| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Рассеиваемая мощность, окружающая среда-Макс. | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО3418Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 60 мОм при 3,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 3,6 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD4806NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ntd4806n35g-datasheets-6879.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 79А | 20 В | 30 В | 1,4 Вт Та 68 Вт Тс | N-канал | 2142пФ при 12 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 11,3А Та 79А Ц | 23 НК при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4425Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 38В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3800пФ при 20В | 10 мОм при 14 А, 20 В | 3,5 В при 250 мкА | 14А Та | 63 НК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM1630 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ437ЕДКТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sib437edktt1ge3-datasheets-4889.pdf | PowerPAK® TSC-75-6 | 3 | 15 недель | 95,991485мг | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 6 | 1 | Одинокий | 2,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | С-ПДСО-Н3 | 90 нс | 170 нс | 630 нс | 690 нс | 7,5 А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | -350мВ | 2,4 Вт Та 13 Вт Тс | 9А | 25А | 0,034Ом | -8В | P-канал | 34 мОм при 3 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 9А Тц | 16 НК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM15N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 150°С | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-204АЭ | 15А | 0,5 Ом | 300 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM67N10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixfh75n10-datasheets-2049.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 300 Вт Тс | 67А | 268А | 0,025 Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 25 мОм при 33,5 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 67А Тк | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM67N10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth67n10-datasheets-1685.pdf | ТО-204АЭ | 2 | 3 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 300 Вт Тс | 67А | 268А | 0,025 Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 25 мОм при 33,5 А, 10 В | 4 В при 4 мА | 67А Тк | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4406АЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 30 В | 3,1 Вт Тс | N-канал | 910пФ при 15 В | 11,5 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13А Тк | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM1627 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3401AL_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 1200пФ при 15В | 44 мОм при 4,3 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4.3А Та | 12,2 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3416L_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 1160пФ при 10В | 22 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 16 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3422Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | совместимый | 55В | 1,25 Вт Та | N-канал | 300пФ при 25В | 160 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 2.1А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3419Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 620пФ при 10 В | 75 мОм при 3,5 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 6,6 нк при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3406Л_106 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 375пФ при 15В | 65 мОм при 3,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 8,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Т-ТД1Р4Н60П 11 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvd5890nlt4g-datasheets-4641.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 38 нс | 123А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 4 Вт Та 107 Вт Тс | 400А | 0,0055Ом | N-канал | 4760пФ при 25В | 3,7 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 24А Та 123А Ц | 42 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АО3406Л_107 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 375пФ при 15В | 65 мОм при 3,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 8,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5490NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-nvd5490nlt4g-datasheets-4624.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 4 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 3,4 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9,4 нс | 57нс | 35 нс | 24 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,4 Вт Та 49 Вт Тс | 5А | 0,085 Ом | 60В | N-канал | 365пФ при 25В | 64 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 5А Та 17А Ц | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| AO3418L_101 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 60 мОм при 3,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 3,6 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM1316 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM40N30 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtm40n30-datasheets-4851.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | EAR99 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 300 Вт Тс | 40А | 160А | 0,088Ом | N-канал | 4600пФ при 25В | 88 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 220 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3422L_104 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 55В | 1,25 Вт Та | N-канал | 300пФ при 25В | 160 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 2.1А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСФ2Н7383 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3409Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | совместимый | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 370пФ при 15В | 130 мОм при 2,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 9 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4407AL_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 2600пФ при 15В | 11 мОм при 12 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та | 39 НК при 10 В | 6В 20В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7269У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/603 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Поднос | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7269-datasheets-4478.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | EAR99 | совместимый | МИЛ-19500/603 | ДА | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | Р-ПДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200В | 200В | 150 Вт Тс | ТО-267АБ | 26А | 0,2 Ом | N-канал | 110 мОм при 26 А, 12 В | 4 В @ 1 мА | 26А Тк | 170 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4466Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 820пФ при 15 В | 23 мОм при 9,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9.4А Та | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3416L_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 1,4 Вт Та | N-канал | 1160пФ при 10В | 22 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 16 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4430Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | совместимый | 8541.29.00.75 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3 Вт Та | 80А | 0,0055Ом | N-канал | 7270пФ при 15 В | 5,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 18А Та | 124 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.