Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактOdinoчnыetranhystorы mosfet (33658)
| Срэвниваф | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | Весели | Тела | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | DOSTIчH SVHC | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Спр | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Поседл | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | В. | Верна | Я не могу | Otklючitath -map зaderжki | Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) | Вернека | МАКСИМАЛИНА | ДОГОВОЙ ПЕРЕЙН | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Слюна | Прилоэна | Пола | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | DS Breakdown Tarstage-Min | Power Dissipation-Max | JEDEC-95 Кодеб | Дренан-ток-ток (abs) (id) | Ипюльснтк Слифно -Тока (IDM) | Деджаньиньённик на копротивёни-макс | Rerйtinge evalanche Energy (EAS) | Слив иатошника | ТИП ФЕТ | Взёр. | Н. | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | Vgs (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPDM302PH BK | Central Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm302phbk-datasheets-4578.pdf | SOT-23-3 | 30 | 350 мг | П-канал | 800pf @ 10 a. | 91m ω @ 1,2a, 4,5 | 1,4 В @ 250 мк | 2.4A TA | 9.6NC @ 5V | 2,5 В 4,5 В. | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI08N80C3 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Coolmos ™ | Чereз dыru | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pi08n80c3-datasheets-4541.pdf | 262-3 Long Hads, i2pak, DO 262AA | 3 | 6 | в дар | Оунка -лавин | Сообщите | Не | Одинокий | Nukahan | 3 | Nukahan | 1 | Скандал | Н.Квалиирована | R-PSIP-T3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Псевдон | 800 | 800 | 104W TC | 8. | 24. | 0,65d | 340 MJ | N-канал | 1100pf @ 100v | 650 м ω @ 5,1A, 10 | 3,9 В @ 470 мк | 8A TC | 60nc @ 10 a. | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Apt5sm170b | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Sicfet (kremniewый karbid) | В | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt5sm170b-datasheets-4545.pdf | 247-3 | Ear99 | 1700В | 65W TC | N-канал | 249pf @ 1000v | 1,25 Ом @ 2,5A, 20 | 3,2 В @ 500 мк | 5A TC | 21nc @ 20v | 20 | +25, -10. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM203NH BK | Central Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemyonductorcorp-cmpdm203nhbk-datasheets-4547.pdf | SOT-23-3 | 20 | 350 мг | N-канал | 395pf @ 10v | 50 м ω @ 1,6а, 4,5 | 1,2- 250 мк | 3.2a ta | 10NC @ 4,5 | 2,5 В 4,5 В. | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB25P06T4G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/onsemyonductor-ntb25p06t4g-datasheets-8205.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | СОУДНО ПРИОН | 2 | 2 nede | 3 | Актио, а -ne rec (posledoniй obnownen: 6 дней назад) | в дар | Ear99 | Не | 8541.29.00.95 | E3 | Олово (sn) | AEC-Q101 | В дар | Крхлоп | 3 | Одинокий | 1 | Дригейтере | R-PSSO-G2 | 14 млн | 72NS | 190 млн | 43 м | 27.5a | 15 | Кремни | Ох | Псевдон | N-канал | 60 | 60 | 120 Вт | 80A | 0,082 суда | 600 мк | П-канал | 1680pf @ 25V | 82 м ω @ 25a, 10 В | 4 В @ 250 мк | 27.5a TA | 50NC @ 10V | 10 В | ± 15 В. | |||||||||||||||||||||||
| SPP80N06S08NK | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® | Чereз dыru | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | В | 220-3 | 55 | 300 - ТК | N-канал | 3660pf @ 25V | 8m ω @ 80a, 10 В | 4 w @ 240 мк | 80A TC | 187NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C450NLWFAFT3G | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-nvmfs5c450nlaft3g-datasheets-4440.pdf | 8-powertdfn, 5лидо | 40 | 3,7 th TA 68W TC | N-канал | 2100pf @ 20 a. | 2,8 мм ω @ 40а, 10 | 2 w @ 250 мк | 27A TA 110A TC | 35NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8449-F085P | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fds8449f085p-datasheets-4496.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 8 | PosleDnieepoStakky (posledene obnowynee: 1 ноябрь) | 40 | 5 yta | N-канал | 760pf @ 20v | 29 м ω @ 7,6A, 10 | 3 В @ 250 мк | 7.6A TA | 11NC @ 5V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2049engrt | EPC | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | egan® | Пефер | -40 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Ganfet (intrid galkina) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2049engrt-datasheets-4363.pdf | Умират | Умират | 40 | N-канал | 805pf @ 20 a. | 5mohm @ 15a, 5v | 2,5 - @ 6ma | 16a ta | 7,6NC @ 5V | 5в | +6 В, -4. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Coolmos ™ C7 | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb65r190c7atma2-datasheets-5928.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 20 | D2Pak (TO-263AB) | 650 | 72W TC | N-канал | 1150pf @ 400V | 190mohm @ 5,7a, 10 В | 4 В @ 290 мк | 13a tc | 23NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT130SM70B | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Sicfet (kremniewый karbid) | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt130sm70b-datasheets-4566.pdf | 247-3 | Сообщите | 700 | 556W TC | N-канал | 3950PF @ 700V | 45 м ω @ 60a, 20 В | 2.4V @ 1MA | 110A TC | 220NC @ 20V | 20 | +25, -10. