Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXBH42N170A | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixbt42n170a-datasheets-1375.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | 6,500007г | 3 | да | 357 Вт | НЕ УКАЗАН | IXB*42N170 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 357 Вт | ТО-247АД | 330 нс | 1,7 кВ | 5,2 В | 63 нс | 1,7 кВ | 42А | 1700В | 420 нс | 850 В, 21 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 6 В @ 15 В, 21 А | 188 НК | 265А | 19 нс/200 нс | 3,43 мДж (вкл.), 430 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ5Б65М1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 18 недель | да | 83 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 83 Вт | 650В | 195 нс | 650В | 21 нс | 1,98 В | 10А | 161 нс | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 1,98 В @ 15 В, 5 А | 14 НК | 15А | 8,5 нс/106 нс | 80 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА60В60ДВФАГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa60v60dwfag-datasheets-2153.pdf | ТО-247-3 | 26 недель | 375 Вт | 200 нс | 600В | 80А | 400 В, 60 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 314нК | 240А | 35 нс/190 нс | 1,02 мДж (вкл.), 370 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ8НС65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | 1,946308 г | Неизвестный | 3 | EAR99 | не_совместимо | 65 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 4А | 65 Вт | 650В | 40 нс | 650В | 1,65 В | 54 нс | 650В | 8А | 158 нс | 400 В, 4 А, 50 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 4 А | Траншейная полевая остановка | 13,5 нК | 12А | 17 нс/69 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N135IHR1WG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n135ihr1wg-datasheets-2171.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 5 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 394 Вт | 394 Вт | 1,35 кВ | 3В | 60А | 1350В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 3В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 220 НК | 120А | -/200нс | 630 мкА (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД3НБ60ФТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/stmicroelectronics-stgp3nb60fd-datasheets-3618.pdf | 600В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | е0 | Оловянный свинец | 60 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СТГД3 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-252АА | 45нс | 600В | 1,9 В | 16,5 нс | 2,4 В | 6А | 535 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,4 В @ 15 В, 3 А | 16 НК | 24А | 12,5 нс/105 нс | 125 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGB3NB60FDT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/stmicroelectronics-stgp3nb60fd-datasheets-3618.pdf | 600В | 3А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | е0 | Оловянный свинец | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | STGB3 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 68 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 60нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 45нс | 600В | 2,4 В | 16,5 нс | 2,4 В | 6А | 535 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,4 В @ 15 В, 3 А | 16 НК | 24А | 12,5 нс/105 нс | 125 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ03Н60Р2ДТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ngtb03n60r2dt4g-datasheets-2049.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 27 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | 49 Вт | Одинокий | 49 Вт | 600В | 65 нс | 600В | 1,7 В | 600В | 9А | 300 В, 3 А, 30 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 3 А | 17 НК | 12А | 27 нс/59 нс | 50 мкДж (вкл.), 27 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГБ8204ANT4G | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/littelfuseinc-ngb8204ant4g-datasheets-2202.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НГБ8204 | НЕ УКАЗАН | 115 Вт | 430В | 18А | 2,5 В @ 4 В, 15 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ16НС65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | не_совместимо | 94 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 8А | 94 Вт | 650В | 42 нс | 650В | 1,65 В | 27 нс | 650В | 16А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ30Н120ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ngtb30n120fl2wg-datasheets-2083.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 11 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 452 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 452 Вт | 240 нс | 1,2 кВ | 2В | 1,2 кВ | 60А | 1200В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 220 НК | 120А | 98 нс/210 нс | 2,6 мДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBT2N250 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixbh2n250-datasheets-4917.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 32 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 32 Вт | 920 нс | 2,5 кВ | 310 нс | 2,5 кВ | 5А | 2500В | 252 нс | 20 В | 5,5 В | 3,5 В @ 15 В, 2 А | 10,6 нКл | 13А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG40N120FL2WG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtg40n120fl2wg-datasheets-2093.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 535 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 535 Вт | 1,2 кВ | 2,4 В | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 313нК | 200А | 116 нс/286 нс | 3,4 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGT16N170A | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixgh16n170ah1-datasheets-4732.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 2 | 26 недель | 4,500005г | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 190 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*16N170 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 190 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 230 нс | 1,7 кВ | 4,2 В | 97 нс | 1,7 кВ | 16А | 1700В | 330 нс | 850 В, 16 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 5 В @ 15 В, 11 А | ДНЯО | 65 НК | 40А | 36 нс/160 нс | 900 мкДж (выкл.) | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGC80TSX8RGC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgc80tsx8rgc11-datasheets-2035.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 535 Вт | 1800В | 80А | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 5 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 468 НК | 120А | 80 нс/565 нс | 1,85 мДж (вкл.), 1,6 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIG065E8-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-tig065e8tlh-datasheets-2037.