Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPDM7003 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm7003trpbfree-datasheets-0022.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 98 недель | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 50В | 350мВт Та | 0,28 А | N-канал | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В при 250 мкА | 280 мА Та | 0,76 нк при 4,5 В | 1,8 В 10 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ6C050UNTR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rq6c050untr-datasheets-0064.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 5А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,25 Вт Та | 5А | 10А | 0,038Ом | N-канал | 900пФ при 10 В | 30 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 5А Та | 12 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6K202FE,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6k202felf-datasheets-0152.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 6 | EAR99 | Нет | 1 | 20 нс | 31 нс | 2,3А | 12 В | 500мВт Та | 30 В | N-канал | 270пФ при 10В | 85 мОм при 1,5 А, 4 В | 1 В @ 1 мА | 2,3А Та | 1,8 В 4 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ3E120GNTB | РОМ Полупроводник | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-rq3e120gntb-datasheets-0172.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 20 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 9,6 нс | 4,5 нс | 3,4 нс | 25,5 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2 Вт Та 16 Вт Тс | N-канал | 590пФ при 15В | 8,8 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 12А Та | 10 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC8884 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fdc8884-datasheets-0139.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 36мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 800мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 1нс | 1 нс | 11 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | МО-193АА | 8А | 0,023Ом | 25 пФ | 30 В | N-канал | 465пФ при 15В | 23 мОм при 6,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А Та 8 А Тс | 7,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| РТМ002П02Т2Л | РОМ Полупроводник | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rtm002p02t2l-datasheets-9867.pdf | -20В | -200мА | СОТ-723 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 1,5 Ом | 3 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 9 нс | 6нс | 6 нс | 35 нс | 200 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -700мВ | 150 мВт Та | 0,2 А | -20В | P-канал | 50пФ при 10В | -700 мВ | 1,5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 2 В при 1 мА | 200 мА Та | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RF4E080GNTR | РОМ Полупроводник | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-rf4e080gntr-datasheets-9937.pdf | 8-PowerUDFN | 6 | 20 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Н6 | 6,9 нс | 3,6 нс | 2,4 нс | 17,3 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2 Вт Та | 8А | 32А | 30 В | N-канал | 295пФ при 15В | 17,6 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8А Та | 5,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RUF025N02ФРАТЛ | РОМ Полупроводник | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 3-СМД, плоский вывод | 16 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 800мВт Та | N-канал | 370пФ при 10В | 54 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 2,5 А Та | 5нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6341-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-mch6341tle-datasheets-4123.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 36 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | Олово | Нет | 1,5 Вт | 1 | 7,5 нс | 26нс | 35 нс | 45 нс | 5А | 20 В | 30 В | -30В | P-канал | 430пФ при 10 В | 59 мОм при 3 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 5А Та | 10 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСМН2012-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-mcmn2012tp-datasheets-9872.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | да | 260 | 10 | 20 В | N-канал | 1800пФ при 4В | 11 мОм при 9,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12А Та | 32 НК при 5 В | 1,2 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP1045UFY4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp1045ufy47-datasheets-9777.pdf | 3-XFDFN | 15 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1 | Другие транзисторы | 14 нс | 22нс | 75 нс | 74 нс | 5,5 А | 8В | Одинокий | 12 В | 700мВт Та | -12В | P-канал | 1291пФ при 10 В | 32 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,5 А Та | 23,7 НК при 8 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2020UFCL-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2020ufcl7-datasheets-9971.pdf | 6-PowerUFDFN | 1788 нФ | Без свинца | 23 недели | 6 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДМН2020 | 1 | Одинокий | 3,8 нс | 5,7 нс | 6,8 нс | 33 нс | 9А | 10 В | 610мВт Та | 20 В | N-канал | 1788пФ при 10 В | 14 мОм при 9 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 9А Та | 21,5 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6HP04MH-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-6hp04mhtlw-datasheets-9617.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 14 недель | 124,596154 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 18,4 нс | 15,2 нс | 41 нс | 113 нс | 370 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 60В | 600мВт Та | 0,37 А | -60В | P-канал | 24,1 пФ при 20 В | 4,2 Ом при 190 мА, 10 В | 370 мА Та | 0,84 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVR4501NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntr4501nt1g-datasheets-3712.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,5 нс | 3 нс | 12 нс | 3,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,25 Вт, Тидж. | 0,08 Ом | 20 В | N-канал | 200пФ при 10В | 80 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3.2А Та | 6 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2088LCP3-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp2088lcp37-datasheets-9998.pdf | 3-XFDFN | 28 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 1,13 Вт | P-канал | 160пФ при 10В | 88 мОм при 500 мА, 8 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,9А Та | 1,5 нк @ 4,5 В | 1,8 В 8 В | -12В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1403BDL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1403bdlt1e3-datasheets-0031.