Одиночные МОП-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные МОП-транзисторы(33658)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Рабочая температура (макс.) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Рассеиваемая мощность-Макс. Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
IXFJ80N20Q IXFJ80N20Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
IXFX30N50 IXFX30N50 ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ совместимый е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕТ ОДИНОКИЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ НЕ УКАЗАН 3 150°С НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 500В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 30А 120А 0,16 Ом 1500 мДж
APT12080JVR АПТ12080JVR Корпорация Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИЛОВАЯ МОП V® Винт Крепление на шасси -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt12080jvr-datasheets-3275.pdf СОТ-227-4, миниБЛОК Без свинца 4 да EAR99 УЛ ПРИЗНАЛ Нет ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 4 1 Полевой транзистор общего назначения Р-ПУФМ-Х4 16 нс 12нс 12 нс 59 нс 15А 30В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1200В 1200В 450 Вт Тс 60А 0,8 Ом 2500 мДж N-канал 7800пФ при 25 В 800 мОм при 7,5 А, 10 В 4 В @ 2,5 мА 15А Ц 485 НК при 10 В 10 В ±30 В
NVMFS6B25NLWFT1G НВМФС6Б25НЛВФТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b25nlwft3g-datasheets-3219.pdf 8-PowerTDFN, 5 выводов АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 100В 3,6 Вт Та 62 Вт Тс N-канал 905пФ при 25 В 24 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 8А Та 33А Та 13,5 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±16 В
IXFK80N10Q IXFK80N10Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
SFT1341-TL-E SFT1341-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1341e-datasheets-2646.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 Без свинца 3 да EAR99 Нет 3 Одинокий 15 Вт 1 9 нс 50 нс 80 нс 81 нс 10А 10 В 1 Вт Та 15 Вт Тс 40В P-канал 650пФ при 20В 112 мОм при 5 А, 4,5 В 1,4 В при 1 мА 10А Та 8 нк при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±10 В
IXFH32N48 IXFH32N48 ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS ТО-247-3 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ совместимый НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 480В 480В 360 Вт Тс ТО-247АД 32А 128А 0,13 Ом 1500 мДж N-канал 5200пФ при 25В 130 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 4 мА 32А Тк 300 НК при 10 В 10 В ±20 В
IXFR21N50Q IXFR21N50Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(Дж Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов
STD5407NNT4G STD5407NNT4G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-std5407nnt4g-datasheets-3283.pdf
IXFJ32N50 IXFJ32N50 ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 3 да ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ совместимый е3 Матовый олово (Sn) НЕТ ОДИНОКИЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ НЕ УКАЗАН 4 150°С НЕ УКАЗАН 1 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 360 Вт 500В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК ТО-268АА 32А 128А 0,15 Ом 1500 мДж
BXL4004-1E BXL4004-1E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 150°С Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bxl40041e-datasheets-3285.pdf ТО-220-3 Без свинца 3 ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) 3 Одинокий 40В 75 Вт Тс N-канал 8200пФ при 20 В 3,9 мОм при 50 А, 10 В 100А Та 140 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
IXFJ40N30Q IXFJ40N30Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfj40n30q-datasheets-3240.pdf ТО-220-3, короткая вкладка 300В 300 Вт Тс N-канал 4800пФ при 25В 80 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 4 мА 40А Ц 200 НК при 10 В 10 В ±20 В
IXFD14N100-8X IXFD14N100-8X ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS Править да совместимый НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 1000В 0,75 Ом N-канал
IXFJ15N100Q IXFJ15N100Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-1EX ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4066dl1e-datasheets-7005.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 60В 1,65 Вт Та 90 Вт Тс N-канал 12500пФ при 20В 4,7 мОм при 50 А, 10 В 100А Та 220 НК при 10 В
IXFD80N10Q-8XQ IXFD80N10Q-8XQ ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Править 100В N-канал
IXFJ80N10Q IXFJ80N10Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
2SJ438(CANO,A,Q) 2SJ438(КАНО,А,К) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf ТО-220-3 Полный пакет ТО-220НИС
NVMFS6B25NLT1G НВМФС6Б25НЛТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b25nlwft3g-datasheets-3219.pdf 8-PowerTDFN, 5 выводов 42 недели АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 100В 3,6 Вт Та 62 Вт Тс N-канал 905пФ при 25 В 24 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 8А Та 33А Та 13,5 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±16 В
IXFC24N50Q IXFC24N50Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc26n50-datasheets-8452.pdf ISOPLUS220™ 3 да совместимый е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 500В 500В 230 Вт Тс 21А 84А 0,23 Ом N-канал 4200пФ при 25В 230 мОм при 10,5 А, 10 В 4 В @ 4 мА 21А Тц 135 НК при 10 В 10 В ±20 В
NTLUS4C16NTAG NTLUS4C16NTAG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать µCool™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntlus4c16ntag-datasheets-3250.pdf 6-PowerUFDFN Без свинца АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да е3 Олово (Вс) 30В 2,37 Вт Та N-канал 690пФ при 15 В 11,4 мОм при 8 А, 10 В 1,1 В @ 250 мкА 9.4А Та 7,5 нк @ 4,5 В 1,8 В 10 В ±12 В
IXFD28N50Q-72 IXFD28N50Q-72 ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
NVMFS6B75NLT3G НВМФС6Б75НЛТ3Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b75nlwft3g-datasheets-3175.pdf 8-PowerTDFN, 5 выводов АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 100В 3,5 Вт Та 56 Вт Тс N-канал 740пФ при 25В 30 мОм при 10 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 7А Та 28А Ц 11,3 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±16 В
2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-1EX ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4065dl1e-datasheets-6957.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 75В 1,65 Вт Та 90 Вт Тс N-канал 12200пФ при 20В 6 м Ом при 50 А, 10 В 100А Та 220 НК при 10 В
IXFH32N48Q IXFH32N48Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 480В 360 Вт Тс N-канал 5200пФ при 25В 130 мОм при 15 А, 10 В 4 В @ 4 мА 32А Тк 300 НК при 10 В 10 В ±20 В
IXFH67N10Q IXFH67N10Q ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh67n10q-datasheets-3230.pdf ТО-247-3 100В 300 Вт Тс N-канал 4500пФ при 25В 25 мОм при 33,5 А, 10 В 4 В @ 4 мА 67А Тк 260 НК при 10 В 10 В ±20 В
NVMFS6B85NLWFT1G НВМФС6Б85НЛВФТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b85nlt1g-datasheets-4665.pdf 8-PowerTDFN, 5 выводов АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да не_совместимо е3 Олово (Вс) 100В 3,5 Вт Та 42 Вт Тс N-канал 480пФ при 25В 46 мОм при 10 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 5,6 А Та 19 А Тс 7,9 НК при 10 В 4,5 В 10 В ±16 В
IXFD80N20Q-8XQ IXFD80N20Q-8XQ ИКСИС
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerFET™ 150°С, ТДж Масса 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) Править 200В N-канал
IXFH12N50F IXFH12N50F IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать HiPerRF™ Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2001 г. /files/ixys-ixft12n100f-datasheets-4455.pdf ТО-247-3 3 10 недель Нет СВХК 400мОм 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НЕТ НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 180 Вт 1 Не квалифицированный 14 нс 8 нс 28 нс 12А 20 В КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 180 Вт Тс 48А 500В N-канал 1870пФ при 25В 400 мОм при 6 А, 10 В 5,5 В при 2,5 мА 12А Ц 54 НК при 10 В 10 В ±20 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)