Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТФ45Н65М5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ V | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stb45n65m5-datasheets-1527.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 16,4 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | СТФ45Н | Одинокий | 40 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 79,5 нс | 79,5 нс | 35А | 25В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 140А | 0,078Ом | 810 мДж | 650В | N-канал | 3375пФ при 100 В | 78 мОм при 19,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 35А Ц | 91 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX100N65X2 | ИКСИС | $74,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx100n65x2-datasheets-8750.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | неизвестный | 100А | 650В | 1040 Вт Тс | N-канал | 11300пФ при 25В | 30 мОм при 50 А, 10 В | 5,5 В при 4 мА | 100А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N85XHV | ИКСИС | $14,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk50n85x-datasheets-1394.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | да | 50А | 850В | 890 Вт Тс | N-канал | 4480пФ при 25В | 105 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В при 4 мА | 50А Ц | 152 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ipp60r125cfd7xksa1-datasheets-6382.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 227 Вт Тс | N-канал | 4354пФ при 400В | 40 мОм при 24,9 А, 10 В | 4,5 В @ 1,25 мА | 50А Ц | 109 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА60Р060П7ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P7 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r060p7xksa1-datasheets-8687.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 18 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 29 Вт Тс | ТО-220АБ | 151А | 0,06 Ом | 159 мДж | N-канал | 2895пФ при 400В | 60 мОм при 15,9 А, 10 В | 4 В @ 800 мкА | 48А ТЦ | 67 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX98N50P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx98n50p3-datasheets-8690.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,3 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 35 нс | 8нс | 6 нс | 65 нс | 98А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1300 Вт Тс | 245А | 0,05 Ом | 2000 мДж | 500В | N-канал | 13100пФ при 25В | 50 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 98А Тц | 197 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФПС40Н50ЛПБФ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-irfps40n50l-datasheets-5766.pdf | 500В | 46А | ТО-274АА | 16,1 мм | 20,8 мм | 5,3 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Неизвестный | 87мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 450 Вт | 1 | СУПЕР-247™ (ТО-274АА) | 8.11нФ | 27 нс | 170 нс | 69 нс | 50 нс | 46А | 30 В | 500В | 5В | 540 Вт Тс | 100мОм | 500В | N-канал | 8110пФ при 25 В | 100 мОм при 28 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 46А Тц | 380 НК при 10 В | 100 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW50N65DM2AG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stw50n65dm2ag-datasheets-8702.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | STW50N | НЕ УКАЗАН | 28А | 650В | 300 Вт Тс | N-канал | 3200пФ при 100В | 87 мОм при 19 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 70 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТФВ40Н60М2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ II Плюс | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stf40n60m2-datasheets-9731.pdf | ISOWATT218FX | 15,7 мм | 26,7 мм | 5,7 мм | 12 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТФВ | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 20,5 нс | 96 нс | 34А | 25В | 600В | 63 Вт Тс | N-канал | 2500пФ при 100В | 88 мОм при 17 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 34А Тк | 57 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА3Н120 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp3n120-datasheets-9177.pdf | 1,2 кВ | 3А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 28 недель | 4,5 Ом | 3 | Нет | Одинокий | 150 Вт | 1 | ТО-263 (ИКСТА) | 1,35 нФ | 15 нс | 18 нс | 32 нс | 3А | 20 В | 1200В | 200 Вт Тс | 4,5 Ом | 1,1 кВ | N-канал | 1350пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 42 НК при 10 В | 4,5 Ом | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N25X3 | ИКСИС | $14,27 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n25x3hv-datasheets-4378.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 250В | 780 Вт Тс | N-канал | 10400пФ при 25В | 9 мОм при 75 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 150А Ц | 154 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0075120K | Кри/Вулфспид | $17,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | ТО-247-4 | 16 недель | ТО-247-4Л | 1200В | 113,6 Вт Тс | 75мОм | N-канал | 1350пФ при 1000В | 90 мОм при 20 А, 15 В | 4 В при 5 мА | 30А Ц | 51 НК при 15 В | 15 В | +19В, -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3206LDGB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsb-datasheets-2033.pdf | 3-PowerDFN | 10 недель | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 81 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В при 500 мкА | 16А Ц | 9,3 нк при 4,5 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЧ023Н65С3Л4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ® III | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fch023n65s3l4-datasheets-8729.pdf | ТО-247-4 | 12 недель | 6,289 г | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 75А | 650В | 595 Вт Тс | N-канал | 7160пФ при 400В | 23 мОм при 37,5 А, 10 В | 4,5 В при 7,5 мА | 75А Ц | 222 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП65Р045С7ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp65r045c7xksa1-datasheets-8660.