Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG7PH28UEF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2017 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N120IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n120ihrwg-datasheets-9738.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 384 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 384 Вт | 1,2 кВ | 2,2 В | 1,2 кВ | 60А | 1200В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 225 НК | 120А | -/230нс | 700 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG30N60FWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtg30n60fwg-datasheets-9742.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 167 Вт | 3 | Одинокий | 167 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 1,45 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,7 В @ 15 В, 30 А | Тренч | 170 НК | 120А | 81 нс/190 нс | 650 мкДж (вкл.), 650 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХВ40Н120Р3ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ihw40n120r3fksa1-datasheets-9744.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 14 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 429 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 429 Вт | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В | 20 В | 6,4 В | 1,75 В @ 15 В, 40 А | Тренч | 335 НК | 120А | -/336нс | 2,02 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4262D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgp4262depbf-datasheets-9749.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 15 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 250 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 170 нс | 650В | 1,7 В | 2,1 В | 60А | 45нс | 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7,7 В | 2,1 В @ 15 В, 24 А | 70 НК | 96А | 24 нс/73 нс | 520 мкДж (вкл.), 240 мкДж (выкл.) | 40 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB4610DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgb4610dpbf-datasheets-9754.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 77 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 77 Вт | 74 нс | 600В | 1,7 В | 2В | 16А | 400 В, 6 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 6А | 13нК | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB4607DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgb4607dpbf-datasheets-9759.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | 3 | 6 недель | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 58 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 58 Вт | ТО-220АБ | 48 нс | 600В | 1,75 В | 51 нс | 2,05 В | 11А | 95 нс | 400 В, 4 А, 100 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 4 А | 9нК | 12А | 27 нс/120 нс | 140 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ40Н60ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb40n60flwg-datasheets-9763.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 5 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 257 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 257 Вт | 77 нс | 600В | 1,85 В | 600В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 171 НК | 160А | 85 нс/174 нс | 890 мкДж (вкл.), 440 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4620D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irgp4620depbf-datasheets-9766.pdf | ТО-247-3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 140 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 140 Вт | 68 нс | 600В | 1,55 В | 1,85 В | 32А | 400 В, 12 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 12 А | 25 НК | 36А | 31 нс/83 нс | 75 мкДж (вкл.), 225 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH44K10D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irg7ph44k10depbf-datasheets-9639.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | Нет | 320 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 320 Вт | 130 нс | 1,2 кВ | 2,4 В | 70А | 70нс | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 7,5 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | 200 НК | 100А | 75 нс/315 нс | 2,1 мДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.) | 115 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40Н120КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | 3 | 3 | NRND (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 240 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СТГВА40 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 240 Вт | 1,2 кВ | 84 нс | 1,2 кВ | 83 нс | 3,85 В | 80А | 1200В | 564 нс | 960 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 25В | 6,5 В | 3,85 В при 15 В, 30 А | 126 НК | 120А | 48 нс/338 нс | 3,7 мДж (вкл.), 5,7 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ25GR120BSCD10 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt25gr120bscd10-datasheets-9644.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 22 недели | 521 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 521 Вт | 1,2 кВ | 3,2 В | 75А | 1200В | 600 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 3,2 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 203 НК | 100А | 16 нс/122 нс | 434 мкДж (вкл.), 466 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR2B60KDTRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgr2b60kdtrpbf-datasheets-9530.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 35 Вт | ИРГР2Б60 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 35 Вт | 68 нс | 600В | 2,25 В | 6,3А | 25нс | 400 В, 2 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,25 В при 15 В, 2 А | ДНЯО | 12 НК | 8А | 11 нс/150 нс | 74 мкДж (вкл.), 39 мкДж (выкл.) | 75нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50ГС60БРДЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt50gs60brdlg-datasheets-9646.pdf | ТО-247-3 | 22 недели | Нет | 415 Вт | Одинокий | ТО-247 | 415 Вт | 600В | 600В | 93А | 600В | 93А | 400 В, 50 А, 4,7 Ом, 15 В | 3,15 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО | 235 НК | 195А | 16 нс/225 нс | 755 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40GR120B2SCD10 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt40gr120b2scd10-datasheets-9647.