Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН3414 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 18 недель | да | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф8 | 10,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | 0,017Ом | N-канал | 690пФ при 15 В | 17 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 10,5 А Та | 25 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1403BDL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1403bdlt1e3-datasheets-0031.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 14 недель | 6 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 13 нс | 30 нс | 28 нс | 1,4 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | 625 МВт Та | 0,15 Ом | P-канал | 150 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 1,5 А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН30Х4Д0ЛФДЕ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmn30h4d0lfde13-datasheets-7657.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 22 недели | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 550 мА | 300В | 630мВт Та | N-канал | 187,3 пФ при 25 В | 4 Ом при 300 мА, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 550 мА Та | 7,6 НК при 10 В | 2,7 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RTQ020N03TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 2А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 10 | 1,25 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 11нс | 11 нс | 17 нс | 2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 1,25 Вт Та | 2А | 8А | 0,194 Ом | 30 В | N-канал | 135пФ при 10В | 125 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 2А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РТР025П02ТЛ | РОМ Полупроводник | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rtr025p02tl-datasheets-0486.pdf | СК-96 | 3 | 19 недель | да | EAR99 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | 2,5 А | 0,105 Ом | P-канал | 630пФ при 10 В | 95 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 2 В при 1 мА | 2,5 А Та | 7 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMPB10XNEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmpb10xne115-datasheets-6904.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 8 недель | МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | 9А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,7 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 9А | 36А | 0,014 Ом | N-канал | 2175пФ при 10 В | 14 мОм при 9 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 9А Та | 34 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC634P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdc634p-datasheets-0447.pdf | -20В | -3,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 80МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 нс | 9нс | 9 нс | 27 нс | -3,5 А | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -800мВ | 1,6 Вт Та | -20В | P-канал | 779пФ при 10 В | -800 мВ | 80 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХТК60Н50Л2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixtx60n50l2-datasheets-2027.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 17 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | 3 | 960 Вт | 1 | 60А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2,5 В | 960 Вт Тс | N-канал | 24000пФ при 25В | 2,5 В | 100 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 60А Ц | 610 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН10Х170СВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn10h170svt13-datasheets-6600.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,6А | 100 В | 1,2 Вт Та | N-канал | 1167пФ при 25 В | 160 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 9,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1070X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1070xt1e3-datasheets-7798.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 14 недель | 32,006612мг | Неизвестный | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 10 нс | 22нс | 22 нс | 14 нс | 1,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 236мВт Та | 0,099 Ом | 30 В | N-канал | 385пФ при 15В | 1,55 В | 99 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,55 В @ 250 мкА | 8,3 нк при 5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT3006LFDF-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmt3006lfdf13-datasheets-6548.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 22 недели | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 14,1А | 30 В | 800мВт Та | N-канал | 1320пФ при 15В | 7 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14.1А Та | 22,6 НК при 10 В | 3,7 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2N7002KCX РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 20 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 300мВт Та | 0,3 А | 2Ом | N-канал | 30пФ при 25В | 2 Ом при 300 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 300 мА Та | 0,4 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Д23-40ЕХ | Нексперия США Инк. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk9d2340ex-datasheets-0556.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 8 недель | 40В | 15 Вт Тс | N-канал | 637пФ при 20 В | 23 мОм при 8 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 8А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ433ЕДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib433edkt1ge3-datasheets-8245.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | Без свинца | 14 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 58мОм | 6 | Олово | Нет | 1 | Одинокий | 2,4 Вт | 1 | PowerPAK® SC-75-6L Одиночный | -9А | 8В | 20 В | -400мВ | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 47мОм | -20В | P-канал | 58 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 9А Тц | 21 НК при 8 В | 58 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2305CX РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm2305cxrfg-datasheets-0553.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 20 недель | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,25 Вт Та | 3,2А | 10А | 0,052 Ом | P-канал | 990пФ при 10 В | 55 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3.2А Та | 10 НК при 10 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФемтоФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 1,035 мм | 350 мкм | 635 мкм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD13381 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | 3,7 нс | 1,5 нс | 3,8 нс | 11 нс | 2,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 850 мВ | 500мВт Та | 7А | 0,4 Ом | 12 В | N-канал | 200пФ при 6В | 180 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 2.1А Та | 1,4 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntljf4156ntag-datasheets-1725.pdf | 30 В | 4,6А | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 18 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 4,8 нс | 9,2 нс | 9,2 нс | 14,2 нс | 3,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 710мВт Та | 2,5 А | 20А | 0,09 Ом | 30 В | N-канал | 427пФ при 15 В | 70 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 А ТДж | 6,5 нк при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MTM761100LBF | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-mtm761100lbf-datasheets-0147.