| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 94-2312ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2436 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC06S2N06LATX2LA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC048NB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXMMF7484QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD4141-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdd4141f085p-datasheets-5599.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 40В | 2,4 Вт Та 69 Вт Тс | P-канал | 2775пФ при 20 В | 12,3 мОм при 12,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,8 А Та 50 А Тс | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXTALR3915 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БВСС84ЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | 225мВт Та | P-канал | 36пФ при 5В | 10 Ом при 100 мА, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 130 мА Та | 2,2 НК при 10 В | 5В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4344ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6495NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd6495nlt4g-datasheets-5602.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 20 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1 | 10 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 91нс | 71 нс | 40 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 83 Вт Тс | 80А | 0,054 Ом | 79 мДж | 100 В | N-канал | 1024 нФ при 25 В | 50 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 25А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| RQK0608BQDQS#H1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rqk0608bqdqsh1-datasheets-5625.pdf | 4 | да | Нет | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 64нс | 4 нс | 32 нс | 2,4А | 12 В | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,5 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQA0002DNSTB-E | Ренесас Электроникс Америка | 1,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rqa0002dnstbe-datasheets-5577.pdf | 3-ДФН Открытая площадка | 3 | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3 | 20 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 16 В | 16 В | 15 Вт Тс | 3,8А | N-канал | 750 мВ при 1 мА | 3,8А Та | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУСТИФР12Н25ДТРР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC10N65C3X1SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6734 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6734-datasheets-5555.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 6,2 Вт Ta 32,2 Вт Tc | N-канал | 1900пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 37А Та 85А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC36AN20X1SA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT418L_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot418l001-datasheets-5558.pdf | ТО-220-3 | 100 В | 2,1 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 9,5 А Та 105 А Тс | 83 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC69SN60C3X2SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISP06P005LSATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-261-3 | P-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3717TRPBF-1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf3717trpbf1-datasheets-5583.pdf | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 20А | 160А | 0,0044Ом | 32 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP773-CMPDM302PH-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp773cmpdm302phwn-datasheets-5563.pdf | Править | 30 В | P-канал | 800пФ при 10В | 91 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 2,4А Та | 9,6 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6406 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6406-datasheets-5585.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 2,3 Вт Та 110 Вт Тс | N-канал | 5200пФ при 15В | 2,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 25А Та 170А Ц | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2498 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БВСС138LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bvss138lt3g-datasheets-5589.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 225мВт Та | 0,2 А | 5 пФ | N-канал | 50пФ при 25В | 3,5 Ом при 200 мА, 5 В | 1,5 В при 1 мА | 200 мА Та | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-3647ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXHAFR6215 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVJS3151PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvjs3151pt1g-datasheets-5568.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 12 В | 625 МВт Та | 2,7А | 0,06 Ом | P-канал | 850пФ при 12 В | 60 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1,2 В @ 50 мкА | 2,7А Та | 8,6 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62-1039ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2311CX-01 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 900мВт Та | P-канал | 640пФ при 6В | 55 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4А Та | 9 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6002DPD-WS#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 165пФ при 25В | 6,8 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 2А Та | 6,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.