Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISP26DP06NMSATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-261-3 | 60В | P-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD06P003NSAUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | 83 Вт Тс | P-канал | 1600пФ при 30В | 65 мОм при 22 А, 10 В | 4 В при 1,04 мА | 22А Тк | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM480P06CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm480p06cic0g-datasheets-5488.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220 | 60В | 27 Вт Тс | P-канал | 1250пФ при 30В | 48 мОм при 8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Ц | 22,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISP06P008NSATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-261-3 | P-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXDILZ24NS | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISP06P005NSATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-261-3 | P-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nvd6416anlt4g-datasheets-5494.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 4 недели | 74МОм | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 71 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 7 нс | 16нс | 40 нс | 35 нс | 19А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 71 Вт Тс | 70А | 50 мДж | 100 В | N-канал | 1 нФ при 25 В | 74 мОм при 19 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 19А Тк | 40 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| CP373-CMPDM303NH-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp373cmpdm303nhct-datasheets-5526.pdf | Править | 30 В | N-канал | 590пФ при 10 В | 78 мОм при 1,8 А, 2,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 13 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7002A-M621 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm7002am621tr-datasheets-5322.pdf | 6-PowerVFDFN | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 60В | 900мВт Та | 0,28 А | N-канал | 50пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 280 мА Та | 0,592 НК при 4,5 В | 5В 10В | 40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM340N06CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm340n06cic0g-datasheets-5528.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 260 | 30 | 60В | 27 Вт Тс | N-канал | 1180пФ при 30В | 34 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 16,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD25DP06LMSAUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | 28 Вт Тс | P-канал | 420пФ при 30В | 250 мОм при 6,5 А, 10 В | 2 В при 270 мкА | 6,5 А Тс | 13,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM22P10CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm22p10cic0g-datasheets-5505.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220 | 100 В | 48 Вт Тс | P-канал | 2250пФ при 30 В | 140 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 22А Тк | 42 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM480P06CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm480p06cic0g-datasheets-5488.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 60В | 66 Вт Тс | P-канал | 1250пФ при 30В | 48 мОм при 8 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Ц | 22,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM230N06CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm230n06czc0g-datasheets-5511.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 60В | 104 Вт Тс | N-канал | 1680пФ при 25В | 23 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Ц | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCMP06-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ВДФН Открытая площадка | совместимый | 260 | 10 | P-канал | 110 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2А Та | Диод Шоттки (изолированный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD390P06NMSAUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | P-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM680P06CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm680p06czc0g-datasheets-5514.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 60В | 42 Вт Тс | P-канал | 870пФ при 30В | 68 мОм при 6 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Тк | 16,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС355АН-Ф169 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Поставщик не определен | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nds355annb9l007a-datasheets-5460.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | 30 В | 500мВт Та | N-канал | 195пФ при 15В | 85 мОм при 1,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 5 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН62Д0ЛФД-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 260 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2400УФБ4-7Р | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQA0011DNS#G0 | Ренесас Электроникс Америка | $5,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 3-ДФН Открытая площадка | 16 В | 15 Вт Тс | N-канал | 750 мВ при 1 мА | 3,8А Та | ±5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQK0609CQDQS#H1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-rqk0609cqdqsh1-datasheets-5485.pdf | ТО-243АА | 4 | да | Нет | 4 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 56нс | 5 нс | 38 нс | 4А | 12 В | Одинокий | 60В | 1,5 Вт Та | 4А | N-канал | 470пФ при 10В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 4А Та | 5нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ3415У-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 150°С | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 0,9 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,0425Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM10N60CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm10n60cic0g-datasheets-5480.pdf | ТО-220-3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 166 Вт Тс | N-канал | 1738пФ при 25 В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Ц | 45,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВД3055-150T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nvd3055150t4g-datasheets-5447.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 20 недель | 3,949996 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11,2 нс | 37,1 нс | 23 нс | 12,2 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 28,8 Вт Та | 9А | 27А | 60В | N-канал | 280пФ при 25В | 150 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 9А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| 2N7002E-7-G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2013 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3014SFG-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 5 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2,1 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 0,014 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK4532DPD-E0#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 450В | 40,3 Вт Тс | N-канал | 280пФ при 25В | 2,3 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | 4А Та | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1912ТЕ(0)-Т1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa1912te0t1at-datasheets-5458.pdf | СК-95 | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 12 В | 200мВт Та | P-канал | 810пФ при 10 В | 50 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 5,6 нк при 4 В | 2,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДН337Н-Ф169 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdn337nf169-datasheets-5463.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | да | 30 В | 500мВт Та | N-канал | 300пФ при 10В | 65 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,2А Та | 9 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В |
