Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОднофазный диодный выпрямитель(36732)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Напряжение проба | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| В15ПН50-М3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | эСМП®, ТМБС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-v15pn50m386a-datasheets-7505.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 10 недель | 99,988768мг | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | Одинокий | 30 | 1 | 15А | 480 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200А | 3мА | 50В | 200А | ТО-277А | Шоттки | 50В | 15А | 1 | 50В | 3 при мА 50 В | 560 мВ при 15 А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБР12У100П5-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СБР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-sbr12u100p513-datasheets-6911.pdf | PowerDI™ 5 | 5,45 мм | 1,15 мм | 4,05 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 5 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СБР12У100 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф3 | 12А | 710 мВ | КАТОД | БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 250А | 40 мА | 100В | 250А | 5 нс | Супер Барьер | 100В | 12А | 1 | 250 мкА при 100 В | 710 мВ при 12 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5401G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-1n5406rlg-datasheets-3530.pdf | 100В | 3А | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | 5,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | Олово | Нет | Стандартный | Без галогенов | 1N5401 | Одинокий | Осевой | 3А | 3А | 1В | 200А | 100В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200А | 10 мкА | 100В | 200А | 100В | Стандартный | 100В | 3А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5818G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-1n5818g-datasheets-7614.pdf | 30 В | 1А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 5,1816 мм | 5,2 мм | 2,7 мм | Без свинца | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | Олово | Нет | Стандартный | Без галогенов | 1N5818 | Одинокий | Осевой | 1А | 1А | 550 мВ | 25А | 1 мА | 30 В | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 25А | 1 мА | 30 В | 25А | Шоттки | 30 В | 1А | 30 В | 1 при мА 30 В | 550 мВ при 1 А | 1А | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps8l30btr-datasheets-7604.pdf | 30 В | 8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | STPS8L30B-TR | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТПС8Л | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 8А | 8А | 630мВ | 75А | 1 мА | КАТОД | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 75А | 1 мА | 30 В | 75А | Шоттки | 30 В | 8А | 1 | 1 при мА 30 В | 490 мВ при 8 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТПС5Л60 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stps5l60s-datasheets-7219.pdf | 60В | 5А | ДО-201АД, Осевой | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ПРОВОЛОКА | СТПС5 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 5А | 5А | 520 мВ | 150А | 220 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 220 мкА | 60В | 150А | Шоттки | 60В | 5А | 1 | 220 мкА при 60 В | 520 мВ при 5 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСТ2080С | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/littelfuseinc-dst2080s-datasheets-7626.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | Без свинца | 3 | 23 недели | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 20А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 300 мкА | ТО-277Б | Шоттки | 80В | 20А | 1 | 300 мкА при 80 В | 700 мВ при 20 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5407G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-1n5406rlg-datasheets-3530.pdf | 800В | 3А | 5,3 мм | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 9,5 мм | 9,5 мм | 6,35 мм | Без свинца | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | Олово | Нет | Стандартный | Без галогенов | 1N5407 | Одинокий | Осевой | 3А | 3А | 1В | 200А | 800В | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200А | 10 мкА | 800В | 200А | 800В | Стандартный | 800В | 3А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 3 А | 3А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDS3100Q-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-pds3100q13-datasheets-7052.pdf | PowerDI™ 5 | 3 | 15 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100 мкА | Шоттки | 100В | 3А | 90А | 1 | 3А | 100В | 100 мкА при 100 В | 840 мВ при 6 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБРТ20У60СП5-7Д | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСБР | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-sbrt20u60sp57d-datasheets-7286.pdf | PowerDI™ 5 | 3 | 23 недели | 95,991485мг | 5 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 480 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 320А | 80 мА | 60В | Супер Барьер | 60В | 20А | 1 | 180 мкА при 60 В | 570 мВ при 20 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБРТ20М60СП5-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-sbrt20m60sp57-datasheets-5024.pdf | PowerDI™ 5 | Без свинца | 3 | 23 недели | 95,991485мг | 5 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 520 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 320А | 45 мА | 60В | Супер Барьер | 60В | 20А | 1 | 180 мкА при 60 В | 570 мВ при 20 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР220Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mur220g-datasheets-7335.pdf | 200В | 2А | 2,7 мм | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 6,35 мм | 5,2 мм | 63,5 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | МУР220 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 1 | 2А | 2А | 950 мВ | 35А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЧНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 35А | 2мкА | 200В | 35А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 2А | 1 | 2 мкА при 200 В | 950 мВ при 2 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУРД4120S9A-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6 недель | 260,37 мг | да | Нет | РУРД4120 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 2,1 В | 8А | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 40А | 100 мкА | 1,2 кВ | 40А | 90 нс | 70 нс | Стандартный | 1,2 кВ | 4А | 4А | 1200В | 100 мкА при 1200 В | 2,1 В при 4 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБРТ20У60СП5-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСБР | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-sbrt20u60sp57d-datasheets-7286.pdf | PowerDI™ 5 | Без свинца | 3 | 15 недель | 95,991485мг | 5 | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 480 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 320А | 80 мА | 60В | Супер Барьер | 60В | 20А | 1 | 180 мкА при 60 В | 570 мВ при 20 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РХРД660С9А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 600В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | РХРД660С9 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 6А | 6А | 2,1 В | 60А | КАТОД | ГИПЕРБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 60А | 100 мкА | 600В | 60А | 600В | 35 нс | 30 нс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 100 мкА при 600 В | 2,1 В при 6 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС10П6-М3/86А | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | eSMP® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-ss10p6m386a-datasheets-7372.