Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFX64N60P | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfk64n60p-datasheets-9087.pdf | 600В | 64А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 96МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,04 кВт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 24 нс | 79 нс | 64А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1040 Вт Тс | 150А | 600В | N-канал | 12000пФ при 25В | 96 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 64А Тк | 200 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТФ25Н80К5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперМЕШ5™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stp25n80k5-datasheets-2009.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,6 мм | 16,4 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | СТФ25 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 25 нс | 13нс | 15 нс | 60 нс | 19,5А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 78А | 0,26 Ом | 200 мДж | 800В | N-канал | 1600пФ при 100В | 260 мОм при 19,5 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 19,5 А Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЧ76Н60НФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СупреМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fch76n60nf-datasheets-8824.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | 3 | 12 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 543 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 51 нс | 44нс | 43 нс | 213 нс | 72,8А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 543 Вт Тс | ТО-247АБ | 600В | N-канал | 11045пФ при 100В | 38 мОм при 38 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 72,8А Ц | 300 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C2M0080120D | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | С2М™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cree-c2m0080120d-datasheets-9967.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,1 мм | 5,21 мм | 16 недель | Неизвестный | 3 | Нет | Одинокий | 208 Вт | 1 | ТО-247-3 | 950пФ | 12 нс | 23,2 нс | 31,6А | 25В | 1200В | 3,2 В | 192 Вт Тс | 80мОм | 1,2 кВ | N-канал | 950пФ при 1000В | 1,7 В | 98 мОм при 20 А, 20 В | 4 В при 5 мА | 36А Тк | 62 НК при 5 В | 98 мОм | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMW120R060M1HXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-imw120r060m1hxksa1-datasheets-8838.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | 1,2 кВ | 150 Вт Тс | N-канал | 1,06 нФ при 800 В | 78 мОм при 13 А, 18 В | 5,7 В @ 5,6 мА | 36А Тк | 31 НК при 18 В | 15В 18В | +23В, -7В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX44N80P | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfx44n80p-datasheets-9972.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,2 кВт | 1 | Не квалифицирован | 22нс | 27 нс | 75 нс | 44А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1040 Вт Тс | 100А | 0,19 Ом | 800В | N-канал | 12000пФ при 25В | 190 мОм при 22 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 44А Тк | 198 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STFW69N65M5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ V | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw69n65m5-datasheets-0121.pdf | ISOWATT218FX | 15,7 мм | 26,7 мм | 5,7 мм | Без свинца | 12 недель | 45мОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | СТФВ | Одинокий | 70 Вт | 1 | 102 нс | 102 нс | 58А | 25В | 79 Вт Тс | 650В | N-канал | 6420пФ при 100В | 45 мОм при 29 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 58А Тк | 143 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT170N25X3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh170n25x3-datasheets-2189.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | да | 250 В | 960 Вт Тс | N-канал | 13500пФ при 25В | 7,4 мОм при 85 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 170А Ц | 190 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0065100J | Кри/Вулфспид | 18,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/wolfspeed-c3m0065100j-datasheets-9977.pdf | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 16 недель | Д2ПАК-7 | 1000В | 113,5 Вт Тс | 65мОм | N-канал | 660пФ при 600В | 78 мОм при 20 А, 15 В | 3,5 В при 5 мА | 35А Ц | 35 НК при 15 В | 15 В | +15В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT30N60L2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Линейный L2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixtt30n60l2-datasheets-9983.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 540 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 2,5 В | 540 Вт Тс | 80А | 0,24 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10700пФ при 25В | 240 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 335 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STWA40N95DK5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ ДК5 | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw40n95dk5-datasheets-8759.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | STWA40 | 950В | 450 Вт Тс | N-канал | 3480пФ при 100В | 130 мОм при 19 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 38А Тц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK90N20Q | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/ixys-ixfx90n20q-datasheets-0699.pdf | 200В | 90А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 8 недель | 22МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 31 нс | 12 нс | 82 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 200 нс | 2500 мДж | 200В | N-канал | 6800пФ при 25В | 22 мОм при 45 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 90А Ц | 190 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT16P60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16p60p-datasheets-8613.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 3 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 460 Вт Тс | ТО-247 | 48А | 0,72 Ом | 2500 мДж | P-канал | 5120пФ при 25 В | 720 м Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 16А Ц | 92 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK66N85X | ИКСИС | $26,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk66n85x-datasheets-8865.