Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STTH1L06 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth1l06a-datasheets-1474.pdf | 600В | 1А | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,2 мм | 2,71 мм | 2,71 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ПРОВОЛОКА | СТТХ1 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 1А | 1,3 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 1 мкА | 600В | 30А | 600В | 80 нс | 80 нс | Стандартный | 600В | 1А | 1 мкА при 600 В | 1,3 В при 1 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMF05(TE12L,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СОД-128 | 12 недель | Нет | CMF05 | Одинокий | 500 мА | 10А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10 мкА | 1кВ | 10А | 400В | 100 нс | 35 нс | Стандартный | 1кВ | 500 мА | 1000В | 50 мкА при 800 В | 2,7 В при 500 мА | -40°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5407-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5407e354-datasheets-0147.pdf | 3А | 5,3 мм | ДО-201АД, Осевой | 30пФ | 9,5 мм | Без свинца | 18 недель | Неизвестный | 2 | Нет | Стандартный | 1N5407 | Одинокий | ДО-201АД | 3А | 3А | 1,2 В | 200А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200А | 5 мкА | 800В | 200А | 800В | Стандартный | 800В | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,2 В при 3 А | 3А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ER3JB-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microcommercialco-er3mbtp-datasheets-3038.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ER3J | 2 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 35 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 45пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 3 А | 3А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭР3Г-ТП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-er3gtp-datasheets-3547.pdf&product=microcommercialco-er3gtp-5978814 | ДО-214АБ, СМК | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ЭР3Г | 2 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 35 нс | Стандартный | 100А | 1 | 3А | 45пФ @ 4В 1МГц | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 3 А | 3А | -50°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н5408-Е3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5407e354-datasheets-0147.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | 1N5408 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 1,2 В | 200А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1кВ | 200А | 1кВ | Стандартный | 1кВ | 3А | 1 | 3А | 30пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1,2 В при 3 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВССАФ3Л45ХМ3_А/Ч | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-vssaf3l45hm3ah-datasheets-3435.pdf | DO-221AC, плоские выводы SMA | 11 недель | ДО-221АС (СлимСМА) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 425пФ @ 4В 1МГц | 45В | 450 мкА при 45 В | 450 мВ при 3 А | 3А постоянного тока | -40°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5408G А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-1n5408ga0g-datasheets-3444.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | 5 мкА | Стандартный | 125А | 1 | 3А | 25пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 3 А | 3А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГЛ34ХЕ3/98 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgl34je398-datasheets-1957.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 2 | 19 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | RGL34J | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 1,3 В | 10А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 10А | 800В | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 800В | 500 мА | 0,5 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 500 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RRE04EA4DTR | РОМ Полупроводник | 0,79 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОТ-23-5 Тонкий, ЦОТ-23-5 | 11 недель | да | 400 мА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 400 мА | 1 мкА при 400 В | 1,1 В @ 200 мА | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ168ММ-60ТР | РОМ Полупроводник | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СОД-123Ф | 2 | 20 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 60В | 1А | 1А | 1,5 мкА при 60 В | 680 мВ при 1 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPSH-3E TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpsh3setrpbfree-datasheets-7380.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 40В | 5нс | Шоттки | 0,75 А | 0,2 А | 7пФ @ 1В 1МГц | 40В | 500 нА при 25 В | 1 В при 200 мА | 200 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РБ162Л-60ТЭ25 | РОМ Полупроводник | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ДО-214АС, СМА | 10 недель | 2 | да | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | РБ162Л-60 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 540 мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 20А | 4мкА | 60В | 20А | Шоттки | 60В | 1А | 1А | 100 мкА при 60 В | 650 мВ при 1 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД2010С100С1Р0 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 2 (1 год) | 125°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/avx-sd2010s100s1r0-datasheets-2817.pdf | 2-СМД, без свинца | 2 | 16 недель | Нет СВХК | 2 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | Нет | ДВОЙНОЙ | СД2010С100С1Р0 | Одинокий | 1 | 1А | 850 мВ | 30А | 200 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 30А | 200нА | 100В | 30А | Шоттки | 100В | 1А | 1А | 200 мкА при 100 В | 850 мВ при 1 А | 1А постоянного тока | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSFMT106-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-csfmt104hf-datasheets-1391.pdf | СОД-123Н | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | CSFMT106 | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф2 | 25А | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 400В | 35 нс | 500 нс | Стандартный | 400В | 1А | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 5 мкА при 400 В | 1,25 В при 1 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF201LAM4STR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rf201lam4str-datasheets-3582.pdf | СОД-128 | 2 | 20 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 1 мкА | 30 нс | Стандартный | 50А | 1 | 1,5 А | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,2 В @ 1,5 А | 1,5 