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP08N80C3XK | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Coolmos ™ | Чereз dыru | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 3 (168 чASOW) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 220-3 | 3 | в дар | Оунка -лавин | Сообщите | E3 | Олово (sn) | Не | Одинокий | Nukahan | 3 | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | R-PSFM-T3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | 800 | 800 | 104W TC | ДО-220AB | 8. | 24. | 0,65d | 340 MJ | N-канал | 1100pf @ 100v | 650 м ω @ 5,1A, 10 | 3,9 В @ 470 мк | 8A TC | 60nc @ 10 a. | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Coolmos ™ C7 | Чereз dыru | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 247-3 | 650 | 227W TC | N-канал | 4.34nf @ 400V | 45 м ω @ 24,9а, 10 В | 4 В @ 1,25 | 46A TC | 93NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT35SM70S | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Sicfet (kremniewый karbid) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt35sm70s-datasheets-4513.pdf | 247-3 | 700 | 35A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2n7261u | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/601 | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° С. | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7261u-datasheets-4515.pdf | 18-CLCC | 18-ulcc (9.14x7.49) | 100 | 25 Вт | N-канал | 185mohm @ 8a, 12в | 4 В @ 1MA | 8A TC | 50NC @ 12V | 12 | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Optimos ™ | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | Rohs3 | 2013 | /файлы/InfineOntechnologies BSL302SNH6327XTSA1-DATASHEETS-4490.PDF | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | СОУДНО ПРИОН | 6 | 12 | 6 | Ear99 | О. | E3 | Олово (sn) | БЕЗОПАСНЫЙ | Дон | Крхлоп | Nukahan | Nukahan | 1 | 6,4 млн | 2.8ns | 1,9 млн | 13,7 млн | 7.1a | 20 | 30 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | 2 | 28А | 0,025 д | 30 MJ | N-канал | 750pf @ 15v | 25 м ω @ 7,1a, 10 | 2 w @ 30 мк | 7.1A TA | 6,6NC @ 5V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2040UVT-13 | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 32 nede | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 260 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT5SM170S | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Sicfet (kremniewый karbid) | В | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 1700В | 52W TC | N-канал | 325pf @ 1000v | 1,2 ω @ 2a, 20 В | 3,2 В @ 500 мк | 4.6a tc | 29NC @ 20V | 20 | +25, -10. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2110U-7 | Дидж | $ 0,30 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincortated-dmp2110u7-datasheets-4534.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Ear99 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Nukahan | Nukahan | 20 | 800 мг | П-канал | 443pf @ 10v | 80 м ω @ 2,8a, 4,5 | 1В @ 250 мк | 3.5A TA | 6nc @ 4,5 | 2,5 В 4,5 В. | ± 10 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP3056LVT-13 | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincortated-dmp3056l7-datasheets-0604.pdf | 30 | 1,38 Вт | П-канал | 642pf @ 25V | 50 м ω @ 6a, 10 В | 2.1 h @ 250 мк | 4.3a ta | 11.8nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8444-F085P | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | Neprigodnnый | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fdd8444f085p-datasheets-4482.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 16 | PosleDnieepoStakky (poslegedene obnowoneee: 1 дел. | в дар | 40 | 153W TA | N-канал | 6195pf @ 25V | 5,2 МЕТРА ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 250 мк | 50ATA | 116NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfy8n65x2 | Ixys | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Hiperfet ™ | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n65x2-datasheets-1933.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 19 nedely | 650 | 150 Вт TC | N-канал | 790pf @ 25V | 450 м ω @ 4a, 10 | 5 w @ 250 мк | 8A TC | 11NC @ 10V | 10 В | ± 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2035UVT-13 | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincortated-dmp2035uvt13-datasheets-4488.pdf | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6 | в дар | Ear99 | Вес | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 6 | 40 | 1 | Дригейтере | R-PDSO-G6 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Псевдон | 20 | 20 | 2 | 5.2a | 24. | 0,045ohm | П-канал | 2400pf @ 10 a. | 35 м ω @ 4a, 4,5 | 1,5 -пса 250 мк | 7.2A TA | 23.1nc @ 4,5 | 1,8 В 4,5 В. | ± 12 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7400AL_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-SMD, Плоскин С.С. | 30 | 3,1 th TA 25W TC TC | N-канал | 1380pf @ 15v | 7,5 мм ω @ 20а, 10 | 2,5 -50 мк | 15A TA 40A TC | 24nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2036UVT-13 | Дидж | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 260 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4476G | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 30 | 3,7 | N-канал | 1200pf @ 15v | 10,5 мм ω @ 15a, 10 | 2,5 -50 мк | 15.Та | 23NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jansr2n7380 | Microsemi Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/614 | Чereз dыru | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Поднос | Neprigodnnый | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 1997 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7380-datasheets-4489.pdf | 257-3 | 257 | 100 | 2W TA 75W TC | N-канал | 200 месяцев @ 14.4a, 12 | 4 В @ 1MA | 14.4a tc | 40nc @ 12v | 12 | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7400AL_103 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | 8-SMD, Плоскин С.С. | 30 | 3,1 th TA 25W TC TC | N-канал | 1380pf @ 15v | 7,5 мм ω @ 20а, 10 | 2,5 -50 мк | 15A TA 40A TC | 24nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPS03N60C3 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Coolmos ™ | Чereз dыru | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (neograniчennnый) | Чereз dыru | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/infineontechnologies-sps03n60c3-datasheets-4458.pdf | До 251-3 лиды, Ипак | 3 | 10 nedely | НЕИ | 3 | в дар | Лавина | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Не | Nukahan | 3 | Одинокий | Nukahan | 38 Вт | 1 | Скандал | Н.Квалиирована | 7 млн | 3ns | 12 млн | 64 м | 3.2a | 20 | 600 | 650 | Кремни | 38W TC | 251ааа | 9.6A | 100 MJ | 650 | N-канал | 400pf @ 25V | 3 В | 1,4 ω @ 2a, 10 В | 3,9 В @ 135 мк | 3.2a tc | 17nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. |
