Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV48XPAR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmv48xpar-datasheets-9325.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 11 нс | 13нс | 23 нс | 61 нс | 3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 510 мВт Ta 4,15 Вт Tc | 0,055 Ом | P-канал | 1000пФ при 10В | 55 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BKWX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-nx7002bkwx-datasheets-9042.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 270 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 310 мВт Ta 1,67 Вт Tc | 0,24 А | 3,2 Ом | N-канал | 23,6 пФ при 10 В | 2,8 Ом при 200 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 270 мА Та | 1 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЗБ670УПЕ,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmzb670upe315-datasheets-9063.pdf | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | Олово | Нет | е3 | ДА | НИЖНИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 715 МВт | 1 | 18 нс | 30 нс | 72 нс | 80 нс | 680 мА | 8В | -20В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 360 мВт Ta 2,7 Вт Tc | 0,68А | 0,85 Ом | -20В | P-канал | 87пФ при 10 В | 850 мОм при 400 мА, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 680 мА Та | 1,14 нК @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCTWA50N120 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sctwa50n120-datasheets-9181.pdf | ТО-247-3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СКТВА | 1200В | 318 Вт Тк | N-канал | 1900пФ при 400В | 69 мОм при 40 А, 20 В | 3 В @ 1 мА | 65А Ц | 122 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002Т-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-2n7002ttp-datasheets-9191.pdf | СОТ-523 | 3 | 91 неделя | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 150 мВт | 0,115А | 5 пФ | N-канал | 50пФ при 25В | 13,5 Ом при 500 мА, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 115 мА | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЗ1000УН,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmz1000un315-datasheets-9205.pdf | СК-101, СОТ-883 | 3 | 8 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | НИЖНИЙ | 3 | 350 мВт | 1 | 4 нс | 7,5 нс | 4,5 нс | 18 нс | 480 мА | 8В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350мВт Та | 0,48 А | 1 Ом | N-канал | 43пФ при 25В | 1 Ом при 200 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 480 мА Та | 0,89 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН65Д8ЛФБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn65d8lfb7b-datasheets-4295.pdf | 3-УФДФН | 3 | 23 недели | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-PBCC-N3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 430мВт Та | 0,4 А | 4Ом | N-канал | 25пФ при 25В | 3 Ом при 115 мА, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 260 мА Та | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ3407-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microcommercialco-si3407tp-datasheets-9245.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | да | 260 | 10 | 30 В | 350мВт Та | P-канал | 700пФ при 15В | 87 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 3 В @ 250 мкА | 4.1А Та | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBF170Q-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-mmbf170q13f-datasheets-7335.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 500 мА | 60В | 300мВт Та | N-канал | 40пФ при 10В | 5 Ом при 200 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 500 мА Та | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ2304-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/microcommercialco-si2304tp-datasheets-9249.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 22 недели | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | 250мВт Та | 2,5 А | 0,065 Ом | N-канал | 240пФ при 15В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 3 В @ 250 мкА | 2,5 А Та | 10 нк @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN55D0UTQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn55d0ut7-datasheets-6347.pdf | СОТ-523 | 3 | 17 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г3 | 160 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 50В | 50В | 200мВт Та | 0,16 А | 4Ом | N-канал | 25пФ при 10В | 4 Ом при 100 мА, 4 В | 1 В при 250 мкА | 160 мА Та | 2,5 В 4 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTF1N450 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf1n450-datasheets-9289.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | неизвестный | Одинокий | 165 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 60нс | 127 нс | 58 нс | 900 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 4500В | 160 Вт Тс | 0,9 А | 3А | 80Ом | 4,5 кВ | N-канал | 1730пФ при 25В | 85 Ом при 50 мА, 10 В | 6,5 В при 250 мкА | 900 мА Тс | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФК3506010Л | Электронные компоненты Panasonic | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-fk3506010l-datasheets-9241.pdf | СК-85 | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 12Ом | 85 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 100 нс | 100 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,2 В | 150 мВт Та | 0,1 А | 60В | N-канал | 12пФ при 3В | 1,2 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА Та | 2,5 В 4 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RV2C002UNT2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/rohmsemiconductor-rv2c002unt2l-datasheets-9089.pdf | СК-101, СОТ-883 | 16 недель | Нет СВХК | 1,4 Ом | 1006 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 180 мА | 20 В | 1В | 100 мВт Та | N-канал | 12пФ при 10В | 2 Ом при 150 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 180 мА Та | 1,2 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C2M0045170P | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | С2М™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4 | 16 недель | ТО-247-4 | 1700В | 520 Вт Тс | N-канал | 3672пФ при 1000 В | 59 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 18 мА | 72А Тк | 188 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN50N80Q2 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixfn50n80q2-datasheets-0052.