Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | VCEsat-Макс | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA20RG1200DHGLB | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Соответствует RoHS | /files/ixys-ixa20rg1200dhglb-datasheets-9565.pdf | СМД/СМТ | 125 Вт | 1,2 кВ | 2,1 В | 32А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4069D-EPBF | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/infineon-irgp4069depbf-datasheets-9997.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | 250 | Одинокий | 30 | 268 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 268 Вт | ТО-247АД | 120 нс | 600В | 1,85 В | 78 нс | 1,85 В | 76А | 42нс | 188 нс | 20 В | 6,5 В | 54нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDA20N120AS-ТРУБКА | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Соответствует RoHS | ТО-263-3 | 1,59999 г | 200 Вт | 1,2 кВ | 3,4 В | 34А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IEWS20R5135IPBXKLA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-iews20r5135ipbxkma1-datasheets-0217.pdf | 16 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-55П | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80270 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 76018 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 78124 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80180 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75097 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75099 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ68GA60B | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt68ga60b-datasheets-4488.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6 недель | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 520 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 520 Вт | ТО-247АД | 600В | 46 нс | 600В | 121А | 304 нс | 400 В, 40 А, 4,7 Ом, 15 В | 30 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | ПТ | 298 НК | 202А | 21 нс/133 нс | 715 мкДж (вкл.), 607 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGF3NC120HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb3nc120hdt4-datasheets-1251.pdf | 1,2 кВ | 3А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 16,4 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 25 Вт | СТГФ3 | 3 | Одинокий | 25 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 3,5 нс | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕЕ НАЗНАЧЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 51 нс | 1,2 кВ | 2,8 В | 18,5 нс | 1,2 кВ | 6А | 1200В | 680 нс | 800 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 24 нС | 20А | 15 нс/118 нс | 236 мкДж (вкл.), 290 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGF30N400 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgf30n400-datasheets-3950.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,500007г | 3 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 160 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕЕ НАЗНАЧЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 160 Вт | 4кВ | 201 нс | 4кВ | 30А | 4000В | 724 нс | 20 В | 5В | 5,2 В при 15 В, 90 А | 135 НК | 360А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW30N60DTPXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/infineontechnologies-ikw30n60dtpxksa1-datasheets-3956.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 Вт | 76 нс | 600В | 38 нс | 1,8 В | 53А | 279 нс | 400 В, 30 А, 10,5 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 130 НК | 90А | 15 нс/179 нс | 710 мкДж (вкл.), 420 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt25gt120brdq2g-datasheets-3844.pdf | 1,2 кВ | 54А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 29 недель | 38.000013г | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 347 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 54А | 1,2 кВ | 3,2 В | 41 нс | 1,2 кВ | 54А | 1200В | 186 нс | 800 В, 25 А, 5 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 3,7 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 170 НК | 75А | 14 нс/150 нс | 930 мкДж (вкл.), 720 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50GS60BRDQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt50gs60brdq2g-datasheets-3875.pdf | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 25 недель | 38.000013г | нет | Нет | 415 Вт | Одинокий | 93А | 25 нс | 600В | 2,8 В | 600В | 93А | 400 В, 40 А, 4,7 Ом, 15 В | 3,15 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО | 235 НК | 195А | 16 нс/225 нс | 755 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4045DPBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irgs4045dpbf-datasheets-3735.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Д2ПАК | 77 Вт | 74нс | 600В | 12А | 400В, 6А, 47Ом, 15В | 2В @ 15В, 6А | 19,5 нк | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGW5N60RUFDTM | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-sgw5n60rufdtm-datasheets-3807.