Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Код дела (метрика) | Код корпуса (имперский) | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СК58Л-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microcommercialco-sk510ltp-datasheets-0598.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 2 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80В | Шоттки | 100А | 1 | 5А | 80В | 1 при мА 80 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭС3Д-13-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шпилька, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-es3bb13f-datasheets-1371.pdf | 200В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 45пФ | 7,11 мм | 2,42 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 210,013267мг | 2 | нет | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ES3D | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 900 мВ | 100А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 100А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 200В | 45пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 200 В | 900 мВ при 3 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYM13-40-E3/96 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bym1330e396-datasheets-0135.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 110пФ | 5,2 мм | 2,67 мм | 2,67 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 250 | БМ13-40 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 125°С | 1А | 500мВ | 30А | 500 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 500 мкА | 40В | 30А | 25 нс | Шоттки | 40В | 1А | 1А | 110пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 1 А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| С100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ss14-datasheets-9021.pdf | 100 В | 1А | ДО-214АС, СМА | 4,75 мм | 2,2 мм | 2,95 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 105,998867мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 1А | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | 100 В | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | С100 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 850 мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,1 Вт | 40А | 200 мкА | 100 В | 40А | Шоттки | 100 В | 1А | 200 мкА при 100 В | 850 мВ при 1 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG40T30ERX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/nexperiausainc-pmeg40t30erx-datasheets-4882.pdf | СОД-123W | 4 недели | 2 | 3А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 18нс | Шоттки | 560пФ @ 1В 1МГц | 40В | 28 мкА при 40 В | 460 мВ при 3 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ1100-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-sb1100t-datasheets-5491.pdf | 100 В | 1А | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 80пФ | 5,21 мм | 2,72 мм | 2,72 мм | Без свинца | 2 | 14 недель | 299,994654мг | 2 | нет | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | ПРОВОЛОКА | 260 | СБ1100 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 800мВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25А | 500 мкА | 100 В | 25А | Шоттки | 100 В | 1А | 500 мкА при 100 В | 800 мВ при 1 А | -65°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК43БЛ-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microcommercialco-sk44bltp-datasheets-0594.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | СК43 | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30 В | Шоттки | 100А | 1 | 4А | 30 В | 500 мкА при 30 В | 450 мВ при 4 А | 4А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD1206-B2100 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/bournsinc-cd1206b2100-datasheets-5505.pdf&product=bournsinc-cd1206b2100-5979486 | Чип, Вогнутые клеммы | 3,6 мм | 1,16 мм | 2,1 мм | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ПРИЗНАННЫЙ УЛ | Олово | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | 3216 | 1206 | ДВОЙНОЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | CD1206 | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 2А | 850 мВ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 40А | 500 мкА | 100 В | 40А | Шоттки | 100 В | 2А | 1 | 2А | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 2 А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH2R02AFY | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, ECOPACK®2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth2r02afy-datasheets-5465.pdf | СОД-128 | 2 | 10 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | STTH2R | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 2А | 1,02 В | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 800нА | 200В | 50А | 20 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 800 нА при 200 В | 1,02 В при 2 А | -40°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР420РЛГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mur460rlg-datasheets-0772.pdf | 200В | 4А | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | 5,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 2 | 27 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | МУР420 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 4А | 890мВ | 125А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 5 мкА | 200В | 125А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 4А | 1 | 5 мкА при 200 В | 890 мВ при 4 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5060TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5059tr-datasheets-5309.pdf | 2А | СОД-57, Осевой | 2 | 12 недель | Неизвестный | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn96.5Ag3.5) | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 1N5060 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 1,15 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 50А | 1 мкА | 400В | 50А | 400В | 4 мкс | 4 мкс | лавина | 400В | 2А | 1 | 2А | 40пФ при 0В 1МГц | 1 мкА при 400 В | 1,15 В @ 2,5 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BY448GP-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-by448gpe354-datasheets-5306.pdf | 3,6 мм | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 3,6 мм | 3,6 мм | 4 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | BY448GP | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1,5 А | 1,6 В | 40А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 40А | 5 мкА | 1,65 кВ | 40А | 1,65 кВ | 20 мкс | 20 мкс | Стандартный | 1,65 кВ | 1,5 А | 1 | 15пФ @ 4В 1МГц | 1650В | 5 мкА при 1650 В | 1,6 В при 3 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBA5150-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-cdba540hf-datasheets-4175.pdf | ДО-214АС, СМА | 2 | 12 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | Шоттки | 150 В | 5А | 1 | 5А | 380пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 150 В | 870 мВ при 5 А | 5А постоянного тока | -50°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYM13-60-E3/96 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-bym1330e396-datasheets-0135.