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 6,15 мм | 1,2 мм | 4,35 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Нет | 10А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СС10П6 | 3 | Общий анод | 1 | 10А | 670мВ | 280А | 150 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 280А | 150 мкА | 60В | 280А | ТО-277А | Шоттки | 60В | 7А | 1 | 150 мкА при 60 В | 550 мВ при 7 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH5L06RL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stth5l06rl-datasheets-7391.pdf | 600В | 5А | ДО-201АД, Осевой | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ПРОВОЛОКА | STTH5L06 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 5А | 5А | 1,3 В | 110А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 110А | 5 мкА | 600В | 110А | 600В | 95 нс | 95 нс | Стандартный | 600В | 5А | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 5 А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБ5100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-sb530-datasheets-6021.pdf | 100В | 5А | 5,6 мм | ДО-201АД, Осевой | 6,35 мм | 9,5 мм | 6,35 мм | Без свинца | 13 недель | 360мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | Нет | Стандартный | СБ5100 | Одинокий | ДО-201АД | 5А | 5А | 850 мВ | 150А | 500 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100А | 500 мкА | 100В | 150А | Шоттки | 100В | 5А | 380пФ @ 4В 1МГц | 100В | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 5 А | 5А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРА2Х100Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nbrs2h100t3g-datasheets-6542.pdf | ДО-214АС, СМА | Без свинца | 2 | 5 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | ДЕЛО 403D-02 | 8541.10.00.80 | е3 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | МБРА2H100 | 2 | Одинокий | 1 | 2А | 790 мВ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 130А | 8мкА | 100В | 130А | Шоттки | 100В | 2А | 1 | 2А | 8 мкА при 100 В | 790 мВ при 2 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСП20У60С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsp20u60ss1g-datasheets-7413.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 14 недель | ТО-277А (СМПК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 580 мВ при 20 А | 20А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSH2-100 TR13 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsh220tr13pbfree-datasheets-3941.pdf | ДО-214АА, СМБ | 42 недели | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100В | Шоттки | 50А | 2А | 120пФ @ 4В 1МГц | 100В | 500 мкА при 100 В | 850 мВ при 2 А | 2А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСП15У100С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsp15u100ss1g-datasheets-7487.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 14 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 100В | 250 мкА | ТО-277А | Шоттки | 150А | 1 | 15А | 100В | 250 мкА при 100 В | 700 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РУРД660С9А-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-rurd660s9af085-datasheets-7447.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 6 недель | 260,37 мг | да | СВОБОДНЫЙ ДИОД | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | РУРД660S9 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПССО-Г2 | 60А | СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | НИТРИД КРЕМНИЯ | 60А | 100 мкА | 600В | 600В | ТО-252АА | 83 нс | 63 нс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 6А | 100 мкА при 600 В | 1,5 В при 6 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK86C V7G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АБ, СМК | 10 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 500 мкА при 60 В | 750 мВ при 8 А | 8А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P600G-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | P600G | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 150°С | 100А | 1,3 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 400В | 400А | 400В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 400В | 6А | 1 | 6А | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 400 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P600J-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | 9,1 мм | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Олово | Нет | 6А | 8541.10.00.80 | е3 | 400В | ПРОВОЛОКА | P600J | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 6А | 1,3 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 600В | 400А | 600В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВБС360Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrs360t3g-datasheets-9822.pdf | ДО-214АБ, СМК | 4,6 мм | 2,09 мм | 3,95 мм | Без свинца | 2 | 7 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | МБРС360 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 740 мВ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 150 мкА | 60В | 125А | Шоттки | 60В | 3А | 1 | 4А | 30 мкА при 60 В | 630 мВ при 3 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| П600М-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | P600, Осевой | 150пФ | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | П600М | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 6А | 1В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1кВ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 1кВ | 400А | 1кВ | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 1кВ | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРС320-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murs320e357t-datasheets-7177.pdf | 200В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 7,11 мм | 2,42 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 21 неделя | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | МУРС320 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 710 мВ | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 5 мкА | 200В | 125А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 5 мкА при 200 В | 875 мВ при 3 А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5626-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5625tap-datasheets-1963.pdf | СОД-64, Осевой | 17 недель | 2 | Свинец, Олово | 1N5626 | Одинокий | СОД-64 | 3А | 1В | 100А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1 мкА | 600В | 100А | 600В | 7,5 мкс | 6 мкс | лавина | 600В | 3А | 60пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1 В при 3 А | 3А | -55°К~175°К |
