Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Т-ТД1Р4Н60П 11 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvd5890nlt4g-datasheets-4641.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 38 нс | 123А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 4 Вт Та 107 Вт Тс | 400А | 0,0055Ом | N-канал | 4760пФ при 25В | 3,7 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 24А Та 123А Ц | 42 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АО3402Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 390пФ при 15В | 55 мОм при 4 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 4А Та | 4,34 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3401Л_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 954пФ при 15 В | 50 мОм при 4,2 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4.2А Та | 9,4 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3401Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 954пФ при 15В | 50 мОм при 4,2 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4.2А Та | 9,4 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM35N30 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh35n30-datasheets-7656.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | EAR99 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 300 Вт Тс | 35А | 140А | 0,1 Ом | N-канал | 4800пФ при 25В | 100 мОм при 17,5 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 35А Ц | 200 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM1712 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC642P-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdc642pf085-datasheets-5364.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 13 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 20 В | 1,2 Вт Та | P-канал | 630пФ при 10 В | 65 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4А Та | 9 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП04Н80С3ХК | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-spp04n80c3xk-datasheets-7472.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ОДИНОКИЙ | 1 | 25 нс | 15нс | 12 нс | 65 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 63 Вт Тс | ТО-220АБ | 4А | 12А | 170 мДж | N-канал | 570пФ при 100В | 1,3 Ом при 2,5 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 4А Тк | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9409L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdms9409lf085-datasheets-4755.pdf | 8-PowerTDFN | 172,8 мг | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40В | 100 Вт ТиДж. | N-канал | 3360пФ при 20 В | 2,8 мОм при 65 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 65А Ц | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3404_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 310пФ при 15В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 5А Та | 6,3 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM42N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh50n20-datasheets-1852.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | EAR99 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 300 Вт Тс | 42А | 168А | 0,06 Ом | N-канал | 4400пФ при 25В | 60 мОм при 21 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 42А Тк | 220 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3013СФК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3056ЛВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp3056l7-datasheets-0604.pdf | 30 В | 1,38 Вт | P-канал | 642пФ при 25 В | 50 мОм при 6 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 4.3А Та | 11,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R041C6UNSAWNX6SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR798DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir798dpt1ge3-datasheets-4673.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Олово | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 8 | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С5 | 17 нс | 11нс | 9 нс | 43 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1В | 83 Вт Тс | 0,00205Ом | N-канал | 5050пФ при 15 В | 2,05 Ом при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 60А Ц | 130 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM10P60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПД04Н60С3 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-spd04n60c3-datasheets-4728.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | ИНН | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 50 Вт Тс | ТО-252АА | 4,5 А | 13,5А | 0,95 Ом | 130 мДж | N-канал | 490пФ при 25В | 950 мОм при 2,8 А, 10 В | 3,9 В @ 200 мкА | 4,5 А Тс | 25 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3403Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 500пФ при 15В | 130 мОм при 2,6 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 5,3 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3415Л_108 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 1450пФ при 10В | 43 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А Та | 17,2 НК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM202PH БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm202phbk-datasheets-4773.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 20 В | 350мВт Та | P-канал | 800пФ при 10В | 88 мОм при 1,2 А, 5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 2,3А Та | 12 НК при 5 В | 2,5 В 5 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPLU300N04S4R7XTMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-PowerSFN | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 429 Вт Тс | 300А | 1200А | 0,00076Ом | 750 мДж | N-канал | 22945пФ при 25В | 0,76 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 230 мкА | 300А Ц | 287 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM11N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 300 Вт Тс | 11А | 44А | 0,95 Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 950 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R4N60P ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60ptrl-datasheets-4675.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD6820NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvd6820nlt4g-datasheets-4598.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 9 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 98нс | 59 нс | 36 нс | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 90В | 90В | 4 Вт Та 100 Вт Тс | 50А | 0,0205Ом | N-канал | 4209пФ при 25 В | 16,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та 50А Ц | 44 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС86581-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms86581f085-datasheets-4663.pdf | 8-PowerTDFN | 24 недели | 172,8 мг | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 60В | 50 Вт Тиджей | N-канал | 881пФ при 30 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 30А Ц | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD1R4N60P 11 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Править | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нк при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM10N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n90-datasheets-4489.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 300 Вт Тс | 10А | 40А | N-канал | 4200пФ при 25В | 1,1 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 10А Ц | 155 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП90Р500С3 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp90r500c3-datasheets-4691.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | Без галогенов | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 70 нс | 20нс | 25 нс | 400 нс | 11А | 30 В | 900В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 156 Вт Тс | ТО-220АБ | 24А | 0,5 Ом | 900В | N-канал | 1700пФ при 100В | 3 В | 500 мОм при 6,6 А, 10 В | 3,5 В при 740 мкА | 11А Тк | 68 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0353DPA-WS#J0B | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerVDFN | 30 В | 40 Вт Та | N-канал | 2180пФ при 10 В | 5,2 мОм при 17,5 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 35А Та | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
