Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Эмкость Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Справочный стандарт Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Код JESD-30 Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Максимальное двойное напряжение питания Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Пороговое напряжение Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный сток (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL РОМ Полупроводник 0,38 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 СК-96 3 20 недель EAR99 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 1 Вт Тс 2,5 А 0,135 Ом P-канал 220пФ при 15В 91 мОм при 2,5 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 2,5 А Та 2,7 НК при 4,5 В 10 В ±20 В
DMP1096UCB4-7 DMP1096UCB4-7 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/diodesincorporated-dmp1096ucb47-datasheets-9725.pdf 4-УФБГА, WLBGA Без свинца 4 20 недель Нет СВХК 4 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 4 1 Одинокий 40 1 Другие транзисторы 17,6 нс 26,9 нс 32,3 нс 37,5 нс 2,6А -5В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 12 В 820мВт Та -12В P-канал 251пФ при 6В 102 мОм при 500 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА 2,6А Та 3,7 нК @ 4,5 В 1,5 В 4,5 В
CPH3456-TL-W CPH3456-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-cph3456tlh-datasheets-6830.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 3 7 недель АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да Олово не_совместимо е6 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1 Р-ПДСО-Г3 6,2 нс 19нс 28 нс 30 нс 3,5 А 12 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 20 В 20 В 1 Вт Та 0,071 Ом N-канал 260пФ при 10В 71 мОм при 1,5 А, 4,5 В 1,3 В при 1 мА 3,5 А Та 2,8 нк @ 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±12 В
PMN16XNEX ПМН16XNEX Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/nexperiausainc-pmn16xnex-datasheets-9503.pdf СК-74, СОТ-457 6 4 недели МЭК-60134 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 6 6 Р-ПДСО-Г6 6,9А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В 20 В 550 мВт Ta 6,25 Вт Tc 0,019 Ом N-канал 1136пФ при 10 В 19 мОм при 6,9 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 6,9А Та 17 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±12 В
DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/diodesincorporated-dmn62d0lfb7b-datasheets-4483.pdf 3-УФДФН Без свинца 3 16 недель Нет СВХК 3 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Золото Нет е4 НИЖНИЙ 3 1 Одинокий 470мВт 1 3,4 нс 3,4 нс 16,3 нс 26,4 нс 100 мА 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 60В 60В 470мВт Та 2Ом 6 пФ N-канал 32пФ при 25В 2 Ом при 100 мА, 4 В 1 В при 250 мкА 100 мА Та 0,45 нк при 4,5 В 1,5 В 4 В ±20 В
6HP04CH-TL-W 6HP04CH-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 /files/onsemiconductor-6hp04chtlw-datasheets-9512.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 10 недель 1,437803г АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 600мВт 1 Другие транзисторы 370 мА Одинокий 60В 0,37 А -60В P-канал 24,1 пФ при 20 В 4,2 Ом при 190 мА, 10 В 370 мА Та 0,84 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
FCA35N60 ФКА35Н60 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать СуперФЕТ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-fca35n60-datasheets-9527.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 15,8 мм 20,1 мм 5 мм 3 12 недель 6,401 г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) Одинокий 312,5 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 34 нс 120 нс 73 нс 105 нс 35А 30 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 312,5 Вт Тс 105А 0,098Ом 1455 мДж 650В N-канал 6640пФ при 25 В 98 мОм при 17,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 35А Ц 181 НК при 10 В 10 В ±30 В
MCH3376-TL-W MCH3376-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-mch3376tle-datasheets-7861.pdf 3-СМД, плоский вывод Без свинца 8 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да 1 5,3 нс 9,7 нс 14 нс 16 нс 1,5 А 10 В 20 В 800мВт Та -20В P-канал 120пФ при 10В 241 мОм при 750 мА, 4,5 В 1,4 В при 1 мА 1,5 А Та 1,7 НК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±10 В
PMV37EN2R ПМВ37ЕН2Р Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/nexperiausainc-pmv37en2r-datasheets-9540.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 4 недели 3 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Олово ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 3 нс 12нс 2 нс 11 нс 4,5 А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 510 мВт Ta 5 Вт Tc N-канал 209пФ при 15В 36 мОм при 4,5 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 4,5 А Та 6,3 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