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19 недель | да | 66А | 850В | 1250 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 65 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 66А Тк | 230 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r037c6fksa1-datasheets-8806.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | 22 нс | 32нс | 7 нс | 140 нс | 83,2А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 297А | N-канал | 7240пФ при 100В | 37 мОм при 33,1 А, 10 В | 3,5 В при 3,3 мА | 83,2А Ц | 330 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW48NM60N | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ II | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw48nm60n-datasheets-8811.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 70МОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | STW48N | 3 | Одинокий | 255 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 99 нс | 18нс | 25,5 нс | 214 нс | 44А | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,2 В | 330 Вт Тс | 457 мДж | 600В | N-канал | 4285пФ при 50В | 70 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44А Тк | 124 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX32P60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk32p60p-datasheets-0724.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 890 Вт Тс | 96А | P-канал | 11100пФ при 25В | 350 мОм при 16 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 32А Тк | 196 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STWA40N90K5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ К5 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stw40n90k5-datasheets-5515.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | STWA40 | 900В | 446 Вт Тс | N-канал | 3260пФ при 100В | 99 мОм при 20 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 40А Ц | 89 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW40N95DK5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ ДК5 | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw40n95dk5-datasheets-8759.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | STW40N | 950В | 450 Вт Тс | N-канал | 3480пФ при 100В | 130 мОм при 19 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 38А Тц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK110N07 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixfk110n07-datasheets-8763.pdf | 70В | 110А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 8 недель | 6МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 60нс | 60 нс | 100 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 600А | 2000 мДж | 70В | N-канал | 9000пФ при 25В | 6 м Ом при 55 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 110А Ц | 480 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-ipw60r040c7xksa1-datasheets-8766.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 50А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 227 Вт Тс | 211А | 0,04 Ом | 249 мДж | N-канал | 4340пФ при 400В | 40 мОм при 24,9 А, 10 В | 4 В @ 1,24 мА | 50А Ц | 107 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TP65H070LSG | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТП65Х070Л | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf | 3-PowerDFN | 12 недель | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 400В | 85 мОм при 16 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 25А Ц | 9,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT3160KLHRC11 | РОМ Полупроводник | $30,23 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sct3160klhrc11-datasheets-8774.pdf | ТО-247-3 | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1200В | 103 Вт | N-канал | 398пФ при 800В | 208 мОм при 5 А, 18 В | 5,6 В при 2,5 мА | 17А Тк | 42 НК при 18 В | 18В | +22В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0075120J | Кри/Вулфспид | $10,83 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 7 | 16 недель | не_совместимо | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г7 | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 1200В | 113,6 Вт Тс | 30А | 80А | 0,09 Ом | N-канал | 1350пФ при 1000В | 90 мОм при 20 А, 15 В | 4 В при 5 мА | 30А Ц | 51 НК при 15 В | 15 В | +19В, -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0065100K | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | 150°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-247-4 | 5,21 мм | 16 недель | 1 | 113,5 Вт | 150°С | ТО-247-4Л | 20 нс | 19 нс | 35А | 1000В | 113,5 Вт Тс | 65мОм | 1кВ | N-канал | 660пФ при 600В | 78 мОм при 20 А, 15 В | 3,5 В при 5 мА | 35А Ц | 35 НК при 15 В | 15 В | +19В, -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАН063-650ВСАК | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-gan063650wsaq-datasheets-8789.pdf | ТО-247-3 | 650В | 143 Вт Та | N-канал | 1000пФ при 400В | 60 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 34,5А Та | 15 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW90R120C3FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipw90r120c3fksa1-datasheets-8791.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 417 Вт Тс | 36А | 96А | 0,12 Ом | 1940 мДж | N-канал | 6800пФ при 100В | 120 мОм при 26 А, 10 В | 3,5 В при 2,9 мА | 36А Тк | 270 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw65r080cfdafksa1-datasheets-8797.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 20 нс | 18нс | 6 нс | 85 нс | 43,3А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 391 Вт Тс | 0,08 Ом | 650В | N-канал | 4440пФ при 100В | 80 мОм при 17,6 А, 10 В | 4,5 В при 1,76 мА | 43,3А Тс | 161 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH220N20X3 | ИКСИС | $17,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft220n20x3hv-datasheets-2115.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 200В | 960 Вт Тс | N-канал | 13600пФ при 25В | 6,2 мОм при 110 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 220А Ц | 204 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW65N80K5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ К5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw65n80k5-datasheets-8741.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | STW65N | НЕ УКАЗАН | 46А | 800В | 446 Вт Тс | N-канал | 3230пФ при 100В | 80 мОм при 23 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 46А Тц | 92 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