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 5,2 мм | 2,67 мм | 2,67 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 250 | БМ13-60 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 700мВ | 30А | 500 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 500 мкА | 60В | 30А | Шоттки | 60В | 1А | 1А | 80пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРМ110ЕТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrm110et1g-datasheets-5097.pdf | 10 В | 1А | ДО-216АА | 2,05 мм | 2,18 мм | 1,15 мм | Без свинца | 1 | 4 недели | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | Без галогенов | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБРМ110 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г1 | 1А | 1А | 530 мВ | 50А | 1 мкА | КАТОД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 1 мкА | 10 В | 50А | Шоттки | 10 В | 1А | 1 мкА при 10 В | 530 мВ при 1 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ360-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sb340e354-datasheets-1604.pdf | 5,3 мм | ДО-201АД, Осевой | 9,5 мм | 5,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | ПРОВОЛОКА | СБ360 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 740 мВ | 120А | 500 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 120А | 500нА | 60В | 120А | Шоттки | 60В | 3А | 1 | 500 мкА при 60 В | 680 мВ при 3 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРА320Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mbra320t3g-datasheets-5233.pdf | ДО-214АС, СМА | 4,57 мм | 2 мм | 2,92 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | МБРА320 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 500мВ | 80А | 2мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 2мкА | 20 В | 80А | Шоттки | 20 В | 3А | 1 | 3А | 2 при мА 20 В | 500 мВ при 3 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5821RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-1n5822g-datasheets-7823.pdf | 30 В | 3А | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | 5,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Стандартный | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5821 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 500мВ | 80А | 2мА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 2мА | 30 В | 80А | Шоттки | 30 В | 3А | 1 | 2 при мА 30 В | 500 мВ при 3 А | -65°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБР3ЛАМ60БТР | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rbr3lam60btr-datasheets-5245.pdf | СОД-128 | 2 | 20 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 3А | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 150 мкА | Шоттки | 1 | 3А | 60В | 150 мкА при 60 В | 560 мВ при 3 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Б320-13-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-b34013f-datasheets-3807.pdf | 20 В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 250пФ | 7,11 мм | 2,5 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 210,013267мг | 2 | нет | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Стандартный | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | Б320 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 500мВ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100А | 500 мкА | 20 В | 100А | Шоттки | 20 В | 3А | 1 | 200пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 20 В | 500 мВ при 3 А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5059TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5059tr-datasheets-5309.pdf | СОД-57, Осевой | 2 | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | е2 | Олово/Серебро (Sn96.5Ag3.5) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1N5059 | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | E-LALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 200В | 1 мкА | 4 мкс | лавина | 50А | 1 | 2А | 40пФ при 0В 1МГц | 200В | 1 мкА при 200 В | 1,15 В @ 2,5 А | 2А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВБ120ВЛСФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbr120vlsft1g-datasheets-3853.pdf | СОД-123Ф | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 10 часов назад) | да | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 15 мА | 20 В | 45А | Шоттки | 20 В | 1А | 1А | 15 при мА 20 В | 300 мВ при 1 А | -65°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБЫВ27-200-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-sbyv27200e373-datasheets-5218.pdf | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 2 | 12 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | СБЫВ27-200 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 1,07 В | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 50А | 200В | 15 нс | 15 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 2А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 1,07 В при 3 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМЭГ3020ЭП,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmeg3020ep115-datasheets-4951.pdf | СОД-128 | Без свинца | 2 | 4 недели | 2 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ПМЭГ3020 | 2 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 2А | 360 мВ | 50А | ВЫСОКАЯ МОЩНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1 мА | 30 В | 50А | 30 В | Шоттки | 30 В | 2А | 1 | 2А | 325пФ @ 1В 1МГц | 3 при мА 30 В | 360 мВ при 2 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPD4448 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpd4448trpbfree-datasheets-5093.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 63 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100 В | 4нс | Стандартный | 4А | 0,25 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 25 нА при 20 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB540E-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/comchiptechnology-sb5100eg-datasheets-0664.pdf | ДО-201АД, Осевой | 12 недель | СБ540 | 150А | 500 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 40В | 5А | 500пФ @ 4В 1МГц | 500 мкА при 40 В | 550 мВ при 5 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР340РЛГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbr340rlg-datasheets-5049.pdf | 40В | 3А | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 6,35 мм | 6,35 мм | 57,15 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | Стандартный | Без галогенов | ПРОВОЛОКА | 260 | МБР340 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 850 мВ | 80А | 600 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 600 мкА | 40В | 80А | Шоттки | 40В | 3А | 1 | 600 мкА при 40 В | 600 мВ при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГФ1А-Е3/67А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gf1me367a-datasheets-0930.pdf | ДО-214БА | 4,75 мм | 2,74 мм | 2,9 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | GF1A | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 50В | 30А | 50В | 2 мкс | 3 мкс | Стандартный | 50В | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GF1J-E3/67A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gf1me367a-datasheets-0930.pdf | ДО-214БА | 4,75 мм | 2,74 мм | 2,9 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 250 | GF1J | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 600В | 30А | 600В | 2 мкс | 3 мкс | Стандартный | 600В | 1А | 1А | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GF1B-E3/67A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gf1me367a-datasheets-0930.pdf | ДО-214БА | 15пФ | 3 мм | 5,74 мм | Без свинца | 2 | 16 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | GF1B | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 175°С | 1А | 1,1 В | 30А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 100 В | 30А | 100 В | 3 мкс | 3 мкс | Стандартный | 100 В | 1А | 1А | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | -65°К~175°К |
