| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИПА60R125C6E8191XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r125c6e8191xksa1-datasheets-4329.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R380E6UNSAWNX6SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITD50N04S4L04ATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 4 | EAR99 | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252 | 50А | 200А | 0,004 Ом | 210 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS70R2K0CEE8211 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips70r2k0cee8211-datasheets-4335.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПК60Р190Е6Х7СА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7418А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerWDFN | 30 В | 83 Вт Тс | N-канал | 2994 пФ при 15 В | 1,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 50А Ц | 65 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ80Н07С405АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi80n07s405aksa1-datasheets-4322.pdf | 3 | АЭК-Q101 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | -55°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-262АА | 80А | 320А | 0,0055Ом | 240 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х601СВ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmj70h601sv3-datasheets-4325.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | 9 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 125 Вт Тс | 8А | 15А | 0,6 Ом | 86 мДж | N-канал | 686пФ при 50 В | 600 мОм при 2,1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 8А Тк | 20,9 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||
| BSP615S2LHUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFSM12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СМПД | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 16-БЕСОП (0,790, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка | 1000В | 940 Вт | N-канал | 2875пФ при 800В | 1,05 Ом при 6 А, 15 В | 5,5 В @ 250 мкА | 12А Ц | 77 НК при 10 В | 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х1Д0СВ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmj70h1d0sv3-datasheets-3749.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | 9 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 104 Вт Тс | 6А | 8А | 1 Ом | 7,5 мДж | N-канал | 420пФ при 50В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6А Ц | 12,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||
| АО3401АЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao3401aldelta-datasheets-3482.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | совместимый | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 645пФ при 15В | 50 мОм при 4 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4А Та | 14 НК при 10 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD24AN06LA0_SB82179 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 60В | 75 Вт Тс | N-канал | 1850пФ при 25В | 19 мОм при 40 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,1 А Та 40 А Тс | 21 НК при 5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCPF11N65_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XR46000ESE | МаксЛинейар, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maxlinearinc-xr46000ese-datasheets-3729.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | совместимый | 600В | 20 Вт Тс | N-канал | 170пФ при 25В | 8 Ом при 750 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,5 А Тс | 7,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3419_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4185_003 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS496EDNT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/vishaysiliconix-sis496edntt1ge3-datasheets-3696.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | С-ПДСО-С5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 52 Вт Тс | 50А | 200А | 0,0048Ом | 31 мДж | N-канал | 1515пФ при 15В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 50А Ц | 45 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||
| АОТФ12Н60ФД_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7000БУ_Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2Н7000 | 60В | 400мВт Та | N-канал | 50пФ при 25В | 5 Ом при 500 мА, 10 В | 3 В при 1 мА | 200 мА Тс | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х1Д4СВ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmj70h1d4sv3-datasheets-3687.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | 9 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 78 Вт Тс | 5А | 6А | 7,5 мДж | N-канал | 342пФ при 50В | 1,5 Ом при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5А Ц | 7,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||
| TSM8N50CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 500В | 89 Вт Тс | N-канал | 1595пФ при 25В | 850 мОм при 3,6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 7,2 А Тс | 26,6 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6NB60CZ C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | ТО-220 | 600В | 40 Вт Тс | N-канал | 872пФ при 25 В | 1,6 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 6А Ц | 18,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМДЖ70Х1Д5СВ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmj70h1d5sv3-datasheets-3692.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | 9 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 78 Вт Тс | 5А | 6А | 7,5 мДж | N-канал | 316пФ при 50 В | 1,5 Ом при 1 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 5А Ц | 9,8 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||
| FQPF5N60C_F105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 Полный пакет | 600В | 33 Вт Тс | N-канал | 670пФ при 25 В | 2,5 Ом при 2,25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 19 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB9403_SN00268 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 40В | 333 Вт Тиджей | N-канал | 12700пФ при 25В | 1,2 мОм при 80 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 110А Ц | 213 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7694_SN00176 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerTDFN | 30 В | 2,5 Вт Та 27 Вт Тс | N-канал | 1410пФ при 15В | 9,5 мОм при 13,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13,2 А Та 20 А Тс | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDN339AN_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 700пФ при 10В | 35 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3А Та | 10 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS0309AS_SN00347 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerTDFN | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 3000пФ при 15В | 3,5 мОм при 21 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 21А Та 49А Ц | 47 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.