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ34Д-Е3/98 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gl34ge398-datasheets-1363.pdf | ДО-213АА (Стекло) | Без свинца | 2 | 19 недель | 2 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | GL34D | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 1,2 В | 10А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 10А | 200В | 1,5 мкс | 1,5 мкс | Стандартный | 200В | 500 мА | 0,5 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 1,2 В при 500 мА | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГЛ34К-Е3/98 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-rgl34je398-datasheets-1957.pdf | ДО-213АА (Стекло) | 3,68 мм | 1,68 мм | 1,68 мм | Без свинца | 2 | 19 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.70 | е3 | Матовый олово (Sn) | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | РГЛ34К | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 500 мА | 1,3 В | 10А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 10А | 800В | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 800В | 500 мА | 0,5 А | 4пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 500 мА | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG4020ETR,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-pmeg4020etr115-datasheets-3250.pdf | СОД-123W | 2 | 4 недели | 2 | Нет | 8541.10.00.50 | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | ПМЭГ4020 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | 2А | 490 мВ | 50А | 100 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 0,68 Вт | 100 мкА | 40В | 50А | Шоттки | 40В | 2А | 1 | 95пФ @ 10В 1МГц | 100 мкА при 40 В | 490 мВ при 2 А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBC340-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/comchiptechnology-cdbc360g-datasheets-0089.pdf&product=comchiptechnology-cdbc340g-5978758 | ДО-214АБ, СМК | 2 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | CDBC340 | 2 | Общий катод | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | 3А | 500мВ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 80А | 500 мкА | 40В | Шоттки | 40В | 3А | 1 | 3А | 500 мкА при 40 В | 500 мВ при 3 А | 125°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦСЕ3У60 РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | СОД-123Н | 2 | 20 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЧНОСТИ | 8541.10.00.80 | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60В | 1000 мкА | Шоттки | 80А | 1 | 3А | 60В | 1 при мА 60 В | 580 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС26-Е3/5БТ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-ss23e352t-datasheets-1000.pdf | ДО-214АА, СМБ | Без свинца | 2 | 11 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | ВС26 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 700мВ | 75А | 400 мкА | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400 мкА | 60В | 75А | Шоттки | 60В | 2А | 1 | 2А | 400 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPD1001 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpd1001atrpbfree-datasheets-1676.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 42 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90В | 50 нс | Стандартный | 6А | 0,25 А | 35пФ @ 0В 1МГц | 90В | 100 нА при 90 В | 1 В при 200 мА | 250 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SE30AFJHM3/6A | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-se30afgm36a-datasheets-0929.pdf | DO-221AC, плоские выводы SMA | 2 | 2 | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | SE30AFJ | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | 35А | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | 1,5 мкс | 1,2 мкс | Стандартный | 600В | 3А | 40А | 1 | 1,4 А | 19пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 3 А | 3А постоянного тока | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС2П2Л-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss2p3lm384a-datasheets-1949.pdf | ДО-220АА | 3,61 мм | 1,15 мм | 2,18 мм | 2 | 10 недель | 24,012046мг | 2 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СС2П2 | 2 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | 2А | 500мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 50А | 200 мкА | 20 В | 50А | Шоттки | 20 В | 2А | 1 | 2А | 130пФ @ 4В 1МГц | 200 мкА при 20 В | 500 мВ при 2 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB1003M3-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-sb1003m3tlw-datasheets-3259.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | Одинокий | 1А | 530 мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 10А | 15 мкА | 30 В | 10А | 10 нс | Шоттки | 30 В | 1А | 27пФ @ 10В 1МГц | 15 мкА при 16 В | 530 мВ при 1 А | -55°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B360BQ-13-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-b340bq13f-datasheets-1246.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 19 недель | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 150°С | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 500 мкА | Шоттки | 60В | 3А | 100А | 1 | 3А | 200пФ @ 4В 1МГц | 60В | 500 мкА при 60 В | 700 мВ при 3 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV26EGP-E3/73 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СУПЕРЕКТИФИКАТОР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-byv26egpe354-datasheets-0868.pdf | 3,6 мм | ДО-204АС, ДО-15, осевой | 7,6 мм | 7,6 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | BYV26EGP | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 1А | 2,5 В | 30А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1кВ | 30А | 1кВ | 75 нс | 75 нс | лавина | 1кВ | 1А | 1А | 15пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 2,5 В при 1 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУ1ПМ-М3/84А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-au1pdm384a-datasheets-3222.pdf | ДО-220АА | 27 недель | Неизвестный | 2 | Нет | AU1PM | Одинокий | ДО-220АА (СМП) | 1А | 1,85 В | 25А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25А | 1 мкА | 1кВ | 25А | 75 нс | 75 нс | лавина | 1кВ | 1А | 7,5 пФ @ 4 В 1 МГц | 1000В | 1 мкА при 1000 В | 1,85 В при 1 А | 1А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС310Л РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ss36lrvg-datasheets-2369.pdf | ДО-219АБ | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 100 мкА | Шоттки | 80А | 1 | 3А | 100В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 3 А | 3А | -55°К~150°К |