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 22 недели | EAR99 | 500 Вт | Одинокий | 20 нс | 166 нс | 500 Вт | 1,2 кВ | 3,2 В | 88А | 1200В | 600 В, 40 А, 4,3 Ом, 15 В | 3,2 В @ 15 В, 40 А | ДНЯО | 210 НК | 160А | 20 нс/166 нс | 929 мкДж (вкл.), 1070 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30ГС60БРДЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt30gs60brdlg-datasheets-9648.pdf | ТО-247-3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | ТО-247АД | 600В | 45 нс | 600В | 54А | 412 нс | 400 В, 30 А, 9,1 Ом, 15 В | 3,15 В при 15 В, 30 А | ДНЯО | 145 НК | 113А | 16 нс/360 нс | 570 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30ГП60Б2ДЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt30gp60b2dlg-datasheets-9649.pdf | ТО-247-3 | 3 | 22 недели | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 463 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 463 Вт | ТО-247АД | 600В | 31 нс | 600В | 100А | 164 нс | 400 В, 30 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,7 В при 15 В, 30 А | ПТ | 90 НК | 120А | 13 нс/55 нс | 260 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ15ГП60БДЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt15gp60bdlg-datasheets-9650.pdf | ТО-247-3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 250 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | ТО-247АД | 600В | 20 нс | 600В | 56А | 157 нс | 400 В, 15 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,7 В @ 15 В, 15 А | ПТ | 55 НК | 65А | 8 нс/29 нс | 130 мкДж (вкл.), 121 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ20Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf20h60df-datasheets-9651.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 37 Вт | СТГФ20 | Одинокий | 37 Вт | 90 нс | 600В | 2В | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 80А | 42,5 нс/177 нс | 209 мкДж (вкл.), 261 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50ГП60ЛДЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt50gp60ldlg-datasheets-9654.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 625 Вт | 600В | 55 нс | 600В | 150А | 200 нс | 400 В, 50 А, 4,3 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 50 А | ПТ | 165 НК | 190А | 19 нс/85 нс | 456 мкДж (вкл.), 635 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4RC10UTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4rc10upbf-datasheets-5054.pdf | 600В | 8,5 А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 1,2446 мм | 6,223 мм | Содержит свинец | 2 | 13 недель | 350,003213мг | 3 | УЛЬТРА БЫСТРО | Нет | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRG4RC10UPBF | Одинокий | 38 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-252АА | 600В | 2,6 В | 32 нс | 2,6 В | 8,5 А | 330 нс | 480 В, 5 А, 100 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 5 А | 15 НК | 34А | 19 нс/116 нс | 80 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ30Н60ФРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n60fwg-datasheets-9664.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 167 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 167 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 72нс | 600В | 1,45 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,7 В @ 15 В, 30 А | Тренч | 170 НК | 120А | 81 нс/190 нс | 650 мкДж (вкл.), 650 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGW30N100TFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw30n100tfksa1-datasheets-9674.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 412 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 412 Вт | ТО-247АД | 1кВ | 54 нс | 1,9 В | 60А | 1000В | 569 нс | 600 В, 30 А, 16 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 217 НК | 90А | 33 нс/535 нс | 3,8 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30GP60LDLG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt30gp60b2dlg-datasheets-9649.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 463 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 463 Вт | 600В | 31 нс | 2,7 В | 100А | 164 нс | 400 В, 30 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,7 В при 15 В, 30 А | ПТ | 90 НК | 120А | 13 нс/55 нс | 260 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP4010AGE-00#P5 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp4010age00p5-datasheets-9685.pdf | 8-ТССОЙ (ширина 0,094, 2,40 мм) | Без свинца | 16 недель | 8 | да | 1,6 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 400В | 9В | 9 В @ 3 В, 150 А | 150А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ50Н60ФРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb50n60fwg-datasheets-9689.pdf | ТО-247 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 223 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 223 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 117 нс | 285 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 77 нс | 600В | 1,45 В | 600В | 100А | 20 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХВ30Н135Р3ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ihw30n135r3fksa1-datasheets-9691.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 14 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 349 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 175 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 349 Вт | 1,35 кВ | 1,85 В | 1,35 кВ | 60А | 1350В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,4 В | 1,85 В @ 15 В, 30 А | Тренч | 263 НК | 90А | -/337нс | 1,93 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH1CF5RDPQ-80#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-rjh1cf5rdpq80t2-datasheets-9548.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | 3 | 192,3 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 192,3 Вт | 1,2 кВ | 2,4 В | 50А | 1200В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXX160N65C4 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX4™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixxk160n65c4-datasheets-9436.pdf | ТО-247-3 | е3 | Матовый олово (Sn) | 940 Вт | 160Н65 | Одинокий | 940 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 1,7 В | 2,1 В | 290А | 400 В, 80 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 160 А | ПТ | 422 НК | 800А | 52 нс/197 нс | 3,5 мДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60М3ДПЭ-00#Дж3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60m3dpe00j3-datasheets-9499.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | Нет | 113 Вт | РДЖХ60М | 4 | Одинокий | 113 Вт | 600В | 90 нс | 600В | 600В | 35А | 300 В, 17 А, 5 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 17 А | Тренч | 60 НК | 38 нс/90 нс | 290 мкДж (вкл.), 290 мкДж (выкл.) |