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | 150 мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 568мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 30 нс | 30 нс | 28 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | 20 В | 568мВт Та | P-канал | 150 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 1,4 А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| МСМ1216-ТП | Микро Коммерческая Компания | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-mcm1216tp-datasheets-9863.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | да | 12 В | 2,5 Вт Та 18 Вт Тс | P-канал | 2700пФ при 10 В | 21 мОм при 6,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 16А Та | 100 НК при 8 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3377-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mch3377tlw-datasheets-9805.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 8 недель | 124,596154 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | 1 | 1 | Другие транзисторы | 8,1 нс | 26нс | 37 нс | 42 нс | 3А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | 3А | P-канал | 375пФ при 10 В | 83 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 3А Та | 4,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6445-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph6445tlw-datasheets-9900.pdf | СОТ-23-6 | Без свинца | 7 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е6 | 1,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 5,5 нс | 13 нс | 27 нс | 3,5 А | 20 В | Одинокий | 60В | 1,6 Вт Та | N-канал | 310пФ при 20В | 117 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 А Та | 6,8 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD25480F3T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФемтоФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-СМД, без свинца | 690 мкм | 600 мкм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 345 мкм | НИЖНИЙ | 260 | CSD25480 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 1,7 А | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | -950мВ | 500мВт Та | 0,26 Ом | 4,7 пФ | P-канал | 155пФ при 10В | 132 мОм при 400 мА, 8 В | 1,2 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 0,91 нк при 10 В | 1,8 В 8 В | -12В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6444-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-cph6444tle-datasheets-4110.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 6 | 1 | Одинокий | 7,3 нс | 9,8 нс | 24 нс | 40 нс | 4,5 А | 20 В | 60В | 1,6 Вт Та | N-канал | 505пФ при 20В | 78 мОм при 2 А, 10 В | 4,5 А Та | 10 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1424EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $7,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1424edht1ge3-datasheets-9709.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | Нет СВХК | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | 30 | 1,56 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 150 нс | 300 нс | 1,6 мкс | 5,6 мкс | 4А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 400мВ | 1,56 Вт Ta 2,8 Вт Tc | 4А | 0,033Ом | N-канал | 33 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Тк | 18 НК при 8 В | 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||
| RTF025N03ФРАТЛ | РОМ Полупроводник | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 3-СМД, плоский вывод | 3 | 16 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1,5 В | 800мВт Та | 0,098Ом | N-канал | 270пФ при 10В | 67 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 2,5 А Та | 5,2 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗС3151ПТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzs3151pt5g-datasheets-4006.pdf | -20В | -950 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 | 9 недель | Нет СВХК | 150 мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 170 мВт | 1 | Другие транзисторы | 5 нс | 12нс | 12 нс | 23,7 нс | -950 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | -1В | 170мВт Та | -20В | P-канал | 458пФ при 16В | -1 В | 150 м Ом @ 950 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 860 мА Та | 5,6 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||
| СТФ20Н95К5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперМЕШ5™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stb20n95k5-datasheets-5261.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 17 недель | 330МОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ОДИНОКИЙ | СТФ20 | 3 | 40 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 12нс | 20 нс | 70 нс | 17,5А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 15,5 А | 62А | 950В | N-канал | 1500пФ при 100В | 330 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 17,5 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4496ССС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg4496sss13-datasheets-9680.pdf&product=diodesincorporated-dmg4496sss13-9424972 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,42 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 4,76 нс | 3,64 нс | 4,9 нс | 19,5 нс | 10А | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,42 Вт Та | 60А | 30 В | N-канал | 493,5 пФ при 15 В | 21,5 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10А Та | 10,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| PMN42XPEAH | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmn42xpeax-datasheets-6275.pdf | СК-74, СОТ-457 | 4 недели | 20 В | 500 мВт Ta 8,33 Вт Tc | P-канал | 1410пФ при 10 В | 46 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 5,7А Та | 17,3 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RUF020N02TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-2sa1774ebtlr-datasheets-4143.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ДВОЙНОЙ | 260 | 3 | 10 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 17нс | 30 нс | 30 нс | 2А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 320мВт Та | 2А | N-канал | 180пФ при 10В | 105 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2А Та | 2 нк @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТП12Н120К5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ К5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw12n120k5-datasheets-1855.pdf | ТО-220-3 | 3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | СТП12 | 3 | 250 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 48А | 0,69 Ом | N-канал | 1370пФ при 100В | 690 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 12А Ц | 44,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РРР040П03ТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohm-rrr040p03tl-datasheets-0137.pdf | СК-96 | Без свинца | 3 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 1 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 30 нс | 45 нс | 85 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 1 Вт Та | 4А | 0,045 Ом | P-канал | 1000пФ при 10В | 45 мОм при 4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4А Та | 10,5 НК при 5 В | 4В 10В | ±20 В |
