| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Напряжение проба | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Эмкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НРВБС360Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrs360t3g-datasheets-9822.pdf | ДО-214АБ, СМК | 4,6 мм | 2,09 мм | 3,95 мм | Без свинца | 2 | 7 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | МБРС360 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 740 мВ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 150 мкА | 60В | 125А | Шоттки | 60В | 3А | 1 | 4А | 30 мкА при 60 В | 630 мВ при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| П600М-Е3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | P600, Осевой | 150пФ | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | П600М | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 6А | 1В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 1кВ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 1кВ | 400А | 1кВ | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 1кВ | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРС320-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murs320e357t-datasheets-7177.pdf | 200В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 7,11 мм | 2,42 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 21 неделя | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | МУРС320 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 3А | 710 мВ | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 5 мкА | 200В | 125А | 200В | 35 нс | 35 нс | Стандартный | 200В | 3А | 1 | 5 мкА при 200 В | 875 мВ при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5626-ТР | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5625tap-datasheets-1963.pdf | СОД-64, Осевой | 17 недель | 2 | Свинец, Олово | 1N5626 | Одинокий | СОД-64 | 3А | 1В | 100А | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1 мкА | 600В | 100А | 600В | 7,5 мкс | 6 мкс | лавина | 600В | 3А | 60пФ @ 4В 1МГц | 600В | 1 мкА при 600 В | 1 В при 3 А | 3А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СК1045-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microcommercialco-sk106tp-datasheets-4952.pdf | ДО-214АБ, СМК | 2 | 8 недель | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | SK1045 | 2 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 45В | Шоттки | 250А | 1 | 10А | 500пФ @ 4В 1МГц | 45В | 1 при мА 45 В | 650 мВ при 10 А | 10А | -55°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБР2065Д1-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-sbr2065d113-datasheets-7190.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 15 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | 400 мкА | Супер Барьер | 65В | 20А | 140А | 1 | 65В | 400 мкА при 65 В | 630 мВ при 20 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСП15Х200С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsp15h150ss1g-datasheets-1917.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 3 | 14 недель | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 150°С | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 150 мкА | ТО-277А | Шоттки | 250А | 1 | 15А | 200В | 150 мкА при 200 В | 890 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STTH4R02U | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБР15У50СП5-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СБР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-sbr15u50sp513-datasheets-6954.pdf | PowerDI™ 5 | 4,05 мм | 1,15 мм | 5,45 мм | 3 | 16 недель | 95,991485мг | Нет СВХК | 5 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | СБР15У50 | 3 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Ф3 | 15А | 520 мВ | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 4 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 256А | 500 мкА | 50В | 256А | Супер Барьер | 50В | 15А | 1 | 50В | 500 мкА при 50 В | 520 мВ при 15 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GI756-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi752e354-datasheets-1934.pdf&product=vishaysemiconductordiodesdivision-gi756e354-5977128 | 9,1 мм | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 400А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 кВ | ПРОВОЛОКА | GI756 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 6А | 6А | 1,25 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 600В | 400А | 600В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 600 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРС360-Е3/57Т | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-murs360e357t-datasheets-7025.pdf | 600В | 3А | ДО-214АБ, СМК | 7,0866 мм | 2,413 мм | 6,223 мм | Без свинца | 2 | 21 неделя | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | МУРС360 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 4А | 1,28 В | 125А | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 125А | 10 мкА | 600В | 125А | 600В | 75 нс | 50 нс | Стандартный | 600В | 3А | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,25 В при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GI751-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi752e354-datasheets-1934.pdf | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | Содержит свинец | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | GI751 | 2 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 150°С | 6А | 1,25 В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 100В | 100В | 2,5 мкс | Стандартный | 1 | 6А | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 100 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GI750-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gi752e354-datasheets-1934.pdf | 9,1 мм | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | Неизвестный | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | ГИ750 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 6А | 6А | 900 мВ | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 50В | 400А | 50В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 50В | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 50 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60С10-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/microcommercialco-60s6tp-datasheets-6880.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 12 недель | да | EAR99 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 60С10 | 2 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 1000В | Стандартный | 200А | 1 | 6А | 150пФ @ 4В 1МГц | 1000В | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | 6А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРВБС3100Т3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mbrs3100t3g-datasheets-0977.pdf | ДО-214АБ, СМК | 7,11 мм | 2,26 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | МБРС3100 | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 3А | 900 мВ | 130А | 50 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 130А | 50 мкА | 100В | 130А | Шоттки | 100В | 3А | 1 | 3А | 50 мкА при 100 В | 790 мВ при 3 А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМОШ-3 ТР ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmosh3trpbfree-datasheets-6857.