| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH3355-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3355tlh-datasheets-6858.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 7 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Олово | не_совместимо | 1 | 4,5 нс | 4,2 нс | 10,6 нс | 20 нс | 2,5 А | 20 В | 30 В | 1 Вт Та | P-канал | 172пФ при 10 В | 156 мОм при 1 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 2,5 А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM650P02CX РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 25 недель | 20 В | 1,56 Вт Тс | P-канал | 515пФ при 10 В | 65 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 4.1А Тс | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2075UDW-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dmn2075udw7-datasheets-9556.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 40 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7,4 нс | 9,8 нс | 6,7 нс | 28,1 нс | 2,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500мВт Та | 0,048Ом | 20 В | N-канал | 594,3 пФ при 10 В | 48 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,8А Та | 7 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К62ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 3-СМД, плоский вывод | 12 недель | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 177пФ при 10 В | 57 мОм при 800 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 800 мА Та | 2 нк @ 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMCM4401UNEZ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/nexperiausainc-pmcm4401unez-datasheets-9622.pdf | 4-XFBGA, WLCSP | 13 недель | 20 В | 400мВт | 43мОм | N-канал | 6,2 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ5E025ATTCL | РОМ Полупроводник | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | СК-96 | 3 | 20 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1 Вт Тс | 2,5 А | 0,135 Ом | P-канал | 220пФ при 15В | 91 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2,5 А Та | 2,7 НК при 4,5 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP1096UCB4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmp1096ucb47-datasheets-9725.pdf | 4-УФБГА, WLBGA | Без свинца | 4 | 20 недель | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 17,6 нс | 26,9 нс | 32,3 нс | 37,5 нс | 2,6А | -5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | 820мВт Та | -12В | P-канал | 251пФ при 6В | 102 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6А Та | 3,7 нК @ 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3456-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph3456tlh-datasheets-6830.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | Олово | не_совместимо | е6 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 6,2 нс | 19нс | 28 нс | 30 нс | 3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | 0,071 Ом | N-канал | 260пФ при 10В | 71 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 3,5 А Та | 2,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН16XNEX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmn16xnex-datasheets-9503.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 6 | Р-ПДСО-Г6 | 6,9А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 550 мВт Ta 6,25 Вт Tc | 0,019 Ом | N-канал | 1136пФ при 10 В | 19 мОм при 6,9 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 6,9А Та | 17 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN62D0LFB-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn62d0lfb7b-datasheets-4483.pdf | 3-УФДФН | Без свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | Нет | е4 | НИЖНИЙ | 3 | 1 | Одинокий | 470мВт | 1 | 3,4 нс | 3,4 нс | 16,3 нс | 26,4 нс | 100 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 470мВт Та | 2Ом | 6 пФ | N-канал | 32пФ при 25В | 2 Ом при 100 мА, 4 В | 1 В при 250 мкА | 100 мА Та | 0,45 нк при 4,5 В | 1,5 В 4 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6HP04CH-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-6hp04chtlw-datasheets-9512.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 10 недель | 1,437803г | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 600мВт | 1 | Другие транзисторы | 370 мА | Одинокий | 60В | 0,37 А | -60В | P-канал | 24,1 пФ при 20 В | 4,2 Ом при 190 мА, 10 В | 370 мА Та | 0,84 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФКА35Н60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fca35n60-datasheets-9527.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 3 | 12 недель | 6,401 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | Одинокий | 312,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 34 нс | 120 нс | 73 нс | 105 нс | 35А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 3В | 312,5 Вт Тс | 105А | 0,098Ом | 1455 мДж | 650В | N-канал | 6640пФ при 25 В | 98 мОм при 17,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 35А Ц | 181 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3376-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mch3376tle-datasheets-7861.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1 | 5,3 нс | 9,7 нс | 14 нс | 16 нс | 1,5 А | 10 В | 20 В | 800мВт Та | -20В | P-канал | 120пФ при 10В | 241 мОм при 750 мА, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 1,5 А Та | 1,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМВ37ЕН2Р | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pmv37en2r-datasheets-9540.