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 227 Вт | 1 | 20 нс | 14 нс | 7 нс | 82 нс | 46А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 227 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,045 Ом | 249 мДж | N-канал | 4340пФ при 400В | 45 мОм при 24,9 А, 10 В | 4 В @ 1,25 мА | 46А Тц | 93 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТП65Х070ЛДГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТП65Х070Л | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf | 3-PowerDFN | 12 недель | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 400В | 85 мОм при 16 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 25А Ц | 9,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИХГ47Н60Е-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sihg47n60ee3-datasheets-8669.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 38.000013г | Неизвестный | 64мОм | 3 | Нет | 1 | Одинокий | 357 Вт | 1 | ТО-247АС | 9,62 нФ | 24 нс | 11нс | 13 нс | 94 нс | 47А | 20 В | 600В | 2,5 В | 357 Вт Тс | 64мОм | 600В | N-канал | 9620пФ при 100В | 64 мОм при 24 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 47А Тц | 220 НК при 10 В | 64 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r070p6xksa1-datasheets-8676.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 18 недель | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 23 нс | 15 нс | 4 нс | 64 нс | 53,5А | 30 В | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 391 Вт Тс | 156А | 0,07 Ом | N-канал | 4750пФ при 100В | 70 мОм при 20,6 А, 10 В | 4,5 В при 1,72 мА | 53,5 А Тс | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT90P10P | ИКСИС | $10,83 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt90p10p-datasheets-8682.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 90А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 462 Вт Тк | 225А | 0,025 Ом | 2500 мДж | P-канал | 5800пФ при 25 В | 25 мОм при 45 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 90А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0065090J | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2006 г. | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 16 недель | Нет СВХК | 7 | Д2ПАК-7 | 35А | 900В | 2,1 В | 113 Вт Тс | 65мОм | N-канал | 660пФ при 600В | 78 мОм при 20 А, 15 В | 2,1 В при 5 мА | 35А Ц | 30 НК при 15 В | 15 В | +19В, -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH1N200P3 | ИКСИС | $7,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n200p3hv-datasheets-1754.pdf | ТО-247-3 | 8 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1А | 2000В | 125 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 25 В | 40 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1А Тк | 23,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r070c6fksa1-datasheets-8623.pdf | ТО-247-3 | 3 | 2 недели | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 391 Вт Тс | ТО-247АА | 53А | 159А | 0,07 Ом | 1135 мДж | N-канал | 3800пФ при 100В | 70 мОм при 25,8 А, 10 В | 3,5 В при 1,72 мА | 53А Тк | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ300П226 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | StrongIRFET™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-irf300p226-datasheets-8628.pdf | ТО-247-3 | 26 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300В | 556 Вт Тс | N-канал | 10030пФ при 50В | 19 мОм при 45 А, 10 В | 4 В @ 270 мкА | 100А | 191 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT120N30X3HV | ИКСИС | $17,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh120n30x3-datasheets-9080.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 300В | 735 Вт Тс | N-канал | 10,5 нФ при 25 В | 11 мОм при 60 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 120А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИМВ120Р220М1ХХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-imw120r220m1hxksa1-datasheets-8636.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | 1,2 кВ | 75 Вт Тс | N-канал | 289пФ при 800В | 286 мОм при 4 А, 18 В | 5,7 В @ 1,6 мА | 13А Тк | 8,5 НК при 18 В | 15В 18В | +23В, -7В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0120090J | Кри/Вулфспид | 10,55 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/wolfspeed-c3m0120090j-datasheets-9878.pdf | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 16 недель | Нет СВХК | 7 | Д2ПАК-7 | 22А | 900В | 2,1 В | 83 Вт Тс | 120 мОм | N-канал | 350пФ при 600В | 155 мОм при 15 А, 15 В | 3,5 В при 3 мА | 22А Тк | 17,3 НК при 15 В | 15 В | +18В, -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STW58N65DM2AG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stw58n65dm2ag-datasheets-8642.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | STW58N | НЕ УКАЗАН | 48А | 650В | 360 Вт Тс | N-канал | 4100пФ при 100 В | 65 мОм при 24 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 88 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛ033Н65С3ХФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FRFET®, SuperFET® III | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nthl033n65s3hf-datasheets-8646.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 650В | 500 Вт Тс | N-канал | 6720пФ при 400В | 33 мОм при 35 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 70А Ц | 188 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irfp4368pbf-datasheets-8650.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,3086 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 1,85 МОм | 3 | EAR99 | Нет | Одинокий | 520 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 43 нс | 220 нс | 260 нс | 170 нс | 350А | 20 В | 75В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 520 Вт Тс | ТО-247АС | 200 нс | 75В | N-канал | 19230пФ при 50В | 4 В | 1,85 мОм при 195 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 195А Ц | 570 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LSIC1MO120E0160 | Литтелфус Инк. | $9,48 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/littelfuseinc-lsic1mo120e0160-datasheets-8592.pdf | ТО-247-3 | 25 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1200В | 125 Вт Тс | N-канал | 870пФ при 800В | 200 мОм при 10 А, 20 В | 4 В при 5 мА | 22А Тк | 57 НК при 20 В | 20 В | +22В, -6В |