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 30 В | 5нс | Шоттки | 0,75 А | 0,1 А | 7пФ @ 1В 1МГц | 30 В | 500 нА при 25 В | 1 В при 100 мА | 100 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHD4448 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhd4448trpbfree-datasheets-6717.pdf | СОД-123 | 20 недель | ДА | 150°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 100В | 4нс | Стандартный | 4А | 0,25 А | 4пФ @ 0В 1МГц | 75В | 25 нА при 20 В | 1 В при 100 мА | 250 мА | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P600D-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | P600, Осевой | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | P600D | 2 | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 6А | 1,3 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 400А | 200В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 200В | 6А | 1 | 6А | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 200 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P600B-E3/54 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-p600je354-datasheets-7002.pdf | P600, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 18 недель | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | неизвестный | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | P600B | 2 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 3А | 6А | 1,3 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 400А | 5 мкА | 100В | 400А | 100В | 2,5 мкс | 2,5 мкс | Стандартный | 100В | 6А | 1 | 150пФ @ 4В 1МГц | 5 мкА при 100 В | 900 мВ при 6 А | -50°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15SQ100TR | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | R6, Осевой | 17 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 500 мкА при 100 В | 830 мВ при 15 А | 15А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTS1545MFST1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nts1545mfst1g-datasheets-7028.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | 5,9 мм | 1,05 мм | 4,9 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | Нет СВХК | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | СВОБОДНЫЙ ДИОД, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЩНОСТИ | Олово | не_совместимо | е3 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 1 | Выпрямительные диоды | 15А | 480 мВ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 210А | 120 мкА | 45В | 210А | Шоттки | 45В | 15А | 1 | 120 мкА при 45 В | 570 мВ при 15 А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФ68Г А0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-sf68ga0g-datasheets-7049.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 150°С | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 5 мкА | 35 нс | Стандартный | 150А | 1 | 6А | 50пФ @ 4В 1МГц | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 6 А | 6А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСП10Х200С С1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsp10h200ss1g-datasheets-6784.pdf | ТО-277, 3-PowerDFN | 14 недель | ТО-277А (СМПК) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 100 мкА при 200 В | 910 мВ при 10 А | 10А | -55°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60С6-ТП | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10А02-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-10a05t-datasheets-4980.pdf | 9,1 мм | R6, Осевой | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 2,099991г | 2 | нет | EAR99 | Нет | 10А | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 100В | ПРОВОЛОКА | 260 | 10А02 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 10А | 1В | 600А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 100В | 600А | Стандартный | 100В | 10А | 1 | 100В | 150пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 100 В | 1 В при 10 А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КМР1У-02М ТР13 ПБФРИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmr1u01mtr13pbfree-datasheets-6776.pdf | ДО-214АС, СМА | 46 недель | ДА | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 200В | 35 нс | Стандартный | 30А | 1А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПР6005-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-pr6005t-datasheets-6865.pdf | R6, Осевой | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 2,099991г | 6 | нет | EAR99 | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПРОВОЛОКА | 260 | PR6005 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | О-PALF-W2 | 6А | 1,2 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 300А | 250 нс | 250 нс | Стандартный | 600В | 6А | 1 | 6А | 600В | 70пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 6 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10А01-Т | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-10a05t-datasheets-4980.pdf | 50В | 10А | 9,1 мм | R6, Осевой | 150пФ | 9,1 мм | 9,1 мм | 9,1 мм | Содержит свинец | 2 | 12 недель | 2,099991г | 2 | нет | EAR99 | Олово | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | ПРОВОЛОКА | 260 | 10А01 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | 10А | 10А | 1В | 600А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 50В | 600А | Стандартный | 50В | 10А | 1 | 50В | 150пФ @ 4В 1МГц | 10 мкА при 50 В | 1 В при 10 А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗЛЛС2000ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zlls2000ta-datasheets-6923.pdf | 40В | 2,2А | СОТ-23-6 | 65пФ | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 7,994566мг | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | Стандартный | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ЗЛЛС2000 | 6 | Одинокий | 40 | 1,1 Вт | 1 | Выпрямительные диоды | 2,2А | 2,2А | 640мВ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 36А | 40 мкА | 40В | 36А | 6 нс | Шоттки | 40В | 2,2А | 1 | 65пФ @ 30В 1МГц | 40 мкА при 30 В | 540 мВ при 2 А | 2,2 А постоянного тока | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДУ420-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-pdu42013-datasheets-6939.pdf | 200В | 4А | PowerDI™ 5 | 4,05 мм | 1,15 мм | 5,45 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 3 | нет | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | PDU420 | 3 | Общий анод | 40 | 1 | Выпрямительные диоды | 4А | 4А | 1,25 В | 125А | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 125А | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 200В | 4А | 1 | 200В | 5 мкА при 200 В | 890 мВ при 4 А | -65°К~175°К |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.