RW1C026ZPT2CR RW1C026ZPT2CR РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год СОТ-563, СОТ-666 6 12 недель EAR99 не_совместимо ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф6 2,5 А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В 20 В 700мВт Та 0,07 Ом P-канал 1250пФ при 10В 70 мОм при 2,5 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 2,5 А Та 10 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±10 В
RRR040P03TL РРР040П03ТЛ РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/rohm-rrr040p03tl-datasheets-0137.pdf СК-96 Без свинца 3 20 недель 3 да EAR99 Нет е1 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3 1 Одинокий 10 1 Другие транзисторы 15 нс 30 нс 45 нс 85 нс 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 1 Вт Та 0,045 Ом P-канал 1000пФ при 10В 45 мОм при 4 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 4А Та 10,5 НК при 5 В 4В 10В ±20 В
CPH3355-TL-W CPH3355-TL-W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3355tlh-datasheets-6858.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 7 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да Олово не_совместимо 1 4,5 нс 4,2 нс 10,6 нс 20 нс 2,5 А 20 В 30 В 1 Вт Та P-канал 172пФ при 10 В 156 мОм при 1 А, 10 В 2,6 В @ 1 мА 2,5 А Та 3,9 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
TSM650P02CX RFG TSM650P02CX РФГ Тайванская полупроводниковая корпорация 2,75 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Диги-Рил® 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 25 недель 20 В 1,56 Вт Тс P-канал 515пФ при 10 В 65 мОм при 3 А, 4,5 В 800 мВ при 250 мкА 4.1А Тс 5,1 нк @ 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±10 В
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 Диодс Инкорпорейтед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/diodesincorporated-dmn2075udw7-datasheets-9556.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 40 недель 6,010099мг Нет СВХК 6 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е3 Матовый олово (Sn) ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 1 Одинокий 40 1 Полевой транзистор общего назначения 7,4 нс 9,8 нс 6,7 нс 28,1 нс 2,8А КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500мВт Та 0,048Ом 20 В N-канал 594,3 пФ при 10 В 48 мОм при 3 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 2,8А Та 7 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
SSM3K62TU,LF ССМ3К62ТУ,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,14 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать У-МОСVII-H Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 3-СМД, плоский вывод 12 недель 20 В 1 Вт Та N-канал 177пФ при 10 В 57 мОм при 800 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА 800 мА Та 2 нк @ 4,5 В 1,2 В 4,5 В ±8 В
RQ3E070BNTB RQ3E070BNTB РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2014 год /files/rohmsemiconductor-rq3e070bntb-datasheets-9444.pdf 8-PowerVDFN 5 20 недель Нет СВХК 20мОм 8 EAR99 не_совместимо ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф5 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 2,5 В 2 Вт Та N-канал 410пФ при 15В 27 мОм при 7 А, 10 В 2,5 В при 1 мА 7А Та 8,9 нк при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
SSM3K347R,LF ССМ3К347Р,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,35 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать У-МОСИВ Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k347rlf-datasheets-9464.pdf SOT-23-3 Плоские выводы 12 недель 38В 2 Вт Та N-канал 86пФ при 10В 340 мОм при 1 А, 10 В 2,4 В @ 1 мА 2А Та 2,5 НК при 10 В 4В 10В ±20 В
SSM3J352F,LF SSM3J352F,ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,39 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать У-МОСВИ Поверхностный монтаж 150°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3j352flf-datasheets-9411.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 12 недель 20 В 1,2 Вт Та P-канал 210пФ при 10В 110 мОм при 2 А, 10 В 1,2 В при 1 мА 2А Та 5,1 нк @ 4,5 В 1,8 В 10 В ±12 В
SCT3022ALHRC11 SCT3022ALHRC11 РОМ Полупроводник $60,08
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Сквозное отверстие 175°С, ТиДжей 1 (без блокировки) SiCFET (карбид кремния) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sct2080kehrc11-datasheets-0253.pdf ТО-247-3 21 неделя не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 650В 339 Вт N-канал 2208пФ при 500В 28,6 мОм при 36 А, 18 В 5,6 В @ 18,2 мА 93А Тц 133 НК при 18 В 18В +22В, -4В
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать СИПМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 1996 год /files/infineontechnologies-sn7002wh6327xtsa1-datasheets-9209.pdf СК-70, СОТ-323 2 мм 800 мкм 1,25 мм Без свинца 3 10 недель 3 да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 1 Одинокий 500мВт 1 2,4 нс 2,8 нс 8,5 нс 6 нс 230 мА 20 В 60В КРЕМНИЙ 500мВт Та 5Ом 4,5 пФ 60В N-канал 45пФ при 25В 5 Ом при 230 мА, 10 В 1,8 В @ 26 мкА 230 мА Та 1,5 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
