 А | ДНЯО | 102 НК | 120А | 46 нс/185 нс | 350 мкДж (вкл.), 825 мкДж (выкл.) | 42нс | |||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ7НБ40ЛЗТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb7nb40lzt4-datasheets-5048.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 3 | EAR99 | ЗАЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 100 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB7 | 3 | Одинокий | 30 | 70 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100 Вт | 430В | 1,5 В | 5400 нс | 1,9 В | 14А | 8000 нс | 300 В, 46 Ом, 5 В | 12 В | 2,2 В | 1,9 В @ 5 В, 14 А | 22 НК | 900 нс/4,4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ12НБ60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf12nb60kd-datasheets-5050.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | неизвестный | 30 Вт | СТГФ12 | 30 Вт | 37 нс | 600В | 2,8 В | 14А | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 12 А | 54 НК | 60А | 25 нс/96 нс | 152 мкДж (вкл.), 258 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30K-СТРПП | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4bc30kstrrp-datasheets-5052.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | Нет | 100 Вт | IRG4BC30K-СПБФ | Одинокий | Д2ПАК | 100 Вт | 600В | 2,7 В | 28А | 600В | 28А | 480 В, 16 А, 23 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 16 А | 67нК | 56А | 26 нс/130 нс | 360 мкДж (вкл.), 510 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP6NC60H | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgp6nc60h-datasheets-5012.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 56 Вт | СТГП6 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 21нс | 600В | 17,3 нс | 600В | 7А | 15А | 222 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10UPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4rc10upbf-datasheets-5054.pdf | 600В | 8,5 А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Нет СВХК | 3 | 38 Вт | IRG4RC10UPBF | Одинокий | 38 Вт | Д-Пак | 11нс | 38 Вт | 600В | 2,6 В | 2,6 В | 8,5 А | 600В | 8,5 А | 480В, 5А, 100Ом, 15В | 2,6 В @ 15 В, 5 А | 15 НК | 34А | 19 нс/116 нс | 80 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA16N60B2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFAST™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ixys-ixgp16n60b2-datasheets-4814.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 1,59999 г | да | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*16N60 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 600В | 2,3 В | 43 нс | 600В | 40А | 280 нс | 400 В, 12 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 1,95 В @ 15 В, 12 А | ПТ | 24 нС | 100А | 18 нс/73 нс | 160 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ13ГП120КГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt13gp120kg-datasheets-5016.pdf | 1,2 кВ | 41А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 1,2 кВ | 21 нс | 1,2 кВ | 41А | 1200В | 270 нс | 600 В, 13 А, 5 Ом, 15 В | 3,9 В @ 15 В, 13 А | ПТ | 55 НК | 50А | 9 нс/28 нс | 114 мкДж (вкл.), 165 мкДж (выкл.) |
