Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5844NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5844nlt1g-datasheets-4463.pdf | ДФН | Без свинца | 38 недель | 5 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3,7 Вт | 5 | 1 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 1,46 нФ | 12 нс | 25нс | 10 нс | 20 нс | 61А | 20 В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 12мОм | 12 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4498Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 3,1 Вт Тс | N-канал | 2300пФ при 15В | 5,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 44,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2Н100М | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6402AL_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-74, СОТ-457 | 30 В | 2 Вт Та | N-канал | 820пФ при 15 В | 27 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД454АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | совместимый | 40В | 2,5 Вт Та 37 Вт Тс | N-канал | 650пФ при 20В | 30 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Ц | 10,8 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM5N100A | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth5n100a-datasheets-4210.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 35 недель | 3 | да | Нет | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | О-МБФМ-П2 | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 180 Вт Тс | 5А | 20А | 2Ом | N-канал | 2600пФ при 25В | 2 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 5А Ц | 130 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ14Н50_002 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6401АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н50_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3404 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,4 Вт Та | 5А | 0,031 Ом | 50 пФ | N-канал | 310пФ при 15В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 5А Та | 6,3 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3422L_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 55В | 1,25 Вт Та | N-канал | 300пФ при 25В | 160 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 2.1А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7403Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-PowerVDFN | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 30 В | 1,6 Вт Та 27 Вт Тс | P-канал | 1400пФ при 15В | 18 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А Та 20А Ц | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н50_007 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК6Y32-60PX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2018 год | СК-100, СОТ-669 | 26 недель | 60В | 106 Вт Та | P-канал | 2,59 нФ при 30 В | 32 мОм при 6,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Та | 52,9 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5803NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-nvd5803nt4g-datasheets-5212.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 20 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 12,6 нс | 21,4 нс | 6,6 нс | 28,3 нс | 85А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 83 Вт Тс | 228А | 0,0057Ом | 40В | N-канал | 3220пФ при 25В | 5,7 мОм при 50 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 85А Ц | 51 НК при 10 В | 5В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD3N60P-2J | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Править | 600В | 70 Вт Тс | N-канал | 411пФ при 25 В | 2,9 Ом при 1,5 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 3А Тк | 9,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6405Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СК-74, СОТ-457 | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | 30 В | 2 Вт Та | 5А | P-канал | 840пФ при 15В | 52 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5А Та | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7406Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6413_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerVDFN | 30 В | 6,2 Вт Та 48 Вт Тс | P-канал | 2142пФ при 15 В | 8,5 мОм при 16 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 22А Та 32А Ц | 58 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138-Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bss138t-datasheets-5164.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | да | 50В | 360мВт Та | N-канал | 27пФ при 25В | 3,5 Ом при 220 мА, 10 В | 1,5 В при 1 мА | 220 мА Та | 2,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD3N50P-2J | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Править | 500В | 70 Вт Тс | N-канал | 409пФ при 25В | 2 Ом при 1,5 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 3А Тк | 9,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДД4685-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdd8444f085p-datasheets-4482.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 40В | 83 Вт Тиджей | P-канал | 2380пФ при 20 В | 27 мОм при 8,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 32А Тк | 27 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК6Y12-30PX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk6y2540px-datasheets-4671.pdf | СК-100, СОТ-669 | 27 недель | 30 В | 106 Вт Та | P-канал | 2,88 нФ при 15 В | 12 мОм при 11 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 67А Та | 60 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQB25N33TM-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqb25n33tmf085-datasheets-5089.pdf&product=onsemiconductor-fqb25n33tmf085-6935697 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 1,31247 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | Одинокий | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20 нс | 100 нс | 70 нс | 90 нс | 25А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 330В | 3,1 Вт Та 250 Вт Тс | 100А | N-канал | 2010пФ при 25В | 230 мОм при 12,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 25А Ц | 75 НК при 15 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4435L_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 А Та | 24 НК при 10 В | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3404_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 310пФ при 15В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 5А Та | 6,3 нк при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD4N80P-3J | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Править | 800В | 100 Вт Тс | N-канал | 750пФ при 25В | 3,4 Ом при 1,8 А, 10 В | 5,5 В @ 100 мкА | 3,6 А Тс | 14,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUF4189NZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntluf4189nztbg-datasheets-9408.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 1,6 мм | 500 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 4 недели | 6 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | 6 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 4,5 нс | 1,2 нс | 10,2 нс | 1,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 500мВт Та | 1,2А | 0,2 Ом | N-канал | 95пФ при 15В | 200 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,2 А Та | 3nC @ 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КГФ12Н05-400-СП | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamericainc-kgf12n05400sp-datasheets-5184.pdf | 6-СМД, без свинца | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5,5 В | 2,5 Вт Та | N-канал | 940пФ при 5,5 В | 2,4 мОм при 12 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 12А Та | 6 НК при 3,5 В | 3,5 В 4,5 В | ±5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4447АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 5500пФ при 15В | 7 мОм при 17 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 17А Та | 105 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В |