PMZ390UN,315 ПМЗ390УН,315 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчМОС™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год /files/nexperiausainc-pmz390un315-datasheets-9321.pdf СК-101, СОТ-883 1,02 мм 470 мкм 620 мкм Без свинца 3 8 недель 453,59237мг Нет СВХК 460МОм 3 EAR99 Олово Нет е3 ДА НИЖНИЙ 260 3 Одинокий 30 2,5 Вт 1 4 нс 7,5 нс 4,5 нс 18 нс 1,78А 30 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 700мВ 2,5 Вт Тс 30 В N-канал 43пФ при 25В 460 мОм при 200 мА, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 1,78 А Тс 0,89 нк при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
PMV48XPAR PMV48XPAR Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/nexperiausainc-pmv48xpar-datasheets-9325.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 3 4 недели 3 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ Олово ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 11 нс 13нс 23 нс 61 нс 3,5 А 12 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В 20 В 510 мВт Ta 4,15 Вт Tc 0,055 Ом P-канал 1000пФ при 10В 55 мОм при 2,4 А, 4,5 В 1,25 В @ 250 мкА 3,5 А Та 11 НК при 4,5 В 2,5 В 4,5 В ±12 В
SI2307-TP СИ2307-ТП Микрокоммерческие компоненты (MCC)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/microcommercialco-si2307tp-datasheets-9277.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 22 недели да 260 10 30 В 1,1 Вт Та P-канал 340пФ при 15В 135 мОм при 2,6 А, 4,5 В 3 В @ 250 мкА 2,7А Та 6,2 нк при 4,5 В 10 В ±20 В
PMN30UNX ПМН30UNX Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2016 год /files/nexperiausainc-pmn30unx-datasheets-9338.pdf СК-74, СОТ-457 6 4 недели МЭК-60134 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 6 1 Р-ПДСО-Г6 4,5 А КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 530 мВт Ta 4,46 Вт Tc 0,04 Ом N-канал 635пФ при 15 В 40 мОм при 4,5 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 4,5 А Та 12 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±12 В
PMV33UPE,215 ПМВ33УПЕ,215 Нексперия США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год /files/nexperiausainc-pmv33upe215-datasheets-9357.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 4 недели 3 Нет е3 Олово (Вс) 3 11 нс 30 нс 39 нс 83 нс 4,4А -20В 20 В 490мВт Та P-канал 1820пФ при 10В 36 мОм при 3 А, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 4,4А Та 22,1 НК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
IXFN64N50P IXFN64N50P IXYS / Литтльфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПоларХВ™ Крепление на корпус, панель, винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2003 г. /files/ixys-ixfn64n50p-datasheets-9367.pdf 500В 64А СОТ-227-4, миниБЛОК 38,23 мм 9,6 мм 25,42 мм Без свинца 4 30 недель Нет СВХК 85МОм 4 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ УЛ Нет Никель (Ni) ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 Одинокий 700 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 30 нс 25нс 22 нс 85 нс 61А 30 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 5,5 В 700 Вт Тс 50А 2500 мДж 500В N-канал 8700пФ при 25 В 85 мОм при 32 А, 10 В 5,5 В при 8 мА 61А Тк 150 НК при 10 В 10 В ±30 В
DMN2990UFZ-7B ДМН2990УФЗ-7Б Диодс Инкорпорейтед 0,40 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn2990ufz7b-datasheets-9373.pdf 3-XFDFN 389пФ 3 15 недель 3 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ е4 Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) АЭК-Q101 НИЖНИЙ НЕТ ЛИДЕСА 2990 марок 2 Одинокий 1 3,5 нс 2,1 нс 7,7 нс 22 нс 250 мА КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 320мВт Та 0,99 Ом 5,6 пФ 20 В N-канал 55,2 пФ при 16 В 990 мОм при 100 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА 250 мА Та 0,5 нк при 4,5 В 1,2 В 4,5 В ±8 В
NTA4153NT3G НТА4153NT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nta4153nt1g-datasheets-6401.pdf СК-75, СОТ-416 5 недель 20 В 300мВт Тидж N-канал 110пФ при 16В 230 мОм при 600 мА, 4,5 В 1,1 В @ 250 мкА 915 мА Та 1,82 НК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±6 В
NVS4001NT1G НВС4001NT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-nts4001nt1g-datasheets-6789.pdf СК-70, СОТ-323 Без свинца 3 8 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да Нет е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 Одинокий 330мВт 1 Полевой транзистор общего назначения 17 нс 23нс 82 нс 94 нс 270 мА 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 330мВт Та 0,27 А 2Ом N-канал 33пФ при 5В 1,5 Ом при 10 мА, 4 В 1,5 В @ 100 мкА 270 мА Та 1,3 НК при 5 В 2,5 В 4 В ±20 В
SI3139K-TP СИ3139К-ТП Микро Коммерческая Компания 0,45 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-si3139ktp-datasheets-9201.pdf СОТ-723 22 недели EAR99 260 10 20 В 150 мВт P-канал 170пФ при 16В 950 мОм при 500 мА, 10 В 800 мВ при 250 мкА 660 мА 4,5 В ±6 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.