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 4 недели | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | Одинокий | 400В | 400В | 4,2 В | 400В | 150А | 7 В @ 2,5 В, 100 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Б65М1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | неизвестный | 69 Вт | 69 Вт | 650В | 195 нс | 650В | 1,98 В | 10А | 400 В, 5 А, 60 Ом, 15 В | 1,98 В @ 15 В, 5 А | 14 НК | 15А | 8,5 нс/106 нс | 80 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYR100N120C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixyr100n120c3-datasheets-2045.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 28 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 484 Вт | 3 | Одинокий | 484 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСИП-Т3 | 32 нс | 123 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 2,9 В | 122 нс | 1,2 кВ | 104А | 1200В | 265 нс | 600 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,5 В при 15 В, 100 А | 270 НК | 480А | 32 нс/123 нс | 6,5 мДж (вкл.), 2,9 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP7H60DF | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb7h60df-datasheets-0733.pdf | ТО-220-3 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 88 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП7 | НЕ УКАЗАН | 88 Вт | 136 нс | 600В | 1,95 В | 14А | 400 В, 7 А, 47 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 7 А | Траншейная полевая остановка | 46 НК | 28А | 30 нс/160 нс | 99 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGX120N120A3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgk120n120a3-datasheets-4401.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 830 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 40 нс | 490 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 1,85 В | 105 нс | 2,2 В | 240А | 1200В | 1365 нс | 960 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,2 В при 15 В, 100 А | ПТ | 420 НК | 600А | 40 нс/490 нс | 10 мДж (включено), 33 мДж (выключено) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ8НЛ65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt8nl65dgtl-datasheets-1562.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65 Вт | 40 нс | 54 нс | 650В | 8А | 158 нс | 400 В, 4 А, 50 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 4 А | Траншейная полевая остановка | 13,5 нК | 12А | 17 нс/69 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРПГПС4070Д0 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/infineontechnologies-auirgps4070d0-datasheets-2055.pdf | ТО-274АА | 3 | 16 недель | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 750 Вт | ТО-247АА | 210 нс | 150 нс | 600В | 240А | 285 нс | 400 В, 120 А, 4,7 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 120 А | Тренч | 250 НК | 360А | 40 нс/140 нс | 5,7 мДж (вкл.), 4,2 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГД3Н60ЛСДТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fgd3n60lsdtm-datasheets-2057.pdf | 600В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 40 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФГД3Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 234 нс | 600В | 85 нс | 600В | 6А | 1420 нс | 480 В, 3 А, 470 Ом, 10 В | 20 В | 5В | 1,5 В @ 10 В, 3 А | 12,5 нк | 25А | 40 нс/600 нс | 250 мкДж (вкл.), 1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGB6NC60HT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb6nc60ht4-datasheets-2063.pdf | 600В | 15А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB6 | 3 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | 2,7 В | 17,3 нс | 600В | 15А | 222 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDR30N120D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-ixdr30n120-datasheets-0776.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | IXD*30N120 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 70нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | 40 нс | 1,2 кВ | 2,4 В | 170 нс | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 570 нс | 600 В, 30 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,9 В @ 15 В, 30 А | ДНЯО | 120 НК | 60А | 4,6 мДж (вкл.), 3,4 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRGP4062D-E | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirgp4062de-datasheets-2075.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 250 Вт | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 40 нс | 104 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 89нс | 600В | 1,95 В | 64 нс | 600В | 48А | 164 нс | 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,95 В @ 15 В, 24 А | 50 НК | 72А | 41 нс/104 нс | 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | 41нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGH48N60C3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgh30n60c3d1-datasheets-0556.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 6,500007г | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 300 Вт | НЕ УКАЗАН | IXG*48N60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 1,96 нФ | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 25нс | 600В | 2,5 В | 45 нс | 600В | 75А | 187 нс | 400 В, 30 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,5 В @ 15 В, 30 А | ПТ | 77нК | 250А | 19 нс/60 нс | 410 мкДж (вкл.), 230 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYX140N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyk140n90c3-datasheets-0642.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 1,63 кВт | ОДИНОКИЙ | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1630 Вт | 900В | 122 нс | 2,7 В | 310А | 300 нс | 450 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,7 В при 15 В, 140 А | 330 НК | 840А | 40 нс/145 нс | 4,3 мДж (вкл.), 4 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRGP4063D-E | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirgp4063d-datasheets-5499.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 330 Вт | 330 Вт | ТО-247АД | 115 нс | 100 нс | 56нс | 600В | 100А | 210 нс | 400 В, 48 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 48 А | Тренч | 140 НК | 144А | 60 нс/145 нс | 625 мкДж (вкл.), 1,28 мДж (выкл.) | 46нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТВ60ТК65ГВК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtv60tk65gvc11-datasheets-1961.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 76 Вт | 650В | 33А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 64 НК | 120А | 33 нс/105 нс | 570 мкДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) |
