Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS5672_F095 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60В | 2,5 Вт Та | N-канал | 2200пФ при 25В | 10 мОм при 12 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 12А Ц | 45 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП45П03-09-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup45p0309ge3-datasheets-3613.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 73,5 Вт Тс | ТО-220АБ | 45А | 100А | 0,0087Ом | 61 мДж | P-канал | 2700пФ при 15 В | 8,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 45А Ц | 90 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY301NZ_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | СК-89, СОТ-490 | 20 В | 625 МВт Та | N-канал | 60пФ при 10В | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 200 мА Та | 1,1 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD413A_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6409_DELTA | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ5014B2VRG | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 3 | да | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | совместимый | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 37А | 148А | 0,14 Ом | 1600 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3402_103 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c645nlaft3g-datasheets-1920.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 79 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 4 м Ом при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 22А Та | 34 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1002R-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1002rt1ge3-datasheets-3562.pdf | СК-75А | 3 | 25 недель | 560мОм | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 220мВт Та | N-канал | 36пФ при 15В | 560 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 610 мА Та | 2 НК при 8 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4605_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIS778DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sis778dnt1ge3-datasheets-3566.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 8 | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | S-XDSO-C5 | 11 нс | 12нс | 9 нс | 20 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 52 Вт Тс | 60А | 0,005 Ом | 20 мДж | N-канал | 1390пФ при 15В | 5 м Ом при 10 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 35А Ц | 42,5 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3400_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6721STRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irf6721str1pbf-datasheets-2298.pdf | DirectFET™ Изометрический SQ | 4826 мм | 506 мкм | 3,95 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 4 | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | 42 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XBCC-N2 | 7,8 нс | 8,9 нс | 5,3 нс | 9,3 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,2 Вт Та 42 Вт Тс | 0,0073Ом | 62 мДж | 30 В | N-канал | 1430пФ при 15В | 7,3 мОм при 14 А, 10 В | 2,4 В @ 25 мкА | 14А Та 60А Ц | 17 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| PMT200EPEAX | Нексперия США Инк. | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70В | 70В | 800мВт Та | 2,4А | 0,167Ом | P-канал | 822пФ при 35 В | 167 мОм при 2,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,4А Та | 15,9 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRLR024ZTRL | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-auirlu024z-datasheets-3340.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 1 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8,2 нс | 43нс | 16 нс | 19 нс | 16А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35 Вт Тс | ТО-252АА | 64А | 0,058 Ом | 25 мДж | 55В | N-канал | 380пФ при 25В | 58 мОм при 9,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16А Ц | 9,9 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||
| AO6409A_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC6683PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdmc6683pz-datasheets-3602.pdf | 5 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | С-ПДСО-Н5 | 8-МЛП (3,3х3,3) | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 26 Вт Тс | МО-240БА | 14А | 50А | 0,0084Ом | 38 мДж | P-канал | 7995пФ при 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 40А Ц | 74 НК при 10 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6372 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6372-datasheets-3542.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 30 В | 26 Вт Тс | N-канал | 830пФ при 15В | 7,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 47А ТЦ | 12,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC7672_F125 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerWDFN | 30 В | 2,3 Вт Та 33 Вт Тс | N-канал | 3890пФ при 15 В | 5,7 мОм при 16,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,9 А Та 20 А Тс | 57 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMM2348ES-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-smm2348est1ge3-datasheets-3544.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 25 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | 3 Вт Тк | 8А | 0,024 Ом | 50 пФ | N-канал | 540пФ при 15В | 24 мОм при 12 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8А Тк | 14,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3420Л_103 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM500N03CP РОГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 30 В | 12,5 Вт Тс | N-канал | 270пФ при 25В | 50 мОм при 8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12,5 А Тс | 7 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5446DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5442dut1ge3-datasheets-8289.pdf | PowerPAK® ChipFET™ Одиночный | PowerPAK® ChipFet Single | 30 В | 31 Вт Тс | N-канал | 1610пФ при 15В | 6,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 25А Ц | 30 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4185L_DELTA | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM10NB60CI C0G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 1820пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 10А Ц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4465_SN00187 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 В | 1,2 Вт | P-канал | 8237пФ при 10 В | 8,5 мОм при 13,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 13,5А | 120 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4185L | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 1,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 62,5 Вт Тс | 40А | 115А | 0,015 Ом | P-канал | 2550пФ при 20В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40А Ц | 55 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3420Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,4 Вт Та | 6А | 0,024 Ом | 105 пФ | N-канал | 630пФ при 10 В | 24 мОм при 6 А, 10 В | 1,1 В @ 250 мкА | 6А Та | 12,5 НК при 10 В | 1,8 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОН5194,127 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMPB55XNEAX | Нексперия США Инк. | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 1 | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 550мВт Та | 3,8А | 0,072Ом | N-канал | 255пФ при 15В | 72 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3,8А Та | 5нК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В |