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60 Вт | 55нс | 39 нс | 600В | 8А | 290 нс | 300 В, 5 А, 40 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 5 А | 16 НК | 15А | 13 нс/34 нс | 88 мкДж (вкл.), 107 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА20С140П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fga20s140p-datasheets-3632.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 272 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 272 Вт | 1,4 кВ | 2,2 В | 322 нс | 1,4 кВ | 40А | 1400В | 776 нс | 25 В | 7,5 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 203,5 нк | 60А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH40N160 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixbh40n160-datasheets-3658.pdf | 1,6 кВ | 33А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | 6,500007г | 3 | да | БИПОЛЯРНЫЙ МОП-ТРАНЗИСТОР С КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕРОМ НА СОПРОТИВЛЕНИИ 0,24 ОМ | Нет | 350 Вт | 3 | Одинокий | 350 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 60нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 1,6 кВ | 260 нс | 1,6 кВ | 33А | 1600В | 310 нс | 6 В | 960 В, 20 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 7,1 В при 15 В, 20 А | 130 НК | 40А | 700 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH40N120C3D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyh40n120c3d1-datasheets-3708.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 480 Вт | 3 | Одинокий | 480 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 24 нс | 125 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 195 нс | 1,2 кВ | 4,8 В | 99 нс | 1,2 кВ | 64А | 1200В | 178 нс | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 4 В @ 15 В, 40 А | 85 НК | 105А | 24 нс/125 нс | 3,9 мДж (вкл.), 660 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В2040П3 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-isl9v2040s3s-datasheets-1783.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 130 Вт | ТО-220АБ | 2780 нс | 430В | 10А | 6000 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,9 В @ 4 В, 6 А | 12 НК | -/3,64 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ35ГП120БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt35gp120bg-datasheets-3553.pdf | 1,2 кВ | 96А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 23 недели | 3 | да | EAR99 | СВЕРХБЫСТРЫЕ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 543 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 1,2 кВ | 36 нс | 3,9 В | 96А | 1200В | 222 нс | 600 В, 35 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 3,9 В при 15 В, 35 А | ПТ | 150 НК | 140А | 16 нс/94 нс | 750 мкДж (вкл.), 680 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP3HF60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd3hf60hdt4-datasheets-6363.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 38 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 38 Вт | 85 нс | 600В | 2,95 В | 7,5 А | 400 В, 1,5 А, 100 Ом, 15 В | 2,95 В @ 15 В, 1,5 А | 12 НК | 18А | 11 нс/60 нс | 19 мкДж (вкл.), 12 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ40Н65ЭС5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikb40n65es5atma1-datasheets-3125.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 16 недель | 230 Вт | 73нс | 650В | 79А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 1,74 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 95 НК | 160А | 19 нс/130 нс | 860 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXH80N65B4 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX4™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-ixxh80n65b4-datasheets-3562.pdf | ТО-247-3 | 28 недель | 625 Вт | Одинокий | 625 Вт | 650В | 1,65 В | 2В | 160А | 400 В, 80 А, 3 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 80 А | ПТ | 120 НК | 430А | 38 нс/120 нс | 3,77 мДж (вкл.), 1,2 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH16N170CV1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-ixyh16n170cv1-datasheets-3576.pdf | ТО-247-3 | 28 недель | да | неизвестный | 310 Вт | 150 нс | 1700В | 40А | 850 В, 16 А, 10 Ом, 15 В | 3,8 В @ 15 В, 16 А | 56 НК | 100А | 11 нс/140 нс | 2,1 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ35GN120L2DQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt35gn120l2dq2g-datasheets-3590.pdf | 1,2 кВ | 94А | ТО-264-3, ТО-264АА | 26,49 мм | 5,21 мм | 20,5 мм | Без свинца | 3 | 29 недель | 10,6 г | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 379 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 94А | 1,2 кВ | 1,7 В | 46 нс | 1,2 кВ | 94А | 1200В | 465 нс | 800 В, 35 А, 2,2 Ом, 15 В | 6,5 В | 2,1 В при 15 В, 35 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 220 НК | 105А | 24 нс/300 нс | 2,315 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ85ГР120Л | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt85gr120b2-datasheets-2509.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 21 неделя | EAR99 | Нет | 962 Вт | Одинокий | 962 Вт | 1,2 кВ | 3,2 В | 170А | 1200В | 600 В, 85 А, 4,3 Ом, 15 В | 3,2 В при 15 В, 85 А | ДНЯО | 660 НК | 340А | 43 нс/300 нс | 6 мДж (вкл.), 3,8 мДж (выкл.) |
