Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОТ12Н60_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot12n60001-datasheets-4617.pdf | ТО-220-3 | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl302snh6327xtsa1-datasheets-4490.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 6,4 нс | 2,8 нс | 1,9 нс | 13,7 нс | 7.1А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 2 Вт Та | 28А | 0,025 Ом | 30 мДж | N-канал | 750пФ при 15В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 2 В @ 30 мкА | 7.1А Та | 6,6 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| ДМП2040УВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 32 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ5СМ170С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 1700В | 52 Вт Тс | N-канал | 325пФ при 1000В | 1,2 Ом при 2 А, 20 В | 3,2 В @ 500 мкА | 4,6 А Тс | 29 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2110У-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp2110u7-datasheets-4534.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 800мВт Та | P-канал | 443пФ при 10 В | 80 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 6 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3056ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp3056l7-datasheets-0604.pdf | 30 В | 1,38 Вт | P-канал | 642пФ при 25 В | 50 мОм при 6 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 4.3А Та | 11,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI08N80C3 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spi08n80c3-datasheets-4541.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 6 недель | да | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 104 Вт Тс | 8А | 24А | 0,65 Ом | 340 мДж | N-канал | 1100пФ при 100В | 650 мОм при 5,1 А, 10 В | 3,9 В @ 470 мкА | 8А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АПТ5СМ170Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt5sm170b-datasheets-4545.pdf | ТО-247-3 | EAR99 | 1700В | 65 Вт Тс | N-канал | 249пФ при 1000В | 1,25 Ом при 2,5 А, 20 В | 3,2 В при 500 мкА | 5А Ц | 21 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM203NH БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm203nhbk-datasheets-4547.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 20 В | 350мВт Та | N-канал | 395пФ при 10 В | 50 мОм при 1,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3.2А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВБ25П06Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntb25p06t4g-datasheets-8205.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 14 нс | 72нс | 190 нс | 43 нс | 27,5А | 15 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | 60В | 120 Вт Тиджей | 80А | 0,082Ом | 600 мДж | P-канал | 1680пФ при 25В | 82 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 27,5А Та | 50 НК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||
| СПП80Н06С08НК | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SIPMOS® | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-220-3 | 55В | 300 Вт Тс | N-канал | 3660пФ при 25 В | 8 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 240 мкА | 80А Ц | 187 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NLWFAFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c450nlaft3g-datasheets-4440.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 40В | 3,7 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 20 В | 2,8 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 27А Та 110А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8449-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fds8449f085p-datasheets-4496.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | 40В | 5 Вт Та | N-канал | 760пФ при 20 В | 29 мОм при 7,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,6А Та | 11 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2049ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2049engrt-datasheets-4363.pdf | Править | Править | 40В | N-канал | 805пФ при 20 В | 5 мОм при 15 А, 5 В | 2,5 В при 6 мА | 16А Та | 7,6 НК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р190С7АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb65r190c7atma2-datasheets-5928.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | Д2ПАК (ТО-263АБ) | 650В | 72 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 400В | 190 мОм при 5,7 А, 10 В | 4 В @ 290 мкА | 13А Тк | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ130СМ70Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt130sm70b-datasheets-4566.pdf | ТО-247-3 | совместимый | 700В | 556 Вт Тс | N-канал | 3950пФ при 700В | 45 мОм при 60 А, 20 В | 2,4 В при 1 мА | 110А Ц | 220 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП08N80C3XK | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 800В | 800В | 104 Вт Тс | ТО-220АБ | 8А | 24А | 0,65 Ом | 340 мДж | N-канал | 1100пФ при 100В | 650 мОм при 5,1 А, 10 В | 3,9 В @ 470 мкА | 8А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R045C7300XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | 650В | 227 Вт Тс | N-канал | 4,34 нФ при 400 В | 45 мОм при 24,9 А, 10 В | 4 В при 1,25 мА | 46А Тц | 93 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ35СМ70С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt35sm70s-datasheets-4513.pdf | ТО-247-3 | 700В | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7261У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/601 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7261u-datasheets-4515.pdf | 18-CLCC | 18-УЛЦК (9,14х7,49) | 100В | 25 Вт Тс | N-канал | 185 мОм при 8 А, 12 В | 4 В @ 1 мА | 8А Тк | 50 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, плоский вывод | 5 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | 40А | 100А | 0,0105Ом | 36 мДж | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 40А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400АЛ_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СМД, плоский вывод | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 40А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП023НЕ7Н3Г | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ 3 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp023ne7n3g-datasheets-4476.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 120А | 480А | 0,0023Ом | 1100 мДж | N-канал | 14400пФ при 37,5 В | 2,3 мОм при 100 А, 10 В | 3,8 В при 273 мкА | 120А Ц | 206 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7269 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/603 | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Поднос | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7269-datasheets-4478.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | ТО-254АА | 200В | 150 Вт Тс | N-канал | 110 мОм при 26 А, 12 В | 4 В @ 1 мА | 26А Тк | 170 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС07Н70АКМА1 | Инфинеон Технологии | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8444-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdd8444f085p-datasheets-4482.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 40В | 153 Вт Та | N-канал | 6195пФ при 25 В | 5,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 50А Та | 116 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFY8N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n65x2-datasheets-1933.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 19 недель | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 790пФ при 25 В | 450 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 11 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2035УВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp2035uvt13-datasheets-4488.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2 Вт Та | 5,2А | 24А | 0,045 Ом | P-канал | 2400пФ при 10 В | 35 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7.2А Та | 23,1 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400АЛ_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СМД, плоский вывод | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 40А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
