Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIG052TS-TL-E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-tig052tstle-datasheets-2393.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-ЦСОП | 400В | 5,5 В @ 2,5 В, 150 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГТД65Т15Х2ТФ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dgtd65t15h2tf-datasheets-2394.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 22 недели | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 48 Вт | 150 нс | 650В | 30А | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2В при 15В, 15А | Полевая остановка | 61 НК | 60А | 19 нс/128 нс | 270 мкДж (вкл.), 86 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB20N120IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngtb20n120ihrwg-datasheets-2396.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 384 Вт | 3 | Одинокий | 384 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 2,1 В | 1,2 кВ | 40А | 1200В | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,45 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 225 НК | 120А | -/235нс | 450 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA30N120B3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixga30n120b3-datasheets-2400.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 300 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*30N120 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 2,96 В | 56 нс | 1,2 кВ | 60А | 1200В | 471 нс | 960 В, 30 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,5 В @ 15 В, 30 А | ПТ | 87нК | 150А | 16 нс/127 нс | 3,47 мДж (вкл.), 2,16 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП30Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30h60df-datasheets-9802.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 260 Вт | СТГП30 | Одинокий | 260 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 нс | 600В | 2,4 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,4 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 105 НК | 120А | 50 нс/160 нс | 350 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ40Н120ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb40n120fl2wg-datasheets-2406.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 13 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 535 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 535 Вт | 240 нс | 1,2 кВ | 2В | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 313нК | 200А | 116 нс/286 нс | 3,4 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ5Н120БНД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hgtp5n120bnd-datasheets-1150.pdf | 1,2 кВ | 21А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 167 Вт | Одинокий | 167 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 21А | 600В | 65 нс | 1,2 кВ | 2,45 В | 35 нс | 1,2 кВ | 21А | 1200В | 357 нс | 960 В, 5 А, 25 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 5 А | ДНЯО | 53нК | 40А | 22 нс/160 нс | 450 мкДж (вкл.), 390 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКА15Н60TXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ika15n60txksa1-datasheets-2420.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 16 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 35,7 Вт | ТО-220АБ | 34 нс | 32 нс | 600В | 14,7А | 291 нс | 400 В, 15 А, 15 Ом, 15 В | 2,05 В при 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 87нК | 45А | 17 нс/188 нс | 570мкДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N120IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngtb40n120ihrwg-datasheets-2337.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 8 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 384 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 384 Вт | 1,2 кВ | 2,3 В | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,55 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 225 НК | 120А | -/230нс | 950 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGW40T120FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw40t120fksa1-datasheets-2425.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 270 Вт | ТО-247АД | 92 нс | 1200В | 75А | 700 нс | 600 В, 40 А, 15 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 203 НК | 105А | 48 нс/480 нс | 6,5 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГП3040Г2-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, EcoSPARK® | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fgi3040g2f085-datasheets-1280.pdf | ТО-220-3 | 5 недель | да | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 Вт | 150 Вт | 7000 нс | 400В | 41А | 12 В | 2,2 В | 1,25 В @ 4 В, 6 А | 21 нС | 900 нс/4,8 мкс | 15000 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ngtg50n60flwg-datasheets-2257.pdf | ТО-247-3 | ТО-247 | 223 Вт | 600В | 100А | 400В, 50А, 10Ом, 15В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Тренч | 310 НК | 200А | 116 нс/292 нс | 1,1 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ40Н120ФЛРГ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ngtb40n120flwg-datasheets-2258.pdf | ТО-247-3 | ТО-247 | 260 Вт | 200 нс | 1,2 В | 80А | 600В, 40А, 10Ом, 15В | 2,2 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 415 НК | 160А | 130 нс/385 нс | 2,6 мДж (вкл.), 1,6 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50ГН120Л2ДК2Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt50gn120l2dq2g-datasheets-2264.pdf | 1,2 кВ | 134А | ТО-264-3, ТО-264АА | 26,49 мм | 5,21 мм | 20,5 мм | Без свинца | 3 | 29 недель | 10,6 г | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 543 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 28 нс | 320 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 134А | 1,2 кВ | 1,7 В | 55 нс | 1,2 кВ | 134А | 1200В | 600 нс | 800 В, 50 А, 2,2 Ом, 15 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 315 НК | 150А | 28 нс/320 нс | 4495 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ30НС65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 5 мм | 2 | 17 недель | 1,946308 г | Неизвестный | 3 | EAR99 | не_совместимо | 133 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 133 Вт | 1 | 175°С | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 64 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30А | 650В | 55 нс | 650В | 1,65 В | 40 нс | 650В | 30А | 204 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 45А | 18 нс/64 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH42U-EP | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irg7ph42uep-datasheets-2290.