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 3 нс | 12нс | 2 нс | 11 нс | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 510 мВт Ta 5 Вт Tc | N-канал | 209пФ при 15В | 36 мОм при 4,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 6,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RW1C026ZPT2CR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 12 недель | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 700мВт Та | 0,07 Ом | P-канал | 1250пФ при 10В | 70 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2,5 А Та | 10 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2990УФЗ-7Б | Диодс Инкорпорейтед | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn2990ufz7b-datasheets-9373.pdf | 3-XFDFN | 389пФ | 3 | 15 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | АЭК-Q101 | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2990 марок | 2 | Одинокий | 1 | 3,5 нс | 2,1 нс | 7,7 нс | 22 нс | 250 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 320мВт Та | 0,99 Ом | 5,6 пФ | 20 В | N-канал | 55,2 пФ при 16 В | 990 мОм при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 250 мА Та | 0,5 нк при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТА4153NT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nta4153nt1g-datasheets-6401.pdf | СК-75, СОТ-416 | 5 недель | 20 В | 300мВт Тидж | N-канал | 110пФ при 16В | 230 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 915 мА Та | 1,82 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВС4001NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nts4001nt1g-datasheets-6789.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 330мВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 нс | 23нс | 82 нс | 94 нс | 270 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 330мВт Та | 0,27 А | 2Ом | N-канал | 33пФ при 5В | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 270 мА Та | 1,3 НК при 5 В | 2,5 В 4 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ3139К-ТП | Микро Коммерческая Компания | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-si3139ktp-datasheets-9201.pdf | СОТ-723 | 22 недели | EAR99 | 260 | 10 | 20 В | 150 мВт | P-канал | 170пФ при 16В | 950 мОм при 500 мА, 10 В | 800 мВ при 250 мкА | 660 мА | 4,5 В | ±6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCQ9435-TP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-mcq9435tp-datasheets-9426.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 22 недели | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 105 мОм при 2 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 5.1А Та | 40 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ3E070BNTB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rq3e070bntb-datasheets-9444.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 20 недель | Нет СВХК | 20мОм | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 2,5 В | 2 Вт Та | 7А | N-канал | 410пФ при 15В | 27 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А Та | 8,9 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К347Р,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСИВ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k347rlf-datasheets-9464.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 12 недель | 38В | 2 Вт Та | N-канал | 86пФ при 10В | 340 мОм при 1 А, 10 В | 2,4 В при 1 мА | 2А Та | 2,5 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J352F,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3j352flf-datasheets-9411.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 20 В | 1,2 Вт Та | P-канал | 210пФ при 10В | 110 мОм при 2 А, 10 В | 1,2 В при 1 мА | 2А Та | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCT3022ALHRC11 | РОМ Полупроводник | $60,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sct2080kehrc11-datasheets-0253.pdf | ТО-247-3 | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 339 Вт | N-канал | 2208пФ при 500В | 28,6 мОм при 36 А, 18 В | 5,6 В @ 18,2 мА | 93А Тц | 133 НК при 18 В | 18В | +22В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN7002WH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/infineontechnologies-sn7002wh6327xtsa1-datasheets-9209.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Одинокий | 500мВт | 1 | 2,4 нс | 2,8 нс | 8,5 нс | 6 нс | 230 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | 500мВт Та | 5Ом | 4,5 пФ | 60В | N-канал | 45пФ при 25В | 5 Ом при 230 мА, 10 В | 1,8 В @ 26 мкА | 230 мА Та | 1,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЗ390УН,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pmz390un315-datasheets-9321.pdf | СК-101, СОТ-883 | 1,02 мм | 470 мкм | 620 мкм | Без свинца | 3 | 8 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 460МОм | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | НИЖНИЙ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 2,5 Вт | 1 | 4 нс | 7,5 нс | 4,5 нс | 18 нс | 1,78А | 8В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700мВ | 2,5 Вт Тс | 30 В | N-канал | 43пФ при 25В | 460 мОм при 200 мА, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 1,78 А Тс | 0,89 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| PMV48XPAR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmv48xpar-datasheets-9325.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 11 нс | 13нс | 23 нс | 61 нс | 3,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 510 мВт Ta 4,15 Вт Tc | 0,055 Ом | P-канал | 1000пФ при 10В | 55 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ2307-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microcommercialco-si2307tp-datasheets-9277.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | да | 260 | 10 | 30 В | 1,1 Вт Та | P-канал | 340пФ при 15В | 135 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 3 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 6,2 нк при 4,5 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН30UNX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/nexperiausainc-pmn30unx-datasheets-9338.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 4 недели | МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 4,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 530 мВт Ta 4,46 Вт Tc | 0,04 Ом | N-канал | 635пФ при 15 В | 40 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,5 А Та | 12 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМВ33УПЕ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-pmv33upe215-datasheets-9357.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 3 | 11 нс | 30 нс | 39 нс | 83 нс | 4,4А | 8В | -20В | 20 В | 490мВт Та | P-канал | 1820пФ при 10В | 36 мОм при 3 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 4,4А Та | 22,1 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.