Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CTLDM8002A-M621 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm8002am621tr-datasheets-5272.pdf | 6-PowerVFDFN | совместимый | 50В | 900мВт Та | P-канал | 70пФ при 25В | 2,5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 280 мА Та | 0,72 НК при 4,5 В | 5В 10В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7752_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7752101-datasheets-5275.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 3,1 Вт Ta 20 Вт Tc | N-канал | 605пФ при 15В | 8,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15А Та 16А Ц | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4435_201 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4435201-datasheets-5278.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 А Та | 24 НК при 10 В | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4447A_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4447a102-datasheets-5282.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 5020пФ при 15В | 5,8 мОм при 18,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18,5А Та | 130 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM8002A-M621H БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm8002am621hbk-datasheets-5287.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | 6 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ, СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | совместимый | 8541.29.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 6 | 10 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 1,6 Вт Та | 0,28 А | 1,5 А | P-канал | 70пФ при 25В | 2,5 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 280 мА Та | 0,72 НК при 4,5 В | 5В 10В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСМ1НБ60СКТ А3 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm1nb60scta3g-datasheets-3338.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92 | 600В | 2,5 Вт Тс | N-канал | 138пФ при 25В | 10 Ом при 250 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 500 мА Тс | 6,1 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1770Г-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-upa1770ge1a-datasheets-5248.pdf | СОП | 8 | да | 8 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6А | 12 В | П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 37мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7120-M621H БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm7120m621hbk-datasheets-5250.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 20 В | 1,6 Вт Та | 1А | N-канал | 220пФ при 10В | 100 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 1А Та | 2,4 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | 8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2770GR(0)-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2770gr0e1ay-datasheets-5253.pdf | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3438_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao3438001-datasheets-5255.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 320пФ при 10В | 62 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 3,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4425CS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm4425csrlg-datasheets-5258.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОП | 30 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 3680пФ при 8В | 12 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Тк | 64 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM8120-M621H ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm8120m621htr-datasheets-5262.pdf | 6-XFDFN Открытая площадка | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | 20 В | 1,6 Вт Та | 0,86А | P-канал | 200пФ при 16В | 150 м Ом @ 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 950 мА Та | 3,56 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | 8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСМ1НБ60СКТ Б0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm1nb60scta3g-datasheets-3338.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 600В | 2,5 Вт Тс | N-канал | 138пФ при 25В | 10 Ом при 250 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 500 мА Тс | 6,1 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2394Т1П-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1763Г-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa1763g0e1ay-datasheets-5471.pdf | 8 | да | EAR99 | Нет | 8 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 40 нс | 12 нс | 50 нс | 4,5 А | 20 В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 47мОм | 60В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1763Г-Е2-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa1763g0e1ay-datasheets-5471.pdf | да | EAR99 | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2792ГР(0)-Е1-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2792gr0e1az-datasheets-5236.pdf | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7003-M621 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctldm7003m621bk-datasheets-5238.pdf | 6-PowerVFDFN | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 50В | 900мВт Та | 0,28 А | N-канал | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | 280 мА Та | 0,764 нк при 4,5 В | 1,8 В 5 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZDM1003N БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czdm1003ntr-datasheets-6682.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 100 В | 2 Вт Та | N-канал | 975пФ при 25 В | 150 мОм при 2 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 3А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2754GR(0)-E1-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2754gr0e1ay-datasheets-5244.pdf | 8 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЕННЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 11А | 88А | 0,0186Ом | 12,1 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2793GR(0)-E2-AY | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2752ГР-Е1-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2752gre1at-datasheets-5220.pdf | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2782ГР-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | $7,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2782gre1a-datasheets-5222.pdf | да | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 11А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2714ГР(0)-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa2714gr0e1a-datasheets-5224.pdf | да | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | П-КАНАЛ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1902ТЕ-Т1-А | Ренесас Электроникс Америка | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa1902tet1a-datasheets-5229.pdf | да | ДА | НЕ УКАЗАН | 6 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2396Т1П-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2752ГР(1)-Е1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА1763Г(0)-Е2-АТ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-upa1763g0e1ay-datasheets-5471.pdf | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 2 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGS3441T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntgs3441t1-datasheets-9151.pdf&product=onsemiconductor-ntgs3441t1g-9425280 | -20В | -1А | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 90МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 23,5 нс | 24 нс | 27 нс | 2,35 А | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -1,05 В | 500мВт Та | -20В | P-канал | 480пФ при 5В | -1,05 В | 90 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,65 А Та | 14 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||
| TSM3443CX6 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 2,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm3443cx6rfg-datasheets-9782.pdf | СОТ-23-6 | 20 недель | СОТ-26 | 20 В | 2 Вт Та | P-канал | 640пФ при 10 В | 60 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,7А Та | 9 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В |