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АД | 385 Вт | 153 нс | 1,2 В | 90А | 600В, 30А, 10Ом, 15В | 2В @ 15В, 30А | Тренч | 157 НК | 90А | 25 нс/229 нс | 2,11 мДж (вкл.), 1,18 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GP120BDQ1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt25gp120bdq1g-datasheets-2291.pdf | 1,2 кВ | 69А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 32 недели | 38.000013г | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 417 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 69А | 1,2 кВ | 3,3 В | 26 нс | 1,2 кВ | 69А | 1200В | 200 нс | 600 В, 25 А, 5 Ом, 15 В | 30В | 6В | 3,9 В @ 15 В, 25 А | ПТ | 110 НК | 90А | 12 нс/70 нс | 500 мкДж (вкл.), 440 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ10НБ60СД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp10nb60sd-datasheets-1122.pdf | 600В | 10А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 20 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 25 Вт | СТГФ10 | 3 | Одинокий | 25 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 460 нс | 20А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | ТО-220АБ | 37нс | 600В | 1,8 В | 1160 нс | 600В | 23А | 3100 нс | 480 В, 10 А, 1 кОм, 15 В | 20 В | 5В | 1,75 В @ 15 В, 10 А | 33 НК | 80А | 700 нс/1,2 мкс | 600 мкДж (вкл.), 5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГПФ30Н45ТТУ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-fgpf30n45ttu-datasheets-2299.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 50,4 Вт | ТО-220АБ | 80 нс | 450В | 387 нс | 1,6 В @ 15 В, 20 А | Тренч | 73нК | 120А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХВ40Н65Р5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ihw40n65r5xksa1-datasheets-2304.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 230 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 230 Вт | 90 нс | 650В | 59 нс | 650В | 80А | 321 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 1,7 В при 15 В, 40 А | 193 НК | 120А | 30 нс/258 нс | 630 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW25T120FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikw25t120fksa1-datasheets-2309.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 190 Вт | 3 | Одинокий | 190 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 200 нс | 1,2 кВ | 82 нс | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 790 нс | 600 В, 25 А, 22 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 155 НК | 75А | 50 нс/560 нс | 4,2 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП19НК60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb19nc60kdt4-datasheets-1498.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | 125 Вт | СТГП19 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | 30 нс | 105 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 125 Вт | ТО-220АБ | 31 нс | 600В | 38 нс | 600В | 35А | 270 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 12 А | 55 НК | 75А | 30 нс/105 нс | 165 мкДж (вкл.), 255 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА15Н120АНТДТУ-Ф109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fga15n120antdtuf109-datasheets-2316.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 6 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НЕТ | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 186 Вт | 186 Вт | 330 нс | 1200В | 30А | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,4 В при 15 В, 15 А | ДНЯО и Траншея | 120 НК | 45А | 15 нс/160 нс | 3 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | 180 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ100ГН120Б2Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt100gn120b2g-datasheets-2325.pdf | ТО-247-3 Вариант | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 960 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 50 нс | 615 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 960 Вт | 1,2 кВ | 100 нс | 1,2 кВ | 245А | 1200В | 935 нс | 800 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 100 А | Траншейная полевая остановка | 540 НК | 300А | 50 нс/615 нс | 11 мДж (включено), 9,5 мДж (выключено) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGA20N120A3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГенХ3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgh20n120a3-datasheets-0408.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 30 недель | 1,59999 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 180 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*20N120 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 180 Вт | 1,2 кВ | 2,5 В | 66 нс | 2,5 В | 40А | 1200В | 1530 нс | 960 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | ПТ | 50 НК | 120А | 16 нс/290 нс | 2,85 мДж (вкл.), 6,47 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГП10Н60УНДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgp10n60undf-datasheets-2328.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 139 Вт | Одинокий | 139 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 8,1 нс | 55 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 37,7 нс | 600В | 2,3 В | 15,4 нс | 600В | 20А | 89,3 нс | 400 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,45 В @ 15 В, 10 А | ДНЯО | 37нК | 30А | 8 нс/52,2 нс | 150 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.) | 24,8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBF20N360 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixbf20n360-datasheets-2247.pdf | i4-Pac™-5 | 28 недель | неизвестный | 230 Вт | 230 Вт | 1,7 мкс | 3,6 кВ | 3,4 В | 45А | 3600В | 1500 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 3,4 В @ 15 В, 20 А | 43нК | 220А | 18 нс/238 нс | 15,5 мДж (вкл.), 4,3 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГБ8245NT4G | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/littelfuseinc-ngb8245nt4g-datasheets-2141.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 17 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НГБ8245 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 500В | 20А | 2В @ 4В, 15А | 50А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ60Н60СМД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgh60n60smd-datasheets-2186.pdf | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 600 Вт | ФГХ60Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 27 нс | 146 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600 Вт | ТО-247АБ | 39 нс | 600В | 1,9 В | 59 нс | 600В | 120А | 70нс | 163 нс | 400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Полевая остановка | 189 НК | 180А | 18 нс/104 нс | 1,26 мДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.) | 68нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4066PBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irgp4790pbf-datasheets-0092.pdf | ТО-247-3 | ТО-247АС | 454 Вт | 600В | 140А | 400В, 75А, 10Ом, 15В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Тренч | 150 НК | 225А | 50 нс/200 нс | 2,47 мДж (вкл.), 2,16 мДж (выкл.) |