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 10 недель | 150 мОм | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1135 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25нс | 13 нс | 60 нс | 50А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1135 Вт Тс | 200А | 5000 мДж | 800В | N-канал | 13500пФ при 25В | 160 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 50А Ц | 260 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT3022KLHRC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sct3022klhrc11-datasheets-8991.pdf | ТО-247-3 | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1200В | 427 Вт | N-канал | 2879пФ при 800В | 28,6 мОм при 36 А, 18 В | 5,6 В @ 18,2 мА | 95А Ц | 178 НК при 18 В | 18В | +22В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K16CTC,L3F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k16ctcl3f-datasheets-8997.pdf | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 12пФ при 10В | 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 200 мА Та | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИМЗ120Р030М1ХХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolSiC™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-imz120r030m1hxksa1-datasheets-9000.pdf | ТО-247-4 | 20 недель | 1,2 кВ | 227 Вт Тс | N-канал | 2,12 нФ при 800 В | 40 мОм при 25 А, 18 В | 5,7 В @ 10 мА | 56А Ц | 63 НК при 18 В | 15В 18В | +23В, -7В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN27N80 | ИКСИС | $5,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk27n80-datasheets-0806.pdf | 800В | 27А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 8 недель | 300мОм | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 520 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 80нс | 40 нс | 75 нс | 27А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 520 Вт Тс | 250 нс | 108А | 800В | N-канал | 9740пФ при 25 В | 300 мОм при 13,5 А, 10 В | 4,5 В при 8 мА | 27А ТЦ | 400 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT3030KLHRC11 | РОМ Полупроводник | 50,50 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sct3030klhrc11-datasheets-9012.pdf | ТО-247-3 | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1200В | 339 Вт | N-канал | 2222пФ при 800 В | 39 мОм при 27 А, 18 В | 5,6 В @ 13,3 мА | 72А Тк | 131 НК при 18 В | 18В | +22В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0016120K | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | ТО-247-4 | 4 недели | ТО-247-4 | 1,2 кВ | 556 Вт Тс | N-канал | 6085пФ при 1000В | 22,3 мОм при 75 А, 15 В | 3,6 В при 23 мА | 115А Ц | 211 НК при 15 В | 15 В | +15В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЗБ950УПЕЙЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pmzb950upeyl-datasheets-9018.pdf | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3 | 1 | 500 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 360 мВт Ta 2,7 Вт Tc | 0,5 А | P-канал | 43пФ при 10 В | 1,4 Ом при 500 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 500 мА Та | 2,1 нк @ 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН1260УФА-7Б | Диодс Инкорпорейтед | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn1260ufa7b-datasheets-9051.pdf | 3-XFDFN | 60пФ | 2 | 15 недель | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Н2 | 7,4 нс | 18,8 нс | 59,2 нс | 106,5 нс | 500 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360мВт Та | 0,5 А | 12 В | N-канал | 60пФ при 10В | 366 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 500 мА Та | 0,96 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП21Д2УФА-7Б | Диодс Инкорпорейтед | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmp21d2ufa7b-datasheets-9003.pdf | 3-XFDFN | 49пФ | 2 | 15 недель | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Н2 | 10,3 нс | 37,3 нс | 163 нс | 330 нс | 330 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 360мВт Та | 1 Ом | -20В | P-канал | 49пФ при 15В | 1 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 330 мА Та | 0,8 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0021120K | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | C3M™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4 | 4 недели | ТО-247-4Л | 1200В | 469 Вт Тс | N-канал | 4818пФ при 1000В | 28,8 мОм при 50 А, 15 В | 3,6 В @ 17,7 мА | 100А Ц | 162 НК при 15 В | 15 В | +15В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RHU003N03FRAT106 | РОМ Полупроводник | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 16 недель | Неизвестный | 3 | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 300 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 2,5 В | 200мВт | N-канал | 20пФ при 10В | 1,2 Ом при 300 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 300 мА Та | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RU1E002SPTCL | РОМ Полупроводник | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-ru1e002sptcl-datasheets-9029.pdf | СК-85 | Без свинца | 3 | 16 недель | 85 | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 250 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 200мВт Та | 0,25 А | P-канал | 30пФ при 10В | 1,4 Ом при 250 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 250 мА Та | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЗБ200ЮНЕЙЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-pmzb200uneyl-datasheets-9127.pdf | 3-XFDFN | 3 | 8 недель | 3 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3 | 1 | 1,4 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 350 мВт Ta 6,25 Вт Tc | 0,25 Ом | N-канал | 89пФ при 15В | 250 мОм при 1,4 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,4 А Та | 2,7 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STY112N65M5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МДмеш™ V | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sty112n65m5-datasheets-8926.pdf | ТО-247-3 | 5,9 мм | 20,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | Нет СВХК | 22МОм | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ЛАВИННАЯ ЭНЕРГИЯ | Нет | е3 | Олово (Вс) | STY112 | 3 | Одинокий | 625 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 267 нс | 79нс | 140 нс | 53 нс | 96А | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 4В | 625 Вт Тс | 710В | N-канал | 16870пФ при 100В | 22 мОм при 47 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 96А Тц | 350 НК при 10 В | 10 В | ±25 В |
