| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | ECCN-код | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Пиковая температура оплавления (Цел) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НДС355АН_Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СуперСОТ-3 | 30В | 500мВт Та | N-канал | 195пФ при 15В | 85 мОм при 1,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 5 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС0306С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQPF10N60C_F105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqpf10n60cf105-datasheets-3667.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 2,27 г | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 9,5А | 38А | 0,73 Ом | 700 мДж | N-канал | 2040пФ при 25В | 730 мОм при 4,75 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9,5 А Тс | 57 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| ФДЗ191П_П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-УФБГА, ВЛЦП | 20 В | 1,9 Вт Та | P-канал | 800пФ при 10В | 85 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3А Та | 13 НК при 10 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB86360_SN00307 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 80В | 333 Вт Тс | N-канал | 14600пФ при 25В | 1,8 мОм при 80 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 110А Ц | 253 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6690A_NBBM015A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2,5 Вт Та | N-канал | 1205пФ при 15В | 12,5 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 16 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB9403_SN00268 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 40В | 333 Вт Тиджей | N-канал | 12700пФ при 25В | 1,2 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 110А Ц | 213 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7694_SN00176 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerTDFN | 30В | 2,5 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 1410пФ при 15В | 9,5 мОм при 13,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13,2 А Та 20 А Тс | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDN339AN_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 700пФ при 10В | 35 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS0309AS_SN00347 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerTDFN | 30В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 15В | 3,5 мОм при 21 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 21А Та 49А Ц | 47 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3415_108 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4833BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4833bdyt1ge3-datasheets-3568.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 1,75 Вт | 1 | 8-СОИК | 3,8А | 20 В | 30В | 2,75 Вт Тс | P-канал | 350пФ при 15В | 68 мОм при 3,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 4,6 А Тс | 14 НК @ 10 В | Диод Шоттки (изолированный) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| FCA47N60F_SN00171 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fca47n60fsn00171-datasheets-5991.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 600В | 417 Вт | N-канал | 8000пФ при 25В | 73 мОм при 23,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 47А | 270 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6764 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerSMD, плоские выводы | 30В | 42 Вт Тс | N-канал | 2120пФ при 15В | 2,8 мОм при 20 А, 10 В | 1,9 В @ 250 мкА | 85А Ц | 37 НК при 1 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA905P_F130 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-ВДФН Открытая площадка | 6-микротранзистор (2х2) | 12 В | 2,4 Вт Та | P-канал | 3405пФ при 6В | 16 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10А Та | 29 НК при 6 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS626DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sis626dnt1ge3-datasheets-3630.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 14 недель | PowerPAK® 1212-8 | 25В | 52 Вт Тс | N-канал | 1925пФ при 15В | 9 мОм при 10 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 16А Ц | 60 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCP20N60_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 3080пФ при 25В | 190 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Ц | 98 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСМ6Н60Ч C5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 42 недели | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 600В | 89 Вт Тс | 6А | N-канал | 1248пФ при 25В | 1,25 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6А Тк | 20,7 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD12N20LTM_SN00173 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 200В | 2,5 Вт Та 55 Вт Тс | N-канал | 1080пФ при 25В | 280 мОм при 4,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 9А Тц | 21 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQP13N50C_F105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqp13n50cf105-datasheets-3633.pdf | ТО-220-3 | 3 | 1,8 г | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 195 Вт Тс | ТО-220АБ | 52А | 860 мДж | N-канал | 2055пФ при 25В | 480 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 13А Тк | 56 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| SQM120N04-1M4L_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9407_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60В | 2,5 Вт Та | P-канал | 732пФ при 30 В | 150 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3А Та | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB3632_SB82115 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 100В | 310 Вт Тс | N-канал | 6000пФ при 25В | 9 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Та 80А Ц | 110 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQPF13N50C_F105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fqp13n50cf105-datasheets-3633.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 2,27 г | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 48 Вт Тс | ТО-220АБ | 52А | 860 мДж | N-канал | 2055пФ при 25В | 480 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 13А Тк | 56 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||
| FDB075N15A_SN00284 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 150 В | 333 Вт Тс | N-канал | 7350пФ при 75В | 7,5 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 130А Ц | 100 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8870_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2,5 Вт Та | N-канал | 4615пФ при 15 В | 4,2 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 18А Та | 112 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7692_F126 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 29 Вт | 13,3А | 2,3 Вт Та 29 Вт Тс | 30В | N-канал | 1680пФ при 15В | 8,5 мОм при 13,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13,3 А Та 16 А Цс | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCPF11N60_G | ОН Полупроводник | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СуперФЕТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 Полный пакет | 600В | 36 Вт Тс | N-канал | 1490пФ при 25В | 380 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 52 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3424_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS612EDNT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sis612edntt1ge3-datasheets-3590.pdf | PowerPAK® 1212-8S | Без свинца | 13 недель | PowerPAK® 1212-8S (3,3х3,3) | 2,06 нФ | 50А | 20 В | 3,7 Вт Та 52 Вт Тс | N-канал | 2060пФ при 10В | 3,9 мОм при 14 А, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 50А Ц | 70 НК при 10 В | 3,9 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.