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 2 мм | 700 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | Нет СВХК | 42мОм | 6 | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700мВт | 1 | Другие транзисторы | -4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 700мВт Та | 4А | -12В | P-канал | 1200пФ при 10В | -650 мВ | 42 мОм при 1 А, 4 В | 1 В @ 1 мА | 4А Та | 1,8 В 4 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФПС43Н50КПБФ | Вишай Силиконикс | $4,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-irfps43n50k-datasheets-6058.pdf | 500В | 47А | ТО-274АА | 16,1 мм | 20,8 мм | 5,3 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 78мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 540 Вт | 1 | СУПЕР-247™ (ТО-274АА) | 8,31 нФ | 25 нс | 140 нс | 74 нс | 55 нс | 47А | 30 В | 500В | 5В | 540 Вт Тс | 78мОм | 500В | N-канал | 8310пФ при 25 В | 90 мОм при 28 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 47А Тц | 350 НК при 10 В | 90 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ441ЕДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-sib441edkt1ge3-datasheets-0168.pdf | PowerPAK® SC-75-6L | Без свинца | 3 | 14 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 13 Вт | 1 | С-ПДСО-Н3 | 42нс | 50 нс | 60 нс | 8,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 40А | 0,028 Ом | -12В | P-канал | 1180пФ при 6В | 25,5 мОм при 4 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 9А Тц | 33 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6J215FE(TE85L,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6j215fete85lf-datasheets-0267.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 6 | EAR99 | Одинокий | 500мВт | Другие транзисторы | 3,4А | 8В | 20 В | 500мВт Та | -20В | P-канал | 630пФ при 10 В | 59 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 3,4А Та | 10,4 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3115УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn3115udm7-datasheets-0298.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | 6 | 18 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | 40 | 900мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900мВт Та | 3,22А | 30 В | N-канал | 476пФ при 15 В | 60 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3.2А Та | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7М67-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-buk7m6760ex-datasheets-0304.pdf | СОТ-1210, 8-ЛФПАК33 | 4 | 26 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г4 | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 31 Вт Тс | 58А | 0,067Ом | 4 мДж | N-канал | 334пФ при 25В | 67 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 14А Ц | 6,7 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3016LFDF-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmn3016lfdf13-datasheets-6407.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 22 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,02 Вт Та | 10А | 0,012 Ом | N-канал | 1415пФ при 15В | 12 мОм при 11 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 12А Та | 25,1 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS4C10NTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nttfs4c10ntag-datasheets-8248.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | 8 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 44А | 20 В | 790 мВт Ta 23,6 Вт Tc | 30 В | N-канал | 993пФ при 15 В | 7,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 8,2А Та 44А Ц | 18,6 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9М52-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-buk9m5240ex-datasheets-0344.pdf | СОТ-1210, 8-ЛФПАК33 | 4 | 26 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 1 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 31 Вт | 17,6А | 70А | 0,052 Ом | 4,98 мДж | N-канал | 407пФ при 25В | 40 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 17,6А | 4,5 нк при 5 В | 5В 10В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР172АДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir172adpt1ge3-datasheets-0357.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | Без свинца | 14 недель | 506,605978мг | 8,9 мОм | 8 | Нет | 1 | Одинокий | 3,9 Вт | 1 | ПауэрПАК® СО-8 | 1,515 нФ | 18 нс | 23нс | 11 нс | 22 нс | 24А | 20 В | 30 В | 29,8 Вт Тс | 8,5 мОм | 30 В | N-канал | 1515пФ при 15В | 8,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 24А Тк | 44 НК при 10 В | 8,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD23381F4T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФемтоФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 1,035 мм | 350 мкм | 635 мкм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD23381 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 4,5 нс | 3,9 нс | 7 нс | 18 нс | 2,3А | -8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -950мВ | 500мВт Та | -12В | P-канал | 236пФ при 6В | 175 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,3А Та | 1,14 НК при 6 В | 1,8 В 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD23382F4T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФемтоФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-XFDFN | 1,035 мм | 635 мкм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD23382 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 28 нс | 25нс | 41 нс | 66 нс | -3,5 А | -800мВ | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | -800мВ | 500мВт Та | P-канал | 235пФ при 6В | 76 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 1,35 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMPB20XNEAX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmpb20xneaz-datasheets-3227.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | 8 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | 7,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 460 мВт Ta 12,5 Вт Tc | 0,02 Ом | N-канал | 930пФ при 10 В | 20 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 7,5 А Та | 15 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В |
