Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTM12N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth12n100-datasheets-0595.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 300 Вт Тс | 12А | 48А | N-канал | 4000пФ при 25В | 1,05 Ом при 6 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 12А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM11N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n80-datasheets-2163.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 300 Вт Тс | 11А | 44А | 0,95 Ом | N-канал | 4200пФ при 25В | 950 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 11А Тк | 155 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВФ2201НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-mmbf2201nt1g-datasheets-5158.pdf | 5-ЦСОП, СК-70-5, СОТ-353 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | НЕ УКАЗАН | 3 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 2,5 нс | 2,5 нс | 800 пс | 15 нс | 300 мА | 20 В | 150 мВт Та | 20 В | N-канал | 45пФ при 5В | 1 Ом при 300 мА, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 300 мА Та | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6758_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6758103-datasheets-4427.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 30 В | 4,1 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 1975 пФ при 15 В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 27А Та 32А Ц | 40 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM303NH БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm303nhbk-datasheets-4638.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 30 В | 350мВт Та | N-канал | 590пФ при 10 В | 40 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 13 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFM15N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh15n60-datasheets-7594.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 300 Вт Тс | 15А | 60А | 0,05 Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 500 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 15А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7381 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/614 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7381-datasheets-4648.pdf | ТО-257-3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ТО-257 | 200В | 2 Вт Та 75 Вт Тс | N-канал | 490 мОм при 9,4 А, 12 В | 4 В при 1 мА | 9,4 А Тс | 50 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQB34P10TM-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fqb34p10tmf085p-datasheets-4649.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 100 В | 3,75 Вт Ta 155 Вт Tc | P-канал | 2910пФ при 25В | 60 мОм при 16,75 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 33,5 А Тс | 110 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ35СМ70Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt35sm70b-datasheets-4653.pdf | ТО-247-3 | 700В | 176 Вт Тс | N-канал | 1035пФ при 700В | 145 мОм при 10 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 35А Ц | 67 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5867NLT4G-TB01 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvd5867nlt4gtb01-datasheets-4668.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | 3,3 Вт Та 43 Вт Тс | N-канал | 675пФ при 25В | 39 мОм при 11 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6А Та 22А Ц | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7268У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/603 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7268u-datasheets-4593.pdf | 3-СМД, без свинца | Да | У1 (СМД-1) | 34А | 20 В | 100 В | 150 Вт Тс | N-канал | 70 мОм при 34 А, 12 В | 4 В при 1 мА | 34А Тк | 160 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4407ССС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmg4407sss13-datasheets-4594.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Другие транзисторы | 11,3 нс | 15,4 нс | 22 нс | 38 нс | 9,9А | 25 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,45 Вт Та | P-канал | 2246пФ при 15 В | 11 мОм при 12 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 9,9А Та | 20,5 НК при 10 В | 6В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||
| ДМП2040УВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС4К310НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV65XP/МИР | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmv65xpmir-datasheets-4608.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | совместимый | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 480 мВт Ta 4,17 Вт Tc | ТО-236АБ | 3,9 А | 0,076Ом | P-канал | 744 пФ при 20 В | 74 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 2,8А Та | 7,7 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV48XP/МИР | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmv48xpmir-datasheets-4610.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | совместимый | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 510 мВт Ta 4,15 Вт Tc | ТО-236АБ | 3,5 А | 0,055 Ом | P-канал | 1 нФ @ 10 В | 55 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3,5 А Та | 11 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6756_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-ВДФН Открытая площадка | 30 В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2796пФ при 15 В | 2,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 36А Тк | 64 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6370_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6370001-datasheets-4422.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 30 В | 6,2 Вт Та 26 Вт Тс | N-канал | 840пФ при 15В | 7,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 23А Та 47А Ц | 13 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП06N80C3XK | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 18А | 0,9 Ом | N-канал | 785пФ при 100 В | 900 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,9 В при 250 мкА | 6А Ц | 41 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ12Н60_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot12n60001-datasheets-4617.pdf | ТО-220-3 | 600В | 278 Вт Тс | N-канал | 2100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 12А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7389У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/630 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7389u-datasheets-4571.pdf | 18-CLCC | 18 | Да | 25 Вт | 1 | 18-УЛКЦ (9,14х7,49) | 6,5 А | 20 В | 100 В | 25 Вт Тс | P-канал | 350 мОм при 6,5 А, 12 В | 4 В при 1 мА | 6,5 А Тс | 45 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8445-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdd8445f085-datasheets-3406.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 40 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 40В | 79 Вт Та | N-канал | 4050пФ при 25В | 8,7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 50А Та | 59 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD526_DELTA | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod526delta-datasheets-4572.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1550пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 50А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7389 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/630 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Поднос | Непригодный | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7389-datasheets-4623.pdf | ТО-205АФ Металлическая банка | 3 | Да | ТО-205АФ (ТО-39) | 6,5 А | 20 В | 100 В | 25 Вт Тс | P-канал | 350 мОм при 6,5 А, 12 В | 4 В при 1 мА | 6,5 А Тс | 45 НК при 12 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB60I1200TZ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mcb60i1200tz-datasheets-4574.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ8Т50П_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf8t50p001-datasheets-4636.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 500В | 38 Вт Тс | N-канал | 905пФ при 100В | 810 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD5T40P_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod5t40p101-datasheets-4576.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 400В | 52 Вт Тс | N-канал | 273пФ при 100 В | 1,45 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 9 нк @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM302PH БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpdm302phbk-datasheets-4578.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 30 В | 350мВт Та | P-канал | 800пФ при 10В | 91 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 2,4А Та | 9,6 НК при 5 В | 2,5 В 4,5 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD4243-F085P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdd4243f085p-datasheets-4581.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 40В | 50 Вт Тс | P-канал | 1550пФ при 20В | 44 мОм при 6,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14А Ц | 29 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н7262У | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/601 | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jansr2n7262u-datasheets-4586.pdf | 18-CLCC | 18-УЛКЦ (9,14х7,49) | 200В | 25 Вт Тс | N-канал | 364 мОм при 5,5 А, 12 В | 4 В при 1 мА | 5,5 А Тс | 50 НК при 12 В | 12 В | ±20 В |
