Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM10N06CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 45 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 30В | 65 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 10,5 нк при 4,5 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM7N65ACI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | 650В | 40 Вт Тс | N-канал | 1406пФ при 25В | 1,45 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7А Тк | 27,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB088N08_F141 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 75В | 160 Вт Тс | N-канал | 6595пФ при 25 В | 8,8 мОм при 75 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120А Ц | 118 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM8N70CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | 700В | 40 Вт Тс | N-канал | 2006пФ при 25В | 900 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8А Тк | 32 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC655BN_NBNN007 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 30 В | 800мВт | N-канал | 620пФ при 15 В | 25 мОм при 6,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,3А | 13 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6N50CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 500В | 90 Вт Тс | N-канал | 900пФ при 25В | 1,4 Ом @ 2,8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,6А Та | 25 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСМ2НБ65Ч Х0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | ТО-251 (ИПАК) | 650В | 65 Вт Тс | N-канал | 390пФ при 25В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2А Тк | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM13N50ACI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | $2,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 500В | 52 Вт Тс | N-канал | 1965 пФ при 25 В | 480 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 13А Тк | 31 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS84AK-BR | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bss84ak215-datasheets-4988.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 50В | 1,14 Вт Тс | P-канал | 36пФ при 25В | 7,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 180 мА Та | 0,35 нк при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС123/ЛФ1Р | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bss123lf1r-datasheets-3438.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 100В | 250мВт Та | N-канал | 40пФ при 25В | 6 Ом при 120 мА, 10 В | 2,8 В при 1 мА | 150 мА Та | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3414Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao3414l-datasheets-3440.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,4 Вт Та | 4,2А | 30А | 0,05 Ом | N-канал | 320пФ при 10В | 62 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 3,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||
| FDS6298_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 1,2 Вт | N-канал | 1108пФ при 15В | 9 мОм при 13 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А | 14 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС5К658НЛВФТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvtfs5c658nltag-datasheets-3125.pdf | 8-PowerWDFN | 5 | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 114 Вт Тс | 18А | 440А | 0,073Ом | 142 мДж | N-канал | 1935 пФ при 25 В | 5 м Ом при 50 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 109А Тк | 12 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| TSM2311CX РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23 | 20 В | 900мВт Та | P-канал | 640пФ при 6В | 55 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 4А Та | 6 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2NB60CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | $6,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm2nb60chc5g-datasheets-3368.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 600В | 44 Вт Тс | N-канал | 249пФ при 25В | 4,4 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 9,4 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD23N60Q-72 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | Править | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 0,35 Ом | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX24N100F | ИКСИС | 14,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerRF™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk24n100f-datasheets-3062.pdf | ТО-247-3 | 3 | 10 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 18нс | 11 нс | 52 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 560 Вт Тс | 96А | 0,0039Ом | 3000 мДж | 1кВ | N-канал | 6600пФ при 25В | 390 мОм при 12 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 24А Тк | 195 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||
| IPC90R800C3X1SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD40N30Q-72 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | Править | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 0,095Ом | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4NB60CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm4nb60czc0g-datasheets-3403.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 500пФ при 25В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 14,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH1799 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4N70CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | 700В | 56 Вт Тс | N-канал | 595пФ при 25В | 3,3 Ом при 2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 14 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2N7000KCT A3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsm2n7000kctb0g-datasheets-7496.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 60В | 400мВт Та | N-канал | 7,32 пФ при 25 В | 5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 300 мА Та | 0,4 нк при 4,5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD26N60Q-8XQ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Т-ФД28Н50К-72 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4NC60CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИТО-220АБ | 600В | 40 Вт Тс | N-канал | 654пФ при 50В | 2,5 Ом @ 1,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 4А Тк | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD3055L104T4G-VF01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6NB60CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 8 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 40 Вт Тс | N-канал | 872пФ при 25 В | 1,6 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Ц | 18,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM2NB65CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 650В | 65 Вт Тс | N-канал | 390пФ при 25В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2А Тк | 13 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4459CS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 6205пФ при 15 В | 5,2 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 17А Та